MOS管4365 4A/650V参数中文资料及应用(yong)领域-免费送样 原厂供(gong)货-KIA MOS管
信息来源:本站 日期:2018-12-22
RDS(ON),典型值(zhi)=2Ω@ VGS = 10V,ID=2A
快(kuai)速(su)切换
100%雪崩测试
改进(jin)的dt/dt能力
高频开关(guan)电(dian)源(yuan)
不间断(duan)电源(UPS)
电子镇流(liu)器
产(chan)品(pin)型号:KIA4365A
工(gong)作方式:4A/650V
漏(lou)源电(dian)压:650V
栅源电压:±30V
漏电流连续:4A
脉冲(chong)漏极电(dian)流:60A
雪(xue)崩能量:180mJ
耗散功率:55W
漏源(yuan)击穿电压:650V
温度系数:0.65V/℃
栅极(ji)阈值(zhi)电压:2.0V
输入电容:523PF
输出(chu)电(dian)容:58.7PF
上升时间:14.9ns
以下为(wei)4365A MOS管PDF产品附件,点击查看(kan)详情。
联系方式(shi):邹先(xian)生(sheng)
联系电话(hua):0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系(xi)地址:深圳(zhen)市(shi)福田区车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉(ji)大厦CD座5C1
请(qing)搜微(wei)(wei)信公众(zhong)号(hao):“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下(xia)图“关(guan)注”官方微(wei)(wei)信公众(zhong)号(hao)
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助(zhu)