KIA35P10A替代(dai)CMD5950规格书(shu) 厂家直(zhi)销-低内阻 雪(xue)崩冲击小-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-12-26
KIA35P10A采用先(xian)进(jin)的(de)(de)沟(gou)槽MOSFET技术，提供(gong)优良的(de)(de)RDS（ON）和(he)栅极。用于各(ge)种各(ge)样的(de)(de)应用中的(de)(de)电荷。KIA35P10A满足RoHS和(he)绿色产品要求，100% EAS保证(zheng)全功能可靠性批(pi)准。
RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V
100% EAS保(bao)证(zheng)
可用绿色设备
超(chao)低栅(zha)电(dian)荷
优良的CDV/DT效应下(xia)降
先进的(de)高密度沟(gou)槽技术
产品型号：KIA35P10A
工(gong)作方式：-35A /-100V
漏源(yuan)电(dian)压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流(liu)连续：-35A
脉(mai)冲漏极(ji)电流(liu)：-100A
雪崩电流：28A
雪崩能量：345mJ
耗散(san)功(gong)率(lv)：104W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：-100V
栅极(ji)阈值电压：-1.2V
输入电容：4920PF
输出电容：223PF
上升时间：32.2ns
查看详(xiang)情，请(qing)点击(ji)下图。
CMD5950采用先进的沟槽技术和设计(ji)，提供优良的低门电(dian)荷RDS（on），它可用于多种(zhong)用途(tu)。
P沟道(dao)
低电阻(zu)
快速切(qie)换(huan)100%
雪崩测试(shi)
漏源电(dian)压：-100 V
栅源(yuan)电(dian)压：20V
连续漏电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪(xue)崩电流：- 35 A
总功耗：50w
储存温度范围：- 55至150
工作(zuo)结(jie)温度范围(wei)：150℃
联系(xi)方式：邹先生(sheng)
联(lian)系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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