大电(dian)流(liu)场效应管(guan)(guan)型号 大功率MOS管(guan)(guan)型号封(feng)装大全-原厂正(zheng)品推荐-KIA MOS管(guan)(guan)
信(xin)息来源:本站 日期:2019-02-22
在了解大电流场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)型(xing)号之前,我们(men)来了解一下(xia)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)知识,它主要(yao)有两种类(lei)型(xing)(junction FET—JFET)和金属 - 氧(yang)化物(wu)半导体场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(metal-oxide semiconductor FET,简(jian)称(cheng)MOS-FET)。由多(duo)数载流子参(can)与导电,也(ye)称(cheng)为(wei)单极型(xing)晶(jing)体管(guan)。它属于(yu)电压控制型(xing)半导体器件。具有输入电阻高(gao)(107~1015Ω)、噪声小、功耗低(di)、动态(tai)范围大、易于(yu)集(ji)成(cheng)、没有二次(ci)击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成(cheng)为(wei)双极型(xing)晶(jing)体管(guan)和功率(lv)晶(jing)体管(guan)的强大竞争者(zhe)。
场效(xiao)应(ying)管(FET)是(shi)利用控制输入回(hui)路的电(dian)场效(xiao)应(ying)来控制输出回(hui)路电(dian)流的一种半导体器件,并以此命名。
由于(yu)它仅靠(kao)半(ban)导体中的多数载(zai)流子导电,又称单极型晶体管。
1.场效(xiao)应(ying)管(guan)可应(ying)用于放(fang)大(da)(da)。由(you)于场效(xiao)应(ying)管(guan)放(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)的输入阻(zu)抗很高(gao),因此耦(ou)合电(dian)容(rong)可以容(rong)量较小(xiao),不必使(shi)用电(dian)解电(dian)容(rong)器(qi)(qi)。
2.场效应管很高的(de)输入阻(zu)抗(kang)非常适合作(zuo)(zuo)阻(zu)抗(kang)变换。常用于多级放(fang)大器(qi)的(de)输入级作(zuo)(zuo)阻(zu)抗(kang)变换。
3.场效应管可以用作可变电(dian)阻。
4.场效(xiao)应管可(ke)以方(fang)便地(di)用(yong)作恒流源。
5.场(chang)效应管可以用作(zuo)电子开关。
1、交流/直流电(dian)源的同步整流
2、直流(liu)电机驱动
3、逆变(bian)器
4、电池充电器和电池保护电路
5、36V-96V系(xi)统中的马达控制
6、隔离的直流-直流转换器
7、不间断(duan)电源
以下为(wei)KIA半(ban)导体大电流(liu)场效(xiao)应(ying)管型号(部(bu)分(fen)),需咨询更多型号请(qing)联系我们(men),我们(men)将竭(jie)诚为(wei)您服务!
KIA半导体是一(yi)家专业(ye)从事中、大、功率场效应管(guan)(MOSFET)、快速(su)恢(hui)复二极管(guan)、三(san)端稳压管(guan)开发设计,集研发、生产(chan)和销售(shou)为一(yi)体的国家高新技(ji)术企业(ye)。
KIA半导体也执行的(de)全(quan)面(mian)质(zhi)(zhi)(zhi)量(liang)管理体系(xi),是将所有产品(pin)质(zhi)(zhi)(zhi)量(liang)从芯片设计开(kai)始(shi),一直(zhi)贯(guan)彻到客户使用的(de)全(quan)过程质(zhi)(zhi)(zhi)量(liang)跟踪和(he)监控。我们(men)确定在这(zhei)一质(zhi)(zhi)(zhi)量(liang)控制体系(xi)下生产的(de)产品(pin),在相关环节(jie)的(de)质(zhi)(zhi)(zhi)量(liang)状(zhuang)态(tai)和(he)信息都(dou)是有效控制,确保提供给客户的(de)产品(pin)是安全(quan)可靠的(de)。
由于功率MOSFET热稳定(ding)性好,故比双极型晶体管并联连(lian)接(jie)简单。可是并联连(lian)接(jie)MOSFET用于高(gao)速开关则末必简单,从(cong)现(xian)象看并联连(lian)接(jie)会发生以下两(liang)个问(wen)题:
1) 电(dian)流会(hui)集(ji)中某一(yi)个器件(jian)中。
2 ) 寄生振(zhen)荡。
并联(lian)连接(jie)方面的(de)问(wen)题
参(can)数
Lo:栅(zha)、导线电感
LD:漏、导线电感
LS:源、导线电感
Cmi:密(mi)勒电(dian)容
CGS:栅、源(yuan)(yuan)间电源(yuan)(yuan)
ra:栅、电阻(多(duo)晶(jing)硅(gui))
(1)电流会集到某一个器件中
这是由于并联连接的(de)(de)(de)器(qi)件(jian)中的(de)(de)(de)某一个器(qi)件(jian)早(zao)于或(huo)迟于其(qi)它(ta)器(qi)件(jian)导(dao)通或(huo)断(duan)开而(er)引起的(de)(de)(de)。导(dao)通、断(duan)开的(de)(de)(de)时刻差异是由于器(qi)件(jian)间的(de)(de)(de)阈值电(dian)压(ya)和(he)正向传输导(dao)纳等参数的(de)(de)(de)差别而(er)引起。图(tu)1表明把具有(you)不同VGS(th)和(he) g.f .s 的(de)(de)(de)功(gong)率MOSFET并联衔接时发生(sheng)电(dian)流不平(ping)衡(heng)的(de)(de)(de)一个比(bi)如。
驱动(dong)级的(de)(de)输出阻抗大(da)的(de)(de)时(shi)候(hou),电流不平(ping)衡的(de)(de)发生时(shi)刻由(you)功(gong)率MOSFET的(de)(de)输入(ru)电容Ciss而决议。另外,并联连接的(de)(de)全部器件导通(tong)之后(hou),流到各器件的(de)(de)电流与(yu)Rds(on)成反比 。
( 2 ) 寄生(sheng)振荡
如(ru)(ru)把功率MOSFET的栅(zha)极直接并联(lian)衔接,就常(chang)常(chang)发生寄生振荡。如(ru)(ru)图(tu)2所示,经过各(ge)个器件的漏(lou)、栅(zha)间电(dian)(dian)容(rong)(rong)( 密勒电(dian)(dian)容(rong)(rong) )和栅(zha)极引线电(dian)(dian)感构成谐(xie)振电(dian)(dian)路(lu) 。关于这个谐(xie)振电(dian)(dian)路(lu)的Q,也即电(dian)(dian)抗(kang)器 ( L 、C ) 对电(dian)(dian)阻之(zhi)比 (Q = i∞/ R ) 非常(chang)大(da),简单发生寄生振荡。
从以下两(liang)个方面采取办法(fa) :
1)器材(cai)的挑选(xuan)
2)装置上(shang)的考虑(lv)
( 1) 把功(gong)率MOSFET用(yong)作开关器件(jian)时,无(wu)须过于慎重(zhong)考虑,由于功(gong)率MOSFET的(de)最大(da)脉冲电流允许为(wei)直流额(e)定值的(de) 3-4倍,只(zhi)需极力(li)缩小驱动级的(de)输出阻(zu)抗就行(xing).把功(gong)率MOSFET用(yong)在线性(xing)电路时,只(zhi)挑选同一批产品是不行(xing)的(de) ,与(yu)双极型晶体管一样(yang)外加源(yuan)电阻(zu)使之平(ping)衡是很有必要的(de).
( 2 )装置办法
选用(yong)(yong)低电感布(bu)(bu)线(xian)(xian)是(shi)当然的(de)(de)(de),但在并(bing)(bing)联(lian)连接中仅(jin)用(yong)(yong)铜板是(shi)不(bu)行(xing)(xing)的(de)(de)(de) ,由于因公共阻扰发生的(de)(de)(de) 电压使栅(zha)、源间电压不(bu)能平衡,为了防止(zhi)这(zhei)点,并(bing)(bing)联(lian)连接的(de)(de)(de)各(ge)个器件应是(shi)彻底持平的(de)(de)(de)布(bu)(bu)线(xian)(xian),应如图(tu)3那样(yang)用(yong)(yong)对(dui)称的(de)(de)(de)布(bu)(bu)线(xian)(xian) ,但因装置(zhi)上的(de)(de)(de)约束,不(bu)行(xing)(xing)能用(yong)(yong)对(dui)称布(bu)(bu)钱(qian)时(shi),这(zhei)时(shi)同(tong)轴的(de)(de)(de)(多股绞(jiao)合(he)线(xian)(xian)、带(dai)状线(xian)(xian) ) 布(bu)(bu)线(xian)(xian)也是(shi)很有用(yong)(yong)的(de)(de)(de)。如图(tu)4那样(yang),经(jing)过薄的(de)(de)(de)绝缘膜(mo)把铜板制成的(de)(de)(de)漏和源的(de)(de)(de)布(bu)(bu)线(xian)(xian)。
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