login_华润娱乐「一家有爱的游戏平台」mos管电路符号及应用优势-mos管应用领域及应用方案都在这里-KIA MOS管

mos管电(dian)路符号及应(ying)用优势-mos管应(ying)用领域及应(ying)用方案都在(zai)这里-KIA MOS管

信息来(lai)源：本站　日期：2018-09-14　

分享(xiang)到：

mos管应用
mos管介绍

在(zai)了解mos管(guan)(guan)应用之(zhi)前(qian)，我们先来了解一(yi)下(xia)mos管(guan)(guan)的一(yi)些(xie)基础知识及工作(zuo)原理等。

mos管是金(jin)属(shu)(metal)—氧(yang)化物(oxide)—半导(dao)体(ti)(semiconductor)场(chang)效应晶(jing)体(ti)管，或者称是金(jin)属(shu)—绝缘体(ti)(insulator)—半导(dao)体(ti)。MOS管的(de)(de)source和(he)drain是可以对调的(de)(de)，他们都(dou)是在P型backgate中形(xing)成(cheng)的(de)(de)N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的(de)(de)，即使两端(duan)对调也不会影响器(qi)件的(de)(de)性能。这样的(de)(de)器(qi)件被认为是对称的(de)(de)。

mos管电路符号

常(chang)用(yong)于MOSFET的(de)电路(lu)符号有很多种变化，最常(chang)见的(de)设计是以一条(tiao)直线代(dai)表(biao)通道，两条(tiao)和通道垂直的(de)线代(dai)表(biao)源极与漏极，左方和通道平行(xing)而且较短的(de)线代(dai)表(biao)栅极，如下图所示。有时也会(hui)将(jiang)代(dai)表(biao)通道的(de)直线以破折线代(dai)替，以区分增强型(xing)MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽(jin)型(xing)MOSFET（depletion mode MOSFET）。

由(you)于(yu)集成电路芯片上的(de)(de)(de)(de)MOSFET为(wei)(wei)(wei)四端元(yuan)(yuan)件，所以除了栅极(ji)(ji)(ji)(ji)、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)、漏极(ji)(ji)(ji)(ji)外，尚有一(yi)基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)（Bulk或(huo)是Body）。MOSFET电路符号(hao)中(zhong)，从通道往右延伸(shen)的(de)(de)(de)(de)箭(jian)号(hao)方(fang)向(xiang)则(ze)可(ke)表示(shi)此元(yuan)(yuan)件为(wei)(wei)(wei)N型(xing)或(huo)是P型(xing)的(de)(de)(de)(de)MOSFET。箭(jian)头方(fang)向(xiang)永(yong)远(yuan)从P端指(zhi)向(xiang)N端，所以箭(jian)头从通道指(zhi)向(xiang)基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)端的(de)(de)(de)(de)为(wei)(wei)(wei)P型(xing)的(de)(de)(de)(de)MOSFET，或(huo)简称PMOS（代表此元(yuan)(yuan)件的(de)(de)(de)(de)通道为(wei)(wei)(wei)P型(xing)）；反之(zhi)若箭(jian)头从基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)指(zhi)向(xiang)通道，则(ze)代表基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)(wei)P型(xing)，而通道为(wei)(wei)(wei)N型(xing)，此元(yuan)(yuan)件为(wei)(wei)(wei)N型(xing)的(de)(de)(de)(de)MOSFET，简称NMOS。在(zai)一(yi)般分布(bu)式MOSFET元(yuan)(yuan)件（discrete device）中(zhong)，通常把(ba)基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)接在(zai)一(yi)起(qi)，故分布(bu)式MOSFET通常为(wei)(wei)(wei)三端元(yuan)(yuan)件。而在(zai)集成电路中(zhong)的(de)(de)(de)(de)MOSFET通常因为(wei)(wei)(wei)使用同一(yi)个基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)（common bulk），所以不标示(shi)出基(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)极(ji)(ji)(ji)(ji)性，而在(zai)PMOS的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)端多加一(yi)个圆圈以示(shi)区别。

mos管应用

MOS管应用的使用优势

MOS管是电压(ya)控制(zhi)元(yuan)件(jian)，而晶(jing)体(ti)管是电流控制(zhi)元(yuan)件(jian)。在只允许从信(xin)号(hao)源取较(jiao)少(shao)电流的情况下，应选用MOS管；而在信(xin)号(hao)电压(ya)较(jiao)低，又(you)允许从信(xin)号(hao)源取较(jiao)多电流的条件(jian)下，应选用晶(jing)体(ti)管。

MOS管(guan)(guan)是利用(yong)(yong)多数载流子(zi)(zi)导(dao)电(dian)，所以(yi)(yi)称之(zhi)为单极(ji)型器件，而晶(jing)体管(guan)(guan)是即(ji)有(you)多数载流子(zi)(zi)，也利用(yong)(yong)少数载流子(zi)(zi)导(dao)电(dian)，被(bei)称之(zhi)为双(shuang)极(ji)型器件。有(you)些MOS管(guan)(guan)的源极(ji)和(he)漏极(ji)可(ke)以(yi)(yi)互换使用(yong)(yong)，栅压也可(ke)正可(ke)负，灵活性比晶(jing)体管(guan)(guan)好。MOS管(guan)(guan)能在很小电(dian)流和(he)很低电(dian)压的条(tiao)件下(xia)工(gong)作，而且它(ta)的制造工(gong)艺可(ke)以(yi)(yi)很方便地把很多MOS管(guan)(guan)集成(cheng)在一块硅片上，因此MOS管(guan)(guan)在大规模(mo)集成(cheng)电(dian)路中(zhong)得到了(le)广泛的应用(yong)(yong)。