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常用5a mos管场(chang)效应管参数选型表大全(quan)-原厂供(gong)货(huo) 货(huo)源稳定-KIA MOS管

信息来源:本站(zhan) 日期:2018-12-26 

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5a mos管

mos管(guan)(guan)是(shi)金(jin)属(metal)—氧(yang)化(hua)物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管(guan)(guan),或(huo)者(zhe)称是(shi)金(jin)属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)source和drain是(shi)可以对(dui)调的(de)(de)(de)(de),他们都是(shi)在(zai)(zai)P型backgate中形(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)N型区。在(zai)(zai)多数情况下,这个两个区是(shi)一样的(de)(de)(de)(de),即使两端对(dui)调也不会影响(xiang)器件的(de)(de)(de)(de)性能(neng)。这样的(de)(de)(de)(de)器件被(bei)认为是(shi)对(dui)称的(de)(de)(de)(de)。


MOS管的构造

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MOS管(guan)这(zhei)个器(qi)件有两个电极(ji)(ji),分别是(shi)漏极(ji)(ji)D和源(yuan)极(ji)(ji)S,无论是(shi)图一(yi)的(de)N型(xing)还是(shi)图二(er)的(de)P型(xing)都是(shi)一(yi)块(kuai)掺杂(za)浓(nong)度(du)较低的(de)P型(xing)半导(dao)体硅衬底上,用(yong)半导(dao)体光刻(ke)、扩(kuo)散(san)工艺制作两个高掺杂(za)浓(nong)度(du)的(de)N+/P+区,并用(yong)金(jin)属(shu)铝(lv)引出(chu)漏极(ji)(ji)D和源(yuan)极(ji)(ji)S。然(ran)后在漏极(ji)(ji)和源(yuan)极(ji)(ji)之间的(de)N/P型(xing)半导(dao)体表面复盖一(yi)层很薄的(de)二(er)氧化硅(Si02)绝缘(yuan)层膜(mo),在再这(zhei)个绝缘(yuan)层膜(mo)上装上一(yi)个铝(lv)电极(ji)(ji),作为(wei)栅极(ji)(ji)G。这(zhei)就构成了一(yi)个N/P沟道(NPN型(xing))增强型(xing)MOS管(guan)。


MOS管应用电路

MOS管最显著的(de)特性是开(kai)(kai)关(guan)特性好(hao),所以(yi)被广泛应用在(zai)需要电子开(kai)(kai)关(guan)的(de)电路(lu)中,常见的(de)如开(kai)(kai)关(guan)电源,也有照明调光(guang)。


现在(zai)的(de)MOS驱动,有几个特(te)别(bie)的(de)需求(qiu)。1,低(di)压应(ying)用(yong)当使用(yong)5V电(dian)源,这(zhei)时候如果(guo)使用(yong)传(chuan)统的(de)图腾柱(zhu)结构,由于三极管的(de)be有0.7V左(zuo)右的(de)压降,导致实际最终加在(zai)gate上的(de)电(dian)压只有4.3V。这(zhei)时候,我们选用(yong)标(biao)称gate电(dian)压4.5V的(de)MOS管就存在(zai)一定的(de)风险(xian)。 同样的(de)问题(ti)也发生在(zai)使用(yong)3V或者其他(ta)低(di)压电(dian)源的(de)场合。

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强大的研发平台,使得(de)KIA在工艺制(zhi)造(zao)、产品设计方面拥有知识产权(quan)35项,并掌握多项场效应管(guan)核心(xin)制(zhi)造(zao)技术。自主研发已(yi)经成为了(le)企(qi)业的核心(xin)竞争(zheng)力。


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5a mos管型号表

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