2N65H 2.0A/650V MOS管(guan)中文(wen)资料及(ji)封装-原厂直销 免(mian)费送样-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日期：2018-12-24
此功率MOSFET是采用KIA先进的平面(mian)条纹DMOS工艺生产的。这先进的技术(shu)已经专门针对最小化通态电阻，提供(gong)了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式(shi)下能承(cheng)受高(gao)(gao)能量脉冲。这些适用于高(gao)(gao)效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V
低门电(dian)荷(典型的6.5nC)
高韧性
快速(su)切换
100%雪崩(beng)试验
改进的dv/dt能力
型(xing)号：KIA2N65H
电(dian)流：2.0A
电(dian)压:650V
漏源极电压:650V
漏电流脉冲(chong):7.5A
栅源(yuan)电压(ya):±30V
单脉(mai)冲雪崩能：100MJ
重复雪崩能：4.2MJ
峰值二极(ji)管恢复(fu)：4.5V/ns
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联(lian)系方式：邹先生
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