大(da)功(gong)率mos管(guan)(guan)驱动(dong)芯片工作原(yuan)理与结(jie)构详(xiang)解-大(da)功(gong)率mos管(guan)(guan)选型(xing)-KIA MOS管(guan)(guan)

信(xin)息来源：本站　日期(qi)：2019-01-23　

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大功率mos管驱动芯片

大功率mos管驱动芯片电路

功率开(kai)关(guan)器件(jian)在电(dian)力(li)电(dian)子(zi)设(she)备(bei)中(zhong)(zhong)占领(ling)着中(zhong)(zhong)心位置，它的(de)(de)(de)牢(lao)靠工作(zuo)是(shi)(shi)整个(ge)(ge)安装正常运(yun)转(zhuan)的(de)(de)(de)根本条件(jian)。功率开(kai)关(guan)器件(jian)的(de)(de)(de)驱动(dong)电(dian)路(lu)(lu)是(shi)(shi)主(zhu)电(dian)路(lu)(lu)与(yu)控(kong)制(zhi)电(dian)路(lu)(lu)之间的(de)(de)(de)接(jie)口(kou)，是(shi)(shi)电(dian)力(li)电(dian)子(zi)安装的(de)(de)(de)重要局部(bu)。它对整个(ge)(ge)设(she)备(bei)的(de)(de)(de)性(xing)能有(you)很大(da)的(de)(de)(de)影响(xiang)，其(qi)作(zuo)用是(shi)(shi)将控(kong)制(zhi)回路(lu)(lu)输(shu)出的(de)(de)(de)控(kong)制(zhi)脉冲放大(da)到足以(yi)驱动(dong)功率开(kai)关(guan)器件(jian)。简(jian)而言之，驱动(dong)电(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)根本任务就是(shi)(shi)将控(kong)制(zhi)电(dian)路(lu)(lu)传来的(de)(de)(de)信(xin)号，转(zhuan)换为加在器件(jian)控(kong)制(zhi)端(duan)(duan)和(he)(he)公共端(duan)(duan)之间的(de)(de)(de)能够使其(qi)导通(tong)和(he)(he)关(guan)断(duan)的(de)(de)(de)信(xin)号。

同(tong)样的(de)(de)(de)mos管功率器件，采(cai)用(yong)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)驱动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)将得(de)到不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)开(kai)关特(te)(te)性(xing)(xing)。采(cai)用(yong)性(xing)(xing)能(neng)良(liang)好的(de)(de)(de)驱动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)能(neng)够使功率开(kai)关器件工(gong)作(zuo)在(zai)(zai)(zai)比拟理想的(de)(de)(de)开(kai)关状态，同(tong)时(shi)缩短开(kai)关时(shi)间，减(jian)小开(kai)关损耗(hao)，对安装的(de)(de)(de)运转(zhuan)效(xiao)率，牢靠性(xing)(xing)和(he)(he)(he)平安性(xing)(xing)都(dou)有重要(yao)的(de)(de)(de)意(yi)义。因而驱动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)优劣直接影响主电(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)，驱动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)合(he)理化设计(ji)显得(de)越来(lai)越重要(yao)。晶闸管体积小，重量轻(qing)，效(xiao)率高(gao)，寿命长(zhang)，运用(yong)便当，能(neng)够便当的(de)(de)(de)停(ting)止整流(liu)(liu)和(he)(he)(he)逆变，且能(neng)够在(zai)(zai)(zai)不(bu)改动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)构造的(de)(de)(de)前提下，改动(dong)(dong)整流(liu)(liu)或(huo)逆变电(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)(de)大(da)(da)小。IGBT 是(shi) mosFET 和(he)(he)(he) GTR的(de)(de)(de)复合(he)器件，它(ta)具(ju)(ju)有开(kai)关速度(du)快(kuai)、热稳定(ding)性(xing)(xing)好、驱动(dong)(dong)功率小和(he)(he)(he)驱动(dong)(dong)电(dian)路(lu)(lu)简单(dan)的(de)(de)(de)特(te)(te)性(xing)(xing)，又具(ju)(ju)有通态压(ya)降小、耐压(ya)高(gao)和(he)(he)(he)接受电(dian)流(liu)(liu)大(da)(da)等优点。IGBT作(zuo)为主流(liu)(liu)的(de)(de)(de)功率输出(chu)器件，特(te)(te)别(bie)是(shi)在(zai)(zai)(zai)大(da)(da)功率的(de)(de)(de)场所(suo)，曾(ceng)经被(bei)普(pu)遍的(de)(de)(de)应用(yong)于各个范畴。

mos管开关器件理想的驱动电路

(1)功率(lv)开(kai)(kai)关管开(kai)(kai)通(tong)时(shi)，驱(qu)动电路(lu)可(ke)以提(ti)供快速上升的基极电流，使得开(kai)(kai)启时(shi)有足够的驱(qu)动功率(lv)，从而减小开(kai)(kai)通(tong)损耗。

(2)开关管导(dao)通(tong)期间(jian)，mos驱动电路提供(gong)的(de)基极电流在(zai)任何负载状况下都能保(bao)证功率管处于饱(bao)和导(dao)通(tong)状态，保(bao)证比(bi)拟低的(de)导(dao)通(tong)损耗。为减小(xiao)存储时间(jian)，器件关断(duan)前应处于临(lin)界饱(bao)和状态。

(3)关断(duan)时(shi)，驱动电(dian)路应提供(gong)足够的(de)反向基极(ji)驱动，以(yi)疾速的(de)抽出基区的(de)剩余(yu)载(zai)流子(zi)，减小(xiao)存储时(shi)间;　　并加(jia)反偏截(jie)止电(dian)压(ya)，使集电(dian)极(ji)电(dian)流疾速降(jiang)落以(yi)减小(xiao)降(jiang)落时(shi)间。当(dang)然，晶闸管的(de)关断(duan)主要还是靠反向阳极(ji)压(ya)降(jiang)来完成关断(duan)的(de)。

目(mu)前(qian)来说(shuo)(shuo)，关于晶闸管的(de)驱(qu)动用的(de)比(bi)拟多的(de)只是经过变压器或者(zhe)光耦隔(ge)离来把(ba)低压端与高压端隔(ge)开，再经过转换电路来驱(qu)动晶闸管的(de)导通(tong)。而关于 IGBT来说(shuo)(shuo)目(mu)前(qian)用的(de)较多的(de)是 IGBT 的(de)驱(qu)动模块，也有集(ji)成了 IGBT、系统(tong)自维(wei)护(hu)、自诊断等各个功(gong)用模块的(de) IPM。

本(ben)文针对(dui)我们(men)所用(yong)到的(de)(de)晶(jing)闸(zha)管(guan)，设计实(shi)验(yan)驱动(dong)(dong)电路，并(bing)停(ting)(ting)止(zhi)实(shi)考(kao)证明(ming)了(le)它能够驱动(dong)(dong)晶(jing)闸(zha)管(guan)。而(er)关(guan)于 IGBT的(de)(de)驱动(dong)(dong)，本(ben)文主要引(yin)见了(le)目(mu)前主要的(de)(de)几种 IGBT 的(de)(de)驱动(dong)(dong)方(fang)式，以及(ji)与(yu)它们(men)相对(dui)应的(de)(de)驱动(dong)(dong)电路，并(bing)对(dui)最常用(yong)的(de)(de)光耦隔离的(de)(de)驱动(dong)(dong)方(fang)式停(ting)(ting)止(zhi)了(le)仿真(zhen)实(shi)验(yan)。

大功率mos管驱动芯片实验电路的设计与剖析

实(shi)验设计总电路图如(ru)下图所示首先是(shi)(shi)升压电路，由于后(hou)级(ji)的(de)(de)(de)(de)隔离变压器电路中的(de)(de)(de)(de) MOS 管器件需(xu)求 15V 的(de)(de)(de)(de)触发(fa)信(xin)号(hao)，所以，需(xu)求先把(ba)幅(fu)值 5V 的(de)(de)(de)(de)触发(fa)信(xin)号(hao)转(zhuan)成 15V 的(de)(de)(de)(de)触发(fa)信(xin)号(hao)，经过(guo) MC14504 把(ba) 5V 的(de)(de)(de)(de)信(xin)号(hao)，转(zhuan)换(huan)成为 15V的(de)(de)(de)(de)信(xin)号(hao)，然后(hou)再(zai)经过(guo) CD4050 对输出的(de)(de)(de)(de) 15V 驱动信(xin)号(hao)整(zheng)形，实(shi)验的(de)(de)(de)(de)波形图如(ru)图所示，通道 2 接(jie)的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi) 5V 输入(ru)信(xin)号(hao)，通道 1 接(jie)的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)输出的(de)(de)(de)(de) 15V 的(de)(de)(de)(de)触发(fa)信(xin)号(hao)。

第二局部(bu)是隔(ge)离变压器电路，实验电路图如图 4所示，该电路的(de)主要(yao)功用是：把(ba) 15V 的(de)触发(fa)信号，转换成为 12V 的(de)触发(fa)信号去触发(fa)后(hou)面(mian)的(de)晶(jing)闸管的(de)导通，并且做(zuo)到(dao) 15V 的(de)触发(fa)信号与后(hou)级(ji)之距离。

该(gai)电(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)工(gong)作原理是(shi)(shi)(shi)：由(you)于(yu)(yu)(yu) MOS 管(guan)(guan) IRF640 的(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)为 15V，所以，首先是(shi)(shi)(shi)在 J1 处接(jie)(jie)(jie)入 15V 的(de)(de)方波信(xin)号，经过(guo)(guo)电(dian)(dian)阻 R4 接(jie)(jie)(jie)稳(wen)压(ya)(ya)管(guan)(guan) 1N4746，使触(chu)发(fa)电(dian)(dian)压(ya)(ya)稳(wen)定(ding)，也使得触(chu)发(fa)电(dian)(dian)压(ya)(ya)不(bu)至于(yu)(yu)(yu)过(guo)(guo)高，烧坏 MOS 管(guan)(guan)，然后接(jie)(jie)(jie)到 MOS 管(guan)(guan) IRF640(其实这就是(shi)(shi)(shi)个开(kai)(kai)关(guan)管(guan)(guan)，控制(zhi)后端(duan)的(de)(de)开(kai)(kai)通和(he)关(guan)断(duan)) ， MOS 管(guan)(guan)的(de)(de)工(gong)作图如(ru)下图，经过(guo)(guo)控制(zhi)驱(qu)(qu)动(dong)信(xin)号的(de)(de)占空比(bi)，能够(gou)控制(zhi) MOS 管(guan)(guan)的(de)(de)开(kai)(kai)通和(he)关(guan)断(duan)时间。当 MOS 管(guan)(guan)开(kai)(kai)通时，相当于(yu)(yu)(yu)它的(de)(de) D 极(ji)接(jie)(jie)(jie)地(di)，关(guan)断(duan)时是(shi)(shi)(shi)断(duan)开(kai)(kai)的(de)(de)，经过(guo)(guo)后级(ji)电(dian)(dian)路(lu)(lu)相当于(yu)(yu)(yu)接(jie)(jie)(jie) 24V。而变(bian)压(ya)(ya)器(qi)就是(shi)(shi)(shi)经过(guo)(guo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)变(bian)化来使右端(duan)输出(chu) 12V 的(de)(de)信(xin)号。变(bian)压(ya)(ya)器(qi)右端(duan)接(jie)(jie)(jie)一个整(zheng)流桥(qiao)，然后从(cong)接(jie)(jie)(jie)插件(jian) X1 输出(chu) 12V的(de)(de)信(xin)号。下图 6 为该(gai)实验电(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)仿真波形(xing)图，为了便当看清，我把 B 通道的(de)(de)正负引(yin)脚颠(dian)倒，测出(chu)图中的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)为负的(de)(de)，不(bu)过(guo)(guo)幅值是(shi)(shi)(shi)正确(que)的(de)(de)。图 7 是(shi)(shi)(shi)该(gai)电(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)实验波形(xing)图，与(yu)仿真波形(xing)图一样。

实验(yan)过程中遇到的问题

首先(xian)，开端上电(dian)(dian)时，保(bao)险丝(si)忽然熔(rong)断(duan)，后来查电(dian)(dian)路(lu)时发现(xian)(xian)最(zui)初的(de)(de)电(dian)(dian)路(lu)设计有问(wen)题。最(zui)初为了它的(de)(de)开关管(guan)输出的(de)(de)效果更好(hao)，把(ba)24V的(de)(de)地(di)和15V 的(de)(de)地(di)隔开，这就(jiu)使得MOS管(guan)的(de)(de)门极(ji)G极(ji)相当(dang)于后面的(de)(de)S极(ji)是(shi)悬空的(de)(de)，招致(zhi)误触发。处理方(fang)法是(shi)把(ba)24V和15V的(de)(de)地(di)接在一同，再次停止实验，电(dian)(dian)路(lu)工作正(zheng)常(chang)。电(dian)(dian)路(lu)衔接正(zheng)常(chang)，但是(shi)当(dang)参加驱(qu)动(dong)信号时，MOS管(guan)发热(re)，加驱(qu)动(dong)信号一段(duan)时间(jian)(jian)后，保(bao)险丝(si)熔(rong)断(duan)，再加驱(qu)动(dong)信号时，保(bao)险丝(si)直接熔(rong)断(duan)。检查电(dian)(dian)路(lu)发现(xian)(xian)，驱(qu)动(dong)信号的(de)(de)高(gao)电(dian)(dian)平占空比(bi)过(guo)大，招致(zhi)MOS管(guan)的(de)(de)开通(tong)(tong)时间(jian)(jian)太长。这个电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)设计使得当(dang)MOS管(guan)开通(tong)(tong)时，24V直接加到MOS管(guan)的(de)(de)两(liang)端，并没有加限流(liu)电(dian)(dian)阻，假(jia)如导通(tong)(tong)时间(jian)(jian)过(guo)长就(jiu)使得电(dian)(dian)流(liu)过(guo)大，MOS管(guan)损坏(huai)，需求(qiu)调理信号　的(de)(de)占空比(bi)不能太大，普通(tong)(tong)在 10%~20%左右(you)。

为(wei)了(le)验证驱(qu)动电(dian)路(lu)(lu)的(de)可行性，我们(men)用它来驱(qu)动串连(lian)在一(yi)同(tong)的(de)晶闸(zha)管(guan)(guan)电(dian)路(lu)(lu)，实验电(dian)路(lu)(lu)图(tu)如下(xia)图(tu)8所示，互(hu)相串联(lian)的(de)晶闸(zha)管(guan)(guan)再反并联(lian)后，接入带有(you)感抗的(de)电(dian)路(lu)(lu)中，电(dian)源(yuan)是(shi) 380V 的(de)交(jiao)流电(dian)压源(yuan)。

大功率mos管驱动芯片

在(zai)(zai)这个(ge)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)中，晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)Q2、Q8的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)经过G11和G12接(jie)(jie)入(ru)，而Q5、Q11的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)经过G21、G22接(jie)(jie)入(ru)。在(zai)(zai)驱(qu)动(dong)信(xin)号(hao)接(jie)(jie)到晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)门(men)级之前，为了(le)进(jin)步晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)抗(kang)干扰才能，在(zai)(zai)晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)门(men)极(ji)衔接(jie)(jie)一个(ge)电(dian)(dian)(dian)阻和电(dian)(dian)(dian)容。这个(ge)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)接(jie)(jie)电(dian)(dian)(dian)感后，再投入(ru)到主(zhu)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)中。经过控(kong)制(zhi)晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)导通(tong)角(jiao)，来控(kong)制(zhi)大电(dian)(dian)(dian)感投入(ru)到主(zhu)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)时间，上下电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)的(de)(de)(de)相角(jiao)相差(cha)半个(ge)周期，上路(lu)(lu)的(de)(de)(de) G11 和G12是一路(lu)(lu)的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)，经过前级的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)中的(de)(de)(de)隔离变(bian)压器互相隔离，下路(lu)(lu)的(de)(de)(de) G21 和 G22同(tong)样(yang)也是隔离的(de)(de)(de)同(tong)一路(lu)(lu)信(xin)号(hao)。实验(yan)波形图如图 9 所示，两路(lu)(lu)的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)触(chu)(chu)发(fa)(fa)反并联晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)正反导通(tong)，上面(mian)的(de)(de)(de) 1 通(tong)道(dao)接(jie)(jie)的(de)(de)(de)是整个(ge)晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压，在(zai)(zai)晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)导通(tong)时它变(bian)为 0，而 2、3 通(tong)道(dao)接(jie)(jie)的(de)(de)(de)是晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)上下路(lu)(lu)的(de)(de)(de)触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)，4 通(tong)道(dao)测得是流过整个(ge)晶(jing)(jing)(jing)闸(zha)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流。

通道(dao)测(ce)得有正向的触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)时，触(chu)(chu)发(fa)(fa)上面的晶闸(zha)管导通，电流为正;3 通道(dao)测(ce)得有反向的触(chu)(chu)发(fa)(fa)信(xin)号(hao)时，触(chu)(chu)发(fa)(fa)下路(lu)的晶闸(zha)管导通，电流为负。

大功率mos管驱动芯片结构

大功率mos管(guan)驱动芯片结构如下在(zai)一块掺杂浓度(du)较低的(de)(de)P型(xing)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)硅衬(chen)底上，用(yong)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)光刻、扩散工艺制作(zuo)(zuo)两(liang)(liang)个(ge)(ge)高掺杂浓度(du)的(de)(de)N+区，并用(yong)金属铝引(yin)出两(liang)(liang)个(ge)(ge)电(dian)极(ji)(ji)，分(fen)别作(zuo)(zuo)为漏极(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)S。然(ran)后在(zai)漏极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)之间(jian)的(de)(de)P型(xing)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)表面复(fu)盖一层很薄的(de)(de)二氧化硅（Si02）绝(jue)缘层膜，在(zai)再(zai)这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)绝(jue)缘层膜上装上一个(ge)(ge)铝电(dian)极(ji)(ji)，作(zuo)(zuo)为栅极(ji)(ji)G。这(zhei)(zhei)就构成了一个(ge)(ge)N沟道（NPN型(xing)）增(zeng)强(qiang)型(xing)MOS管(guan)。显然(ran)它的(de)(de)栅极(ji)(ji)和其它电(dian)极(ji)(ji)间(jian)是绝(jue)缘的(de)(de)。图1-1所示 A 、B分(fen)别是它的(de)(de)结构图和代表符号。

大功率mos管驱动芯片

同样用上(shang)述相同的(de)方法在一块掺杂浓度较低(di)的(de)N型(xing)半(ban)导体硅衬底上(shang)，用半(ban)导体光刻(ke)、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的(de)P+区，及上(shang)述相同的(de)栅极(ji)制作过程，就制成为一个P沟道(dao)（PNP型(xing)）增强型(xing)MOS管。图1-2所示A 、B分(fen)别是(shi)P沟道(dao)MOS管道(dao)结构图和(he)代(dai)表(biao)符号。

大功率mos管驱动芯片工作原理

大功率mos管驱动芯片

从图可以看出，增强型MOS管的漏极(ji)D和源(yuan)极(ji)S之间(jian)有两个(ge)背靠背的PN结。当栅-源(yuan)电(dian)压VGS=0时，即使加(jia)上漏-源(yuan)电(dian)压VDS，总有一个(ge)PN结处于(yu)反偏状态，漏-源(yuan)极(ji)间(jian)没有导(dao)电(dian)沟道（没有电(dian)流(liu)流(liu)过），所以这时漏极(ji)电(dian)流(liu)ID=0。

此时(shi)若在(zai)栅(zha)-源(yuan)极(ji)(ji)间加上正(zheng)向电(dian)(dian)压(ya)，图(tu)上图(tu)所示，即(ji)VGS＞0，则栅(zha)极(ji)(ji)和硅衬(chen)底之(zhi)间的(de)(de)(de)(de)SiO2绝缘层中(zhong)便产生一(yi)个栅(zha)极(ji)(ji)指向P型硅衬(chen)底的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)场(chang)，由于氧化物层是(shi)绝缘的(de)(de)(de)(de)，栅(zha)极(ji)(ji)所加电(dian)(dian)压(ya)VGS无法形成(cheng)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)，氧化物层的(de)(de)(de)(de)两边就形成(cheng)了(le)一(yi)个电(dian)(dian)容(rong)，VGS等效是(shi)对这(zhei)个电(dian)(dian)容(rong)充电(dian)(dian)，并形成(cheng)一(yi)个电(dian)(dian)场(chang)，随着VGS逐(zhu)渐升(sheng)高，受栅(zha)极(ji)(ji)正(zheng)电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)(de)吸引(yin)，在(zai)这(zhei)个电(dian)(dian)容(rong)的(de)(de)(de)(de)另(ling)一(yi)边就聚(ju)集大量的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)子并形成(cheng)了(le)一(yi)个从漏(lou)极(ji)(ji)到源(yuan)极(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)N型导(dao)电(dian)(dian)沟道(dao)(dao)，当VGS大于管子的(de)(de)(de)(de)开启(qi)电(dian)(dian)压(ya)VT（一(yi)般约为(wei) 2V）时(shi)，N沟道(dao)(dao)管开始导(dao)通，形成(cheng)漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)ID，我(wo)们把开始形成(cheng)沟道(dao)(dao)时(shi)的(de)(de)(de)(de)栅(zha)-源(yuan)极(ji)(ji)电(dian)(dian)压(ya)称为(wei)开启(qi)电(dian)(dian)压(ya)，一(yi)般用VT表示。控制(zhi)(zhi)栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)(dian)压(ya)VGS的(de)(de)(de)(de)大小改变了(le)电(dian)(dian)场(chang)的(de)(de)(de)(de)强弱，就可以达(da)到控制(zhi)(zhi)漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)ID的(de)(de)(de)(de)大小的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)，这(zhei)也是(shi)MOS管用电(dian)(dian)场(chang)来控制(zhi)(zhi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)(de)一(yi)个重要特点，所以也称之(zhi)为(wei)场(chang)效应管。