场效应(ying)管irf3205供(gong)应(ying)商(shang) 技术(shu)参数信(xin)息-场效应(ying)管irf3205中文资料(liao)-KIA MOS管
信(xin)息(xi)来(lai)源：本站(zhan) 日期：2018-12-18
IR的(de)HEXFET功率场(chang)效应(ying)管irf3205采用先进的(de)工(gong)艺技术制造(zao)，具有极低的(de)导通阻抗。
场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)irf3205这种特性，加(jia)上快(kuai)速的(de)(de)转(zhuan)换速率(lv)，和以(yi)坚(jian)固耐用著称的(de)(de)HEXFET设计，使得场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)irf3205成为极(ji)其高效(xiao)(xiao)可靠、应用范围超广的(de)(de)器件(jian)。
TO-220封(feng)(feng)装(zhuang)的(de)IRF3205普遍适(shi)用(yong)于功耗在50W左(zuo)右的(de)工商业应用(yong)，低(di)热阻和低(di)成本的(de)TO-220封(feng)(feng)装(zhuang)，使IRF3205得到业内的(de)普遍认可(ke)。D2Pak封(feng)(feng)装(zhuang)的(de)IRF3205适(shi)用(yong)于贴(tie)(tie)片(pian)安装(zhuang)，比(bi)起(qi)现(xian)有的(de)任何其他贴(tie)(tie)片(pian)封(feng)(feng)装(zhuang)，可(ke)说(shuo)是(shi)功率最高(gao)，导通阻抗最低(di)。TO-262是(shi)IRF3205的(de)通孔安装(zhuang)版(ban)，适(shi)合(he)较低(di)端的(de)应用(yong)。
先进的工艺技术
贴片安装
低端通孔安装
超低导通阻(zu)抗
动态dv/dt率(lv)
175℃工作温度(du)
快速转换速率(lv)
无铅环保
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