逆变(bian)器 MOS管 KIA13N50 13A/500V规格书-原厂直销 免费(fei)送(song)样-KIA MOS管
信息来源：本(ben)站(zhan) 日期：2018-12-15
KIA13N50 N沟(gou)道增强型硅栅功率(lv)MOSFET是专为高电压，高速功率(lv)开关应用，如高效率(lv)开关电源，基于半桥拓扑结构的有(you)源功率(lv)因(yin)数校正电子镇流(liu)器。
产品(pin)编号：KIA13N50
漏极(ji)(ji)至源极(ji)(ji)电压(ya)（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时(shi)间(jian)：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换(huan)的能力(li)
雪(xue)崩(beng)能量
改(gai)进的dt／dt能力
主要适用于高(gao)电(dian)压(ya)，高(gao)速功率开关(guan)应用，如高(gao)效率开关(guan)电(dian)源(yuan)，基于半桥拓扑结构(gou)的有源(yuan)功率因数校(xiao)正电(dian)子镇(zhen)流器。
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