功率mos器件厂家-功率mos器件品牌-原厂直销免费送样

功率mos器件

本(ben)文主要介绍功(gong)(gong)率mos器件厂家，先看看功(gong)(gong)率mos器件的(de)(de)(de)一些知识，功(gong)(gong)率mos器件的(de)(de)(de)内部结(jie)构和(he)电(dian)气符号如图1所(suo)示；其导通时只有(you)一种极性的(de)(de)(de)载(zai)流子（多子）参(can)与(yu)导电(dian)，是单(dan)极型晶体管。导电(dian)机理与(yu)小功(gong)(gong)率mos管相同，但结(jie)构上有(you)较(jiao)大(da)(da)区别，小功(gong)(gong)率MOS管是横向导电(dian)器件，功(gong)(gong)率MOSFET大(da)(da)都(dou)采用垂直导电(dian)结(jie)构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大(da)(da)大(da)(da)提(ti)高了MOSFET器件的(de)(de)(de)耐压和(he)耐电(dian)流能力。

功(gong)率MOSFET为(wei)多元集成结构，如(ru)国际整流器公(gong)(gong)司(si)（International Rectifier）的HEXFET采(cai)用(yong)了六边形(xing)(xing)(xing)单(dan)元；西门子公(gong)(gong)司(si)（Siemens）的SIPMOSFET采(cai)用(yong)了正方形(xing)(xing)(xing)单(dan)元；摩托罗拉公(gong)(gong)司(si)（Motorola）的TMOS采(cai)用(yong)了矩形(xing)(xing)(xing)单(dan)元按“品(pin)”字形(xing)(xing)(xing)排列(lie)。

功率mos器件的工作原理

截止：漏(lou)源(yuan)(yuan)极间加正(zheng)电源(yuan)(yuan)，栅源(yuan)(yuan)极间电压为零(ling)。P基区(qu)与N漂移区(qu)之(zhi)间形(xing)成的PN结J1反偏，漏(lou)源(yuan)(yuan)极之(zhi)间无电流流过。

导电：在栅(zha)源极间加正(zheng)电压UGS，栅(zha)极是绝缘(yuan)的(de)(de)(de)，所(suo)以不会有栅(zha)极电流流过。但栅(zha)极的(de)(de)(de)正(zheng)电压会将其下面P区(qu)中的(de)(de)(de)空穴推开，而将P区(qu)中的(de)(de)(de)少子(zi)—电子(zi)吸引到栅(zha)极下面的(de)(de)(de)P区(qu)表(biao)面。

当UGS大于UT（开启电(dian)压或(huo)阈值电(dian)压）时，栅极(ji)(ji)下P区(qu)表面的电(dian)子浓度将(jiang)超(chao)过(guo)空穴浓度，使P型(xing)半导(dao)体反(fan)型(xing)成(cheng)N型(xing)而成(cheng)为(wei)反(fan)型(xing)层，该(gai)反(fan)型(xing)层形成(cheng)N沟(gou)道而使PN结(jie)J1消失，漏极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)导(dao)电(dian)。

功率mos器件厂家介绍

深圳市利(li)盈娱乐半导(dao)体(ti)(ti)科技有限公司(si).是一家专业从(cong)事中、大、功(gong)率(lv)场效(xiao)应管(MOSFET)、快速(su)恢复二(er)极管、三(san)端(duan)稳压管开发(fa)设计，集研发(fa)、生(sheng)产和销售为一体(ti)(ti)的国家高新技术(shu)企业。

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强大的(de)研发平台(tai)，使得KIA在工艺(yi)制(zhi)造(zao)、产品(pin)设计(ji)方面拥有(you)知识产权35项(xiang)(xiang)，并掌握多项(xiang)(xiang)场(chang)效应管核(he)心制(zhi)造(zao)技术(shu)。自主(zhu)研发已经成为了企(qi)业的(de)核(he)心竞争(zheng)力。

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功率mos器件厂家应用领域

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