电脑主板mos管的作用-电脑主板mos管测量和判断方法-KIA MOS管
信息(xi)来源:本(ben)站 日期:2018-03-06
在笔(bi)记本主板上(shang)用(yong)到的NMOS可简单(dan)分作两大(da)类:
信(xin)号(hao)切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可(ke),实(shi)际上只要导(dao)通(tong)即可(ke),不必须饱和导(dao)通(tong)。比如常见(jian)的:2N7002,2N7002E,2N7002K,2N7002D,FDV301N。
电压(ya)通(tong)断用(yong)MOS管: UG比(bi)US应大(da)于10V以上,而且开通(tong)时必须工作在饱(bao)和导通(tong)状态。常见的有:1448,1428A,7406,7702,1660,6428L,6718L,4496,4712,6402A,3404,3456,1660,2662URH,R0392DPA,03B9DP。
PMOS管则和NMOS条(tiao)件(jian)刚好(hao)相反。
示例1:
NMOS管(guan):2N7002E
示例2:
NMOS管:7406
示例3:
PMOS管:425
隔离作用:
如(ru)果(guo)我们想实现线路上电流的单向流通,比如(ru)
方法1:加入一个二级管
方法(fa)2:加入(ru)MOS管
此处MOS管实现的(de)功能就是(shi):隔离作用(yong)。
所以,所谓(wei)的MOS管的隔(ge)离(li)作用,其实质也就是实现电路的单向导(dao)通,它就相当(dang)于一(yi)个(ge)二级管。
但在(zai)电路(lu)中我们(men)常用隔离MOS,是因为:
使用二级管,导(dao)(dao)通时(shi)(shi)会有压(ya)(ya)降,会损失一些(xie)电(dian)(dian)压(ya)(ya)。而使用MOS管做隔离,在正向导(dao)(dao)通时(shi)(shi),在控制极加合适的电(dian)(dian)压(ya)(ya),可(ke)以让(rang)MOS管饱(bao)和(he)导(dao)(dao)通,这样通过(guo)电(dian)(dian)流时(shi)(shi)几(ji)乎(hu)不产生(sheng)压(ya)(ya)降。
示例(li)1:
PMOS管:1413 作用:隔离
笔记本主(zhu)板上的隔离,其实质是(shi)将适配器(qi)电(dian)(dian)压(ya)(+19V)和电(dian)(dian)池电(dian)(dian)压(ya)(+12V左(zuo)右)分隔开来(lai)。不让它(ta)们直接相(xiang)通(tong)。但又(you)能在拔(ba)除任意一种电(dian)(dian)源时,保证(zheng)电(dian)(dian)脑都有持续的供电(dian)(dian),实现电(dian)(dian)源无缝切换。
笔记(ji)本电脑中(zhong)用到的隔离MOS管(guan)只有两个。
下面我(wo)们来分(fen)步(bu)讨论一(yi)下它的原理,为了方便(bian),隔离MOS管都用二级管代替表示。
问题(ti):为什么在不(bu)用(yong)适配器时,还要用(yong)Q1隔离12V呢(ni)?
一种(zhong)解释(shi)是:
人们在(zai)使用(yong)笔记本电(dian)(dian)(dian)脑时,经常(chang)会同时插上适配(pei)(pei)器和电(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)。如果遇到(dao)电(dian)(dian)(dian)网停电(dian)(dian)(dian),笔记本会自(zi)动切换到(dao)电(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)12V供电(dian)(dian)(dian)。这个(ge)时候适配(pei)(pei)器虽(sui)然不再(zai)供电(dian)(dian)(dian),但仍相(xiang)连在(zai)笔记本上。如果没有Q1隔离,12V电(dian)(dian)(dian)压会直接进入适配(pei)(pei)器内部的(de)输(shu)出电(dian)(dian)(dian)路,有可能(neng)烧(shao)毁适配(pei)(pei)器。
问题(ti):如(ru)果不用(yong)Q2隔(ge)离,同时插(cha)上适配器和电池会怎(zen)样?
现象(xiang)是: 大电流(liu)。
当然这只有在维修稳压(ya)电(dian)源上才可以看到:电(dian)流直接达到稳压(ya)电(dian)源的(de)最大值(zhi)6A以上,短路灯狂(kuang)闪。
不用Q2隔离,或者是Q2被击穿(chuan)短路时大(da)电流的原因
电(dian)(dian)池(chi)电(dian)(dian)压一(yi)般是在12V以(yi)下,我们(men)就(jiu)将其看(kan)作(zuo)(zuo)12V。19V电(dian)(dian)源呢(ni),我们(men)也可以(yi)当作(zuo)(zuo)一(yi)个(ge)(ge)大电(dian)(dian)池(chi),那么一(yi)个(ge)(ge)19V的(de)电(dian)(dian)池(chi)和一(yi)个(ge)(ge)12V的(de)电(dian)(dian)池(chi)如下相连,导线中电(dian)(dian)流会是多(duo)少呢(ni)?
经过两(liang)次等效,就相当于(yu)将一(yi)根导线两(liang)端接到(dao)7V电池的(de)两(liang)端。
导(dao)线(xian)的电(dian)阻(zu)极小,如果我们认为它是(shi)0.1欧姆。那么在导(dao)线(xian)中流过(guo)的电(dian)流会(hui)是(shi)70A
稳压电源的最大(da)电流(liu)一般是6A左右,所以会(hui)出(chu)现大(da)电流(liu)报警。
而正(zheng)常(chang)的电(dian)(dian)(dian)池(chi)充(chong)电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)是经(jing)过芯片(pian)精密控(kong)制(zhi)的,一(yi)般只比电(dian)(dian)(dian)池(chi)实(shi)际电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)高出(chu)一(yi)点点,以保证电(dian)(dian)(dian)流不会(hui)过大造成电(dian)(dian)(dian)池(chi)过分发热。
当(dang)Q2隔离(li)管击穿短路后,长时间的(de)超负(fu)荷工(gong)作,极(ji)有可能损坏适配器。
MOS管作用总结:
如果MOS管(guan)用作开关时,(不论N沟(gou)道还是P沟(gou)道),一定是寄生二(er)极(ji)管(guan)的负极(ji)接(jie)(jie)输入边,正(zheng)极(ji)接(jie)(jie)输出端或接(jie)(jie)地。否则就无法实现开关功(gong)能了。
所以,N沟道一(yi)定是D极(ji)(ji)接输入,S极(ji)(ji)接输出或地。
P沟道则相反(fan),一定(ding)是S极接输入(ru),D极接输出。
如果MOS管(guan)用作隔离时,(不(bu)论N沟道(dao)还(hai)是P沟道(dao)),寄(ji)生二极管(guan)的方向(xiang)(xiang)(xiang)一定是和(he)主板(ban)要实现的单向(xiang)(xiang)(xiang)导通方向(xiang)(xiang)(xiang)一致。
笔记本主(zhu)(zhu)板(ban)上用PMOS做隔(ge)离管的(de)(de)最常见,但(dan)也有极少的(de)(de)主(zhu)(zhu)板(ban)用NMOS来(lai)实现。
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