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贴片(pian)MOS管(guan)封装大(da)全(quan)-常用贴片(pian)MOS管(guan)封装引脚图(tu)顺序详解-KIA MOS管(guan)

信息来(lai)源:本(ben)站(zhan) 日期(qi):2018-06-26 

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贴片MOS管封装

MOS管(guan)的(de)英文全(quan)称(cheng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体(ti)型(xing)场效应(ying)(ying)管(guan),属于场效应(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)中(zhong)的(de)绝(jue)缘栅型(xing)。因此,MOS管(guan)有(you)时被(bei)称(cheng)为(wei)场效应(ying)(ying)管(guan)。在一(yi)般电(dian)子电(dian)路中(zhong),MOS管(guan)通常被(bei)用于放大电(dian)路或(huo)开(kai)关(guan)电(dian)路。而在板卡上(shang)的(de)电(dian)源稳压(ya)电(dian)路中(zhong),MOSFET扮演的(de)角色主(zhu)要(yao)是判(pan)断电(dian)位。


MOS管的作用是什么

MOS管(guan)对于(yu)(yu)整个(ge)供(gong)电系(xi)统而言起着稳压的(de)作用。目(mu)前板卡(ka)上(shang)所采用的(de)MOS管(guan)并不是太(tai)多,一(yi)般(ban)有10个(ge)左右,主(zhu)要原(yuan)因是大部分MOS管(guan)被整合到IC芯片中(zhong)去了。由于(yu)(yu)MOS管(guan)主(zhu)要作用是为(wei)配件提供(gong)稳定的(de)电压,所以它一(yi)般(ban)使用在CPU、GPU 和(he)插槽等附近。MOS管(guan)一(yi)般(ban)是以上(shang)下两个(ge)组(zu)(zu)成一(yi)组(zu)(zu)的(de)形式出现板卡(ka)上(shang)。


MOS管封装形式

MOSFET芯(xin)片(pian)在制作(zuo)完(wan)(wan)成之后,需要(yao)给MOSFET芯(xin)片(pian)加上(shang)一个外(wai)壳(qiao),即MOS管封装(zhuang)。MOSFET芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)外(wai)壳(qiao)具有(you)支撑、保护、冷却的(de)(de)(de)作(zuo)用,同时(shi)还为芯(xin)片(pian)提(ti)供电气(qi)连(lian)接和(he)隔离,以便(bian)MOSFET器件与其它元件构成完(wan)(wan)整的(de)(de)(de)电路。按照安装(zhuang)在PCB 方(fang)式来区分,MOS管封装(zhuang)主要(yao)有(you)两大类:插入(ru)(ru)式(Through Hole)和(he)表(biao)(biao)面贴装(zhuang)式(Surface Mount)。插入(ru)(ru)式就是(shi)MOSFET的(de)(de)(de)管脚穿过PCB的(de)(de)(de)安装(zhuang)孔焊(han)(han)接在PCB 上(shang)。表(biao)(biao)面贴裝则是(shi)MOSFET的(de)(de)(de)管脚及散热法兰焊(han)(han)接在PCB表(biao)(biao)面的(de)(de)(de)焊(han)(han)盘上(shang)。


标准封装规格TO封装

TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶(jing)体管外形(xing)”。这是早(zao)期(qi)的封(feng)装(zhuang)规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插(cha)入式(shi)封(feng)装(zhuang)设计。近年来表面(mian)贴(tie)装(zhuang)市场需求量(liang)增大,TO封(feng)装(zhuang)也进展到表面(mian)贴(tie)装(zhuang)式(shi)封(feng)装(zhuang)。


TO252和(he)TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又(you)称之(zhi)为D-PAK,TO-263又(you)称之(zhi)为D2PAK。


D-PAK封装的MOSFET有(you)3个电极(ji)(ji),栅极(ji)(ji)(G)、漏(lou)极(ji)(ji)(D)、源极(ji)(ji)(S)。其中(zhong)漏(lou)极(ji)(ji)(D)的引脚被(bei)剪(jian)断不用,而是使(shi)用背(bei)面(mian)(mian)的散热板作漏(lou)极(ji)(ji)(D),直(zhi)接焊接在PCB上,一方面(mian)(mian)用于输出(chu)大(da)电流,一方面(mian)(mian)通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有(you)三处,漏(lou)极(ji)(ji)(D)焊盘较大(da)。


封装TO-252引脚图

芯片(pian)封(feng)(feng)装流行的还是双(shuang)列直插封(feng)(feng)装,简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封(feng)(feng)装在当时具(ju)有(you)适合(he)PCB(印刷电路(lu)板)的穿孔安装,具(ju)有(you)比TO型封(feng)(feng)装易于对PCB布线(xian)以及(ji)操作较为(wei)方便等(deng)一些特点,其封(feng)(feng)装的结构(gou)形式(shi)(shi)也很多,包括(kuo)多层(ceng)陶(tao)瓷双(shuang)列直插式(shi)(shi)DIP,单层(ceng)陶(tao)瓷双(shuang)列直插式(shi)(shi)DIP,引(yin)线(xian)框(kuang)架式(shi)(shi)DIP等(deng)等(deng)。常(chang)用于功率晶体管(guan)、稳压芯片(pian)的封(feng)(feng)装。

贴片MOS管封装

SOT封装

SOT(Small Out-Line Transistor)小(xiao)外(wai)形(xing)晶体管(guan)封(feng)装(zhuang)。这种封(feng)装(zhuang)就是贴片型(xing)小(xiao)功率晶体管(guan)封(feng)装(zhuang),比TO封(feng)装(zhuang)体积小(xiao),一(yi)般用于(yu)小(xiao)功率MOSFET。常见的规格如上。


主板上常用四端引(yin)脚(jiao)的(de)SOT-89 MOSFET。

贴片MOS管封装

SOT-23封装

贴片MOS管封装

PEF

Millimeter

REF

Millimeter

Min

Max

Min

Max

A

2.70

3.04

G

-

0.18

B

2.10

2.80

H

0.40

C

1.20

1.60

J

0.80

D

0.89

1.40

K

0.6 REF

E

1.78

2.04

L

0.85

1.15

F

0.30

0.50




SOP封装

SOP(Small Out-Line Package)的(de)中文意思(si)是(shi)“小(xiao)外(wai)形(xing)封装”。SOP是(shi)表(biao)面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海(hai)鸥翼状(L 字(zi)形(xing))。材料有塑料和陶瓷(ci)两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等,SOP后(hou)面的(de)数字(zi)表(biao)示引脚数。MOSFET的(de)SOP封装多数采(cai)用(yong)SOP-8规(gui)格,业界往(wang)往(wang)把(ba)“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。

贴片MOS管封装

SO-8采用塑料封(feng)装,没有(you)散(san)热(re)底(di)板,散(san)热(re)不良,一般用于(yu)小功率MOSFET。


SO-8是PHILIP公司首(shou)先开发的(de),以后逐渐派(pai)生出TSOP(薄(bo)小外形(xing)封(feng)装)、VSOP(甚(shen)小外形(xing)封(feng)装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄(bo)的(de)缩小型SOP)等标准规格。


这些(xie)派生的几种封(feng)装规格中,TSOP和TSSOP常(chang)用于(yu)MOSFET封(feng)装。


QFN-56封装

贴片MOS管封装

QFN(Quad Flat Non-leaded package)是(shi)(shi)表面(mian)(mian)贴(tie)装(zhuang)(zhuang)型封(feng)装(zhuang)(zhuang)之一(yi),中(zhong)文叫做(zuo)四边无引线扁(bian)平(ping)封(feng)装(zhuang)(zhuang),是(shi)(shi)一(yi)种(zhong)焊盘尺寸小(xiao)(xiao)、体积小(xiao)(xiao)、以塑料作为(wei)密封(feng)材料的(de)(de)(de)新兴表面(mian)(mian)贴(tie)装(zhuang)(zhuang)芯(xin)片(pian)封(feng)装(zhuang)(zhuang)技术。现(xian)在多称为(wei)LCC。QFN是(shi)(shi)日本(ben)(ben)电(dian)子机械工业会(hui)规定(ding)的(de)(de)(de)名(ming)称。封(feng)装(zhuang)(zhuang)四边配置有电(dian)极(ji)接(jie)点,由于(yu)无引线,贴(tie)装(zhuang)(zhuang)占有面(mian)(mian)积比(bi)QFP小(xiao)(xiao),高(gao)度比(bi)QFP低。这种(zhong)封(feng)装(zhuang)(zhuang)也称为(wei)LCC、PCLC、P-LCC等。QFN本(ben)(ben)来(lai)用(yong)于(yu)集成电(dian)路(lu)的(de)(de)(de)封(feng)装(zhuang)(zhuang),MOSFET不(bu)会(hui)采用(yong)的(de)(de)(de)。Intel提出(chu)的(de)(de)(de)整合驱动与MOSFET的(de)(de)(de)DrMOS采用(yong)QFN-56封(feng)装(zhuang)(zhuang),56是(shi)(shi)指在芯(xin)片(pian)背面(mian)(mian)有56个(ge)连(lian)接(jie)Pin

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