高压mos管厂家-高压MOS管原厂选型(xing)及参(can)数参(can)考资料-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期：2018-09-10
mos管(guan)是(shi)金(jin)属(shu)(metal)—氧(yang)化物(oxide)—半(ban)导体(semiconductor)场(chang)效(xiao)应晶体管(guan)，或者称是(shi)金(jin)属(shu)—绝(jue)缘体(insulator)—半(ban)导体。MOS管(guan)的(de)(de)source和drain是(shi)可以对调(diao)的(de)(de)，他们都是(shi)在P型backgate中形成的(de)(de)N型区(qu)(qu)。在多数情况(kuang)下，这个两个区(qu)(qu)是(shi)一(yi)样的(de)(de)，即使两端对调(diao)也不会影响器件的(de)(de)性能。这样的(de)(de)器件被认为(wei)是(shi)对称的(de)(de)。
场(chang)效应(ying)管(guan)（FET），把输(shu)(shu)入电压(ya)(ya)的(de)变化转化为输(shu)(shu)出电流的(de)变化。FET的(de)增益(yi)等于它的(de)transconductance， 定义(yi)为输(shu)(shu)出电流的(de)变化和(he)输(shu)(shu)入电压(ya)(ya)变化之比。市面上常有的(de)一(yi)般(ban)为N沟道(dao)(dao)和(he)P沟道(dao)(dao)，详情参考右侧图片（N沟道(dao)(dao)耗尽(jin)型MOS管(guan)）。而P沟道(dao)(dao)常见的(de)为低压(ya)(ya)mos管(guan)。
一个电场在一个绝缘层上来(lai)影响流(liu)(liu)过晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)电流(liu)(liu)。事实上没有电流(liu)(liu)流(liu)(liu)过这(zhei)个绝缘体(ti)(ti)(ti)，所(suo)以FET管(guan)(guan)的(de)(de)GATE电流(liu)(liu)非(fei)常小(xiao)。最(zui)普(pu)通(tong)的(de)(de)FET用(yong)(yong)一薄层二氧(yang)化硅来(lai)作为GATE极(ji)下的(de)(de)绝缘体(ti)(ti)(ti)。这(zhei)种晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)称(cheng)为金属(shu)氧(yang)化物(wu)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)(ti)(MOS)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)，或,金属(shu)氧(yang)化物(wu)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)(ti)场效应(ying)管(guan)(guan)（MOSFET）。因为MOS管(guan)(guan)更(geng)(geng)小(xiao)更(geng)(geng)省电，所(suo)以他们已经(jing)在很多(duo)应(ying)用(yong)(yong)场合取代了双极(ji)型(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)。
这里(li)介(jie)绍高压mos管厂家及(ji)高压MOS管原厂选型及参数参考资料。深圳市(shi)利盈娱(yu)乐半导(dao)体(ti)科技(ji)有限公司.是一(yi)家(jia)专业从事中(zhong)、大、功(gong)率(lv)场效应(ying)管(guan)(MOSFET)、快速恢复二极管(guan)、三端稳压管(guan)开(kai)发(fa)设计，集研(yan)发(fa)、生(sheng)产和销售为一(yi)体(ti)的国家(jia)高新技(ji)术(shu)企业。
2005年在深(shen)圳福田，KIA半导体开启了(le)前(qian)行之路，注(zhu)册资金1000万，办公区域(yu)达1200平(ping)方，已经拥有了(le)独立(li)的研(yan)发(fa)(fa)中心，研(yan)发(fa)(fa)人员以来自韩国(guo)(台湾)超(chao)一流团(tuan)队，可(ke)以快速根据客户应用领(ling)域(yu)的个性来设计(ji)方案(an)，同时(shi)引(yin)进多台国(guo)外先进设备，业务含括功率(lv)器件(jian)的直流参数检测、雪崩(beng)能量检测、可(ke)靠性实验、系统分析、失效分析等领(ling)域(yu)。强大的研(yan)发(fa)(fa)平(ping)台，使得KIA在工艺制(zhi)造(zao)、产品(pin)设计(ji)方面拥有知识产权35项(xiang)，并掌握多项(xiang)场效应管核(he)心制(zhi)造(zao)技术(shu)。自主研(yan)发(fa)(fa)已经成为了(le)企业的核(he)心竞争力。
强大的(de)研发(fa)平台，使得KIA在工艺(yi)制造、产品(pin)设计(ji)方面拥有知(zhi)识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发(fa)已(yi)经(jing)成为(wei)了企业的(de)核心竞(jing)争力。
KIA半导(dao)体的产品(pin)(pin)涵盖工业、新能(neng)源(yuan)、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括(kuo)光伏逆变(bian)及(ji)无(wu)人机、充电(dian)桩、这(zhei)类(lei)新兴能(neng)源(yuan)，也涉及(ji)汽车配件、LED照明等家庭(ting)用品(pin)(pin)。KIA专(zhuan)注于产品(pin)(pin)的精细化(hua)与革(ge)新，力求为客户提供最具(ju)行业领先、品(pin)(pin)质上乘的科(ke)技(ji)产品(pin)(pin)。
从设计研发到制造再到仓储(chu)物(wu)流，KIA半导(dao)体真正实现了一(yi)体化(hua)的(de)服务链(lian)，真正做到了服务细节全到位的(de)品牌(pai)内涵，我(wo)们致(zhi)力于成(cheng)为场效应管(guan)（MOSFET）功率器件领域的(de)领跑者(zhe)，为了这个目(mu)标，KIA半导(dao)体正在(zai)持(chi)续创新，永不止步！
深(shen)圳(zhen)KIA利盈娱(yu)乐电子，专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国(guo)浦项工科(ke)大(da)学内拥(yong)有了(le)专业合作设计研发团(tuan)队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司(si)KIA率先成功研最新型MOSFET系列产品，可以提供样(yang)品，以及有多种封(feng)装SOT-89 TO-92、262、263、251、220F等。
（1）它是利用多(duo)数载流子导电，因(yin)此它的(de)温度稳定性(xing)较好
（2）场效应管的输入端电流极(ji)小，因(yin)此它(ta)的输入电阻很大
（3）场效应管是电压控制器件，它通过(guo)VGS来控制ID
（4）它组成(cheng)的放(fang)(fang)大(da)(da)(da)电路的电压(ya)放(fang)(fang)大(da)(da)(da)系数要(yao)小于三极(ji)管组成(cheng)放(fang)(fang)大(da)(da)(da)电路的电压(ya)放(fang)(fang)大(da)(da)(da)系数
（5）场(chang)效应管的抗辐射能力(li)强
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所(suo)以(yi)噪声低
KIA9N90H 9A 900V 内阻最(zui)大(da)值1.4 最(zui)小值1.12
KIA2N60H ; 2A 600V 内(nei)阻最大值5 最小只值4.1
KIA3N80H 3A 800V 内阻最大值(zhi)4.8 最小值(zhi)4
KIA4360A 4A 600V 内阻最大(da)值2.3 最小值1.9
KND4365A 4A 650V 内阻最大值2.5 最小值2
KIA4N65H 4A 650V 内阻最(zui)大值(zhi) 3 最(zui)小(xiao)值(zhi)2.5
KIA5N60E 4.5A 600V 内阻最(zui)大值2.5 最(zui)小值 2
KIA7N60H 7A 600V 内阻(zu)最大值1.2 最小值 1
KIA7N60U 7A 600V 内阻最大值1. 4 最小值1.15
KNF4665A 7.5A 650V 内(nei)阻(zu)最(zui)大值1.4 最(zui)小(xiao)值1.1
KIA7N65H 7A 650V 内阻(zu)最(zui)大值1.4 最(zui)小值1.2
KIA7N80H ; 7A 800V 内(nei)阻最大值(zhi)(zhi)1.9 最小(xiao)值(zhi)(zhi)1.4
KIA8N60H 7.5A 600V 内阻(zu)最大值(zhi)1.2 ; 最小(xiao)值(zhi)0.98
KIA9N90H 9A ; 900V 内阻最大值1.4 最小值1.12
KIA9N90S 9A 900V 内阻(zu)最(zui)(zui)大值 1.4 最(zui)(zui)小值1.05
KIA10N60H 9.5A 600V 内阻最大值(zhi) 0.73 最小值(zhi)0.6
KIA10N65H ;10A 650V 内阻最大值 0.75 最小(xiao)值0.65
KIA10N80H 10A 800V 内(nei)阻最大值 1.1 最小值0.85
KIA12N60H 12A 600V 内阻(zu)最大值 0.65 最小值0.53
KIA12N65H 12A 650V 内阻(zu)最大值(zhi)(zhi) 0.75 最小值(zhi)(zhi)0.63
KIA9N90H 9A 900V 内阻最大(da)值1.4 最小(xiao)值1.12
KIA10N80H 10A 800V 内(nei)阻(zu)最大值(zhi)1.1 最小值(zhi)0.85
KIA1N60H 1A 600V 内(nei)阻最大值(zhi)(zhi)11.5 最小(xiao)值(zhi)(zhi)9.3
KIA1N65H 1A 650V 内阻(zu)最大值11.5 ; 最小值 9.3
KIA4N60H 4A 600V 内(nei)阻最大值(zhi)2.7 最小值(zhi)2.3
KIA7N60H 2A 600V 内(nei)阻最大值5 最小值4.1
KIA2N65H 2A 650V 内阻最大值5.3 最小(xiao)值 4.3
KIA4N60H 4A 600V 内阻最大值2.7 最小值2.3
KIA4N65H 4A 650V 内阻最大(da)值3 最小(xiao)值2.5
KIA6N70S 5.8A 700 内阻最大(da)值1.6 最小值1.35
KIA1N60H 1A 600V 内阻(zu)最大值11.5 最小(xiao)值9.3
KIA1N65H 1A 650V 内阻最大值11.5 最小值9.3
KIA2N60H 2A 600V 内(nei)阻最(zui)大(da)值5 最(zui)小值4.1
KIA2N65H 2A 650V 内阻最大(da)值5.3 最小值4.3
KIA4N60H 4A 600V 内阻最大值2.7 最小(xiao)值2.3
KND4365A 4A 650V 内阻(zu)最大值2.5 最小(xiao)值2
KIA830S 5A 550V 内阻最大值(zhi)1.2 最小值(zhi)1
KIA6N65H 5.5A 650V 内阻最(zui)大值2.2 最(zui)小值1.9
KIA6N70H 5.8A 700V 内阻(zu)最大值2.3 最小(xiao)值1.8
KND4560A 6A 600V 内阻(zu)最大值1.7 最小值1.4
KIA2N60H 2A 600V 内阻最大值(zhi)5 最小(xiao)值(zhi)4.1
KIA4N60H 4A 600V 内阻(zu)最大(da)值2.7 最小值2.3
KIA4N65H 4A 650V 内阻(zu)最(zui)大值3 最(zui)小(xiao)值2.5
KIA5N60E 4.5A 600V 内阻最大值2.5 最小值2
KIA7N60H 7A 600V 内阻最大(da)值1.2 最小值1
KIA7N65H 7A 650V 内阻最(zui)大值1.4 最(zui)小值1.2
KIA7N80H 7A 800V 内阻(zu)最(zui)大值(zhi)1.9 最(zui)小值(zhi)1.4
KIA8N60H 7.5A 600V 内阻(zu)最大值(zhi)1.9 最小值(zhi)1.4
KIA10N60H 9.5A 600V 内阻最大(da)值0.73 最小值0.6
KIA12N60H 12A 600V 内阻最大(da)值(zhi)0.65 最小值(zhi)0.53
KIA12N65H 12A 650V 内(nei)阻最大值(zhi)0.75 最小值(zhi)0.63
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