大(da)功率mos参数表大(da)全与开关(guan)电(dian)路特(te)性详解-MOS管原厂(chang)自主研发-KIA MOS管
信息来源：本站(zhan) 日(ri)期：2019-04-16
文中列出了(le)KIA半导(dao)体大(da)功率(lv)mos参数表(biao)(biao)，请查看下表(biao)(biao)。先了(le)解一下功率(lv)mos，功率(lv)放大(da)电路是(shi)一种以输出较大(da)功率(lv)为目的(de)(de)的(de)(de)放大(da)电路。因此，要求同时(shi)输出较大(da)的(de)(de)电压和电流。管子工作(zuo)在接近(jin)极限状(zhuang)态。一般直接驱动负载(zai)，带载(zai)能力要强。
功(gong)率MOSFET是较常使(shi)用(yong)的一类(lei)功(gong)率器件。是“金属(shu)氧(yang)化物半导体场效应管(guan)”。它是由金属(shu)、氧(yang)化物(SiO2或SiN)及半导体三(san)种(zhong)材(cai)料制(zhi)成的器件。所谓功(gong)率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输(shu)(shu)出(chu)(chu)较大的工作电流(几(ji)(ji)安(an)到几(ji)(ji)十安(an))，用(yong)于功(gong)率输(shu)(shu)出(chu)(chu)级的器件。功(gong)率MOSFET可分为增(zeng)强(qiang)型(xing)和耗尽型(xing)，按(an)沟道分又可分为N沟道型(xing)和P沟道型(xing)。
KIA半导体大功率(lv)mos参数(shu)表如下(xia)：
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
实(shi)例应用电路分析
1、 三星等离子(zi)V2屏开关电源PFC部分激(ji)励(li)电路(lu)分析；
如下图1所示是三星V2屏开关电源(yuan)，PFC电源(yuan)部分电原理图，图2所示是其等(deng)效电路(lu)框图。
图1
图2
图(tu)1所示；是(shi)(shi)三星V2屏等离子开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)(de)PFC激(ji)励部分。从(cong)图(tu)中可(ke)以(yi)看出(chu)；这是(shi)(shi)一个并(bing)联(lian)开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源L1是(shi)(shi)储能(neng)电(dian)(dian)(dian)(dian)感，D10是(shi)(shi)这个开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)(de)整流二极(ji)管(guan)，Q1、Q2是(shi)(shi)开(kai)(kai)关(guan)管(guan)，为了保(bao)证PFC开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源有足够(gou)的(de)(de)功率输(shu)出(chu)，采用了两只MOS管(guan)Q1、Q2并(bing)联(lian)应(ying)用（图(tu)2所示；是(shi)(shi)该(gai)并(bing)联(lian)开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源等效(xiao)电(dian)(dian)(dian)(dian)路图(tu)，图(tu)中可(ke)以(yi)看出(chu)该(gai)并(bing)联(lian)开(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源是(shi)(shi)加在整流桥堆和滤波电(dian)(dian)(dian)(dian)容C5之间的(de)(de)），图(tu)中Q3、Q4是(shi)(shi)灌流激(ji)励管(guan)，Q3、Q4的(de)(de)基极(ji)输(shu)入开(kai)(kai)关(guan)激(ji)励信号(hao)， VCC-S-R是(shi)(shi)Q3、Q4的(de)(de)VCC供电(dian)(dian)(dian)(dian)(22.5V)。
两只开关管(guan)(guan)Q1、Q2的(de)(de)(de)栅极(ji)分(fen)别有各自的(de)(de)(de)充(chong)电(dian)(dian)(dian)限流(liu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)和(he)放(fang)电(dian)(dian)(dian)二(er)极(ji)管(guan)(guan)，R16是(shi)Q2的(de)(de)(de)在(zai)激(ji)烈信号(hao)为正半周时的(de)(de)(de)对Q2栅极(ji)等(deng)效(xiao)电(dian)(dian)(dian)容充(chong)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)限流(liu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，D7是(shi)Q2在(zai)激(ji)烈信号(hao)为负半周时的(de)(de)(de)Q2栅极(ji)等(deng)效(xiao)电(dian)(dian)(dian)容放(fang)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)放(fang)电(dian)(dian)(dian)二(er)极(ji)管(guan)(guan)，同样R14、D6则(ze)是(shi)Q1的(de)(de)(de)充(chong)电(dian)(dian)(dian)限流(liu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)和(he)放(fang)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)放(fang)电(dian)(dian)(dian)二(er)极(ji)管(guan)(guan)。R17和(he)R18是(shi)Q1和(he)Q2的(de)(de)(de)关机栅极(ji)电(dian)(dian)(dian)荷(he)泄放(fang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)。D9是(shi)开机瞬间浪涌电(dian)(dian)(dian)流(liu)分(fen)流(liu)二(er)极(ji)管(guan)(guan)。
上述大(da)(da)功率MOS管工作原(yuan)理中(zhong)可以看出，MOS管的栅(zha)极(ji)(ji)G和源(yuan)极(ji)(ji)S之间是(shi)绝缘的，由(you)于(yu)Sio2绝缘层的存在，在栅(zha)极(ji)(ji)G和源(yuan)极(ji)(ji)S之间等(deng)效(xiao)是(shi)一(yi)个电(dian)容存在，电(dian)压(ya)VGS产生电(dian)场从(cong)而导致源(yuan)极(ji)(ji)-漏极(ji)(ji)电(dian)流(liu)的产生。此时的栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)压(ya)VGS决定了漏极(ji)(ji)电(dian)流(liu)的大(da)(da)小，控制(zhi)栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)压(ya)VGS的大(da)(da)小就可以控制(zhi)漏极(ji)(ji)电(dian)流(liu)ID的大(da)(da)小。这就可以得(de)出如下结(jie)论：
1） MOS管是(shi)一个由改变电压来控制(zhi)电流的器件，所以是(shi)电压器件。
2） MOS管(guan)道输(shu)(shu)入(ru)特性为容(rong)性特性，所以输(shu)(shu)入(ru)阻抗(kang)极高(gao)。
联系方式：邹先生
联系电(dian)话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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