MOS管怎么测量(liang)好(hao)坏视频-如何测量(liang)MOS管好(hao)坏的详(xiang)解(jie)大(da)全-KIA MOS管
信息(xi)来源：本站 日(ri)期(qi)：2018-06-26
mos管是(shi)(shi)金(jin)(jin)属—氧化物(wu)-半导(dao)(dao)体(ti)(ti)场效(xiao)应晶体(ti)(ti)管，或者称是(shi)(shi)金(jin)(jin)属—绝缘体(ti)(ti)—半导(dao)(dao)体(ti)(ti)。MOS管的source和drain是(shi)(shi)可以对调的，他们(men)都是(shi)(shi)在(zai)P型backgate中形成的N型区(qu)。在(zai)多数(shu)情况下，这个两(liang)个区(qu)是(shi)(shi)一样的，即使两(liang)端对调也(ye)不会(hui)影(ying)响器件的性(xing)能。这样的器件被认(ren)为是(shi)(shi)对称的。
双极型晶体管(guan)把输入端电(dian)流(liu)(liu)的微(wei)小变(bian)(bian)化(hua)放大后(hou)，在输出(chu)(chu)端输出(chu)(chu)一个大的电(dian)流(liu)(liu)变(bian)(bian)化(hua)。双极型晶体管(guan)的增益(yi)就定义为(wei)输出(chu)(chu)输入电(dian)流(liu)(liu)之(zhi)比(bi)(bi)（beta）。另一种晶体管(guan)，叫做场效应管(guan)（FET），把输入电(dian)压(ya)的变(bian)(bian)化(hua)转化(hua)为(wei)输出(chu)(chu)电(dian)流(liu)(liu)的变(bian)(bian)化(hua)。FET的增益(yi)等于它的transconductance，定义为(wei)输出(chu)(chu)电(dian)流(liu)(liu)的变(bian)(bian)化(hua)和输入电(dian)压(ya)变(bian)(bian)化(hua)之(zhi)比(bi)(bi)。市面(mian)上(shang)常有的一般为(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)，以下为(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)符(fu)号。
1）用10K档，内有15伏电池。可提(ti)供导(dao)通(tong)电压。
2）因为(wei)栅(zha)极等效(xiao)于(yu)电容，与任何脚不通，不论(lun)N管或P管都很(hen)容易找(zhao)出(chu)栅(zha)极来(lai)，否(fou)则是坏管。
3）利用表(biao)笔对栅源(yuan)间正向(xiang)或(huo)反(fan)向(xiang)充电，可使漏源(yuan)通或(huo)断，且由于栅极(ji)上(shang)电荷能保持，上(shang)述(shu)两步(bu)可分先后，不(bu)必同步(bu)，方便。但要放电时(shi)需短(duan)路(lu)管(guan)脚或(huo)反(fan)充。
4）大都源漏间有反并(bing)二(er)极管，应注(zhu)意(yi)，及帮助判(pan)断。
5）大都封(feng)庄为字面对(dui)自(zi)已时，左栅中漏右源。
以上前三点必(bi)需掌(zhang)握(wo)，后(hou)两点灵活运用，很(hen)快就能判管脚，分好坏。
如果对新拿(na)到的(de)不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只(zhi)有(you)准确(que)判定脚的(de)排列，才能正(zheng)确(que)使用。
①栅极(ji)G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任(ren)意两脚之间正反向(xiang)电阻(zu)，若其中某次测得电阻(zu)为(wei)数百Ω），该(gai)两脚是D、S，第三脚为(wei)G。
②漏极(ji)D、源(yuan)极(ji)S及(ji)类型判定(ding)：用万用表R&TImes;10kΩ档(dang)测(ce)D、S问(wen)正(zheng)反向电(dian)(dian)阻，正(zheng)向电(dian)(dian)阻约为0.2&TImes;10kΩ，反向电(dian)(dian)阻（5一∞）X100kΩ。在测(ce)反向电(dian)(dian)阻时，红表笔不动，黑表笔脱离(li)引(yin)脚(jiao)后，与(yu)G碰一下，然后回去再(zai)接原引(yin)脚(jiao)，出(chu)现两种情况(kuang)：
a．若读数由原来较大(da)值(zhi)变为(wei)0（0&TImes;10kΩ），则红表笔(bi)(bi)所接为(wei)S，黑表笔(bi)(bi)为(wei)D。用(yong)黑表笔(bi)(bi)接触(chu)G有(you)效(xiao)，使(shi)MOS管(guan)D、S间正反(fan)向电(dian)阻值(zhi)均为(wei)0Ω，还(hai)可证明该(gai)管(guan)为(wei)N沟道。
b．若(ruo)读数仍为(wei)(wei)较(jiao)大值，黑表(biao)笔(bi)不动，改用红表(biao)笔(bi)接(jie)(jie)触(chu)(chu)G，碰(peng)一下之后立(li)即回到原脚(jiao)，此时若(ruo)读数为(wei)(wei)0Ω，则黑表(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的是S极、红表(biao)笔(bi)为(wei)(wei)D极，用红表(biao)笔(bi)接(jie)(jie)触(chu)(chu)G极有(you)效，该MOS管为(wei)(wei)P沟道(dao)。
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