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低开启电压MOS管应用

对于一个电(dian)子(zi)产(chan)品，总(zong)功(gong)耗(hao)为(wei)该(gai)产(chan)品正(zheng)常工作(zuo)时的电(dian)压与电(dian)流的乘积，这就(jiu)是(shi)低功(gong)耗(hao)设计的需(xu)要(yao)注意事项之一。

为了降低(di)产(chan)品(pin)的功耗，在(zai)电(dian)子产(chan)品(pin)开(kai)发(fa)时尽(jin)量(liang)采用低(di)开(kai)启电(dian)压(ya)(ya)MOS管的产(chan)品(pin)。比如一个产(chan)品(pin)，曾经用5v单(dan)(dan)片机(ji)正常工作，后来又了3.3v的单(dan)(dan)片机(ji)或者工作电(dian)压(ya)(ya)更低(di)的，那么就是(shi)在(zai)第(di)一层次(ci)中进行了低(di)功耗设计，这也就是(shi)我们常说的研(yan)发(fa)前(qian)期低(di)功耗器件选(xuan)择。这一般需要有广阔(kuo)的芯片涉(she)猎范围或者与供应商有良好的沟通(tong)。

其(qi)次(ci)是模块工(gong)作(zuo)(zuo)的选择(ze)控(kong)制，一(yi)般(ban)选择(ze)具有(you)休(xiu)眠(mian)功(gong)能的芯片(pian)。比(bi)如在设计一(yi)个(ge)系统(tong)中，如果某(mou)些外(wai)部模块在工(gong)作(zuo)(zuo)中是不经常使(shi)用(yong)的，我(wo)们可(ke)以使(shi)其(qi)进(jin)入(ru)休(xiu)眠(mian)模式或者在硬件电路设计中采用(yong)数字开关来控(kong)制器(qi)工(gong)作(zuo)(zuo)与否，当需要使(shi)用(yong)模块时将其(qi)唤醒(xing)，这(zhei)样我(wo)们可(ke)以在整个(ge)系统(tong)进(jin)入(ru)低功(gong)耗模式时，关闭一(yi)些不必要的器(qi)件，以起到省电的作(zuo)(zuo)用(yong)，延长了待机时间。一(yi)般(ban)常用(yong)方法：①具有(you)休(xiu)眠(mian)模式的功(gong)能芯片(pian)②MOS管做电子开关③具有(you)使(shi)能端的LDO芯片(pian)。

再次，选(xuan)择具有省(sheng)电(dian)(dian)模(mo)式(shi)的(de)(de)主控(kong)芯(xin)片(pian)。现在的(de)(de)主控(kong)芯(xin)片(pian)一般都具有省(sheng)电(dian)(dian)模(mo)式(shi)，通(tong)过以(yi)往(wang)的(de)(de)经验可(ke)以(yi)知道，当(dang)主控(kong)芯(xin)片(pian)在省(sheng)电(dian)(dian)模(mo)式(shi)条件(jian)下(xia)，其(qi)工(gong)作电(dian)(dian)流(liu)往(wang)往(wang)是(shi)正常工(gong)作电(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)几分之一，这样可(ke)以(yi)大大增强消费类产品电(dian)(dian)池的(de)(de)使(shi)(shi)用时(shi)(shi)(shi)间。同(tong)时(shi)(shi)(shi)，现在一些控(kong)制芯(xin)片(pian)具有双(shuang)时(shi)(shi)(shi)钟(zhong)的(de)(de)模(mo)式(shi)，通(tong)过软(ruan)件(jian)的(de)(de)配置使(shi)(shi)芯(xin)片(pian)在不同(tong)的(de)(de)使(shi)(shi)用场合使(shi)(shi)用不同(tong)的(de)(de)外部始(shi)(shi)终(zhong)从而(er)降低其(qi)功(gong)耗。这与始(shi)(shi)终(zhong)分频(pin)器具有异曲(qu)同(tong)工(gong)之妙(miao)，不同(tong)之处想必(bi)就是(shi)BOM的(de)(de)价格问(wen)题。现在火(huo)爆的(de)(de)APPLE WATCH就是(shi)低功(gong)耗的(de)(de)一个例(li)子(zi)：全功(gong)能运(yun)行(xing)3-4小时(shi)(shi)(shi)，持续运(yun)行(xing)18小时(shi)(shi)(shi)。

主控芯片或(huo)者相关模(mo)块唤(huan)醒的(de)(de)(de)方式选择。通常进(jin)(jin)过(guo)以上(shang)的(de)(de)(de)步(bu)骤设(she)计(ji)好了硬件结(jie)构，在(zai)系(xi)(xi)统(tong)(tong)需要(yao)省(sheng)电(dian)(dian)，在(zai)什么(me)时候进(jin)(jin)入省(sheng)电(dian)(dian)模(mo)式，这一般(ban)在(zai)软件设(she)计(ji)中实现(xian)，但是最主要(yao)还是需要(yao)根据产品的(de)(de)(de)功能特性来决定了。当系(xi)(xi)统(tong)(tong)进(jin)(jin)入了省(sheng)电(dian)(dian)模(mo)式，而系(xi)(xi)统(tong)(tong)的(de)(de)(de)唤(huan)醒也需要(yao)控制(zhi)。一般(ban)系(xi)(xi)统(tong)(tong)的(de)(de)(de)唤(huan)醒分为自动唤(huan)醒和外(wai)部唤(huan)醒。

A、自动唤醒(xing)是使用芯片内(nei)部(bu)的定时(shi)器来计(ji)时(shi)睡眠时(shi)间，当睡眠时(shi)间达到(dao)预定时(shi)间时(shi)，自动进(jin)行(xing)唤醒(xing)。这与(yu)我(wo)们使用的看门狗或(huo)者(zhe)中(zhong)断有比(bi)较(jiao)相近之处，不同就是其工(gong)作(zuo)与(yu)否(fou)的时(shi)序(xu)。

B、 外部(bu)唤醒(xing)(xing)就是(shi)芯片(pian)一(yi)直处于一(yi)种休眠(mian)状(zhuang)态，当有一(yi)个外部(bu)事(shi)件(主要(yao)是(shi)通过接口(kou))来(lai)对芯片(pian)进(jin)行一(yi)个触发，则芯片(pian)会(hui)唤醒(xing)(xing)，在(zai)事(shi)件处理之后消除该触发事(shi)件而在(zai)此进(jin)入休眠(mian)状(zhuang)态。因此，根据系统的特性，就需要(yao)进(jin)行软件设计时，来(lai)决定(ding)如何使用(yong)睡眠(mian)及唤醒(xing)(xing)，以(yi)降低系统的功耗。

低内阻mos管

MOS管导(dao)通(tong)电(dian)阻(zu)小，可以降低导(dao)通(tong)时的(de)功耗。但无论什(shen)么(me)元件(jian)器(qi)件(jian)，追求某(mou)项(xiang)指(zhi)标必(bi)会(hui)影响其它指(zhi)标。以MOS管来说(shuo)，高耐压(ya)与(yu)低电(dian)阻(zu)是(shi)矛盾的(de)，不可兼(jian)得，所以不能说(shuo)导(dao)通(tong)电(dian)阻(zu)越(yue)(yue)小越(yue)(yue)好，因(yin)为这是(shi)牺牲其它性能获得的(de)。但是(shi)一般mos管额(e)定电(dian)流越(yue)(yue)大,额(e)定导(dao)通(tong)电(dian)阻(zu)也就越(yue)(yue)小。

内阻的特点

1、创(chuang)新高(gao)压技术

2、低栅极电荷

3、定期额定雪崩

4、较强dv/dt能力

5、高电流峰值(zhi)

低开启电压mos管厂家

深(shen)圳市利(li)盈(ying)娱(yu)乐半(ban)导体科技(ji)有限公司.是(shi)一家专业从(cong)事中、大、功率场效(xiao)应管(MOSFET)、快速(su)恢复二极管、三(san)端稳压管开发设计，集研发、生产(chan)和销(xiao)售为一体的国家高新(xin)技(ji)术企业。

现已(yi)经拥(yong)有(you)了(le)独(du)立的(de)(de)研发(fa)中心(xin)，研发(fa)人员以(yi)来自(zi)韩(han)国(guo)(台(tai)湾)超一(yi)流团队，可以(yi)快速(su)根(gen)据(ju)客户应(ying)用领(ling)域的(de)(de)个性(xing)来设(she)计(ji)方案，同时引进多(duo)台(tai)国(guo)外先进设(she)备(bei)，业务含括功率(lv)器件的(de)(de)直(zhi)流参数检测(ce)、雪崩能量(liang)检测(ce)、可靠性(xing)实验、系统分(fen)析(xi)、失效分(fen)析(xi)等领(ling)域。强大(da)的(de)(de)研发(fa)平(ping)台(tai)，使得KIA在工艺制造、产品设(she)计(ji)方面拥(yong)有(you)知(zhi)识产权35项，并掌握多(duo)项场效应(ying)管核心(xin)制造技术。自(zi)主研发(fa)已(yi)经成(cheng)为了(le)企(qi)业的(de)(de)核心(xin)竞争(zheng)力。

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KIA半导体的产品(pin)涵盖工业、新(xin)能源、交通(tong)运(yun)输、绿(lv)色照明(ming)四(si)大(da)领域，不仅包括光伏逆变(bian)及无(wu)人机、充电桩、这类新(xin)兴能源，也涉及汽车配件(jian)、LED照明(ming)等家庭用(yong)品(pin)。KIA专注于产品(pin)的精(jing)细化与革(ge)新(xin)，力求为客户提供(gong)最具行业领先、品(pin)质上乘的科技(ji)产品(pin)。

从设计研发到制造(zao)再到仓(cang)储物(wu)流，KIA半(ban)导(dao)体真正实现(xian)了(le)一体化的服务(wu)链，真正做(zuo)到了(le)服务(wu)细节(jie)全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效(xiao)应管（MOSFET）功率器件领域的领跑(pao)者，为了(le)这(zhei)个目标，KIA半(ban)导(dao)体正在(zai)持续创(chuang)新，永不(bu)止步！

低开启电压mos管型号

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