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什么是mos管

mos管(guan)(guan)是金属(shu)(metal)、氧化物(oxide)、半(ban)导体(ti)(semiconductor)场效应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)，或者称是金属(shu)—绝缘体(ti)(insulator)、半(ban)导体(ti)。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)source和drain是可以对调的(de)(de)(de)，他们都是在P型(xing)backgate中形(xing)成的(de)(de)(de)N型(xing)区(qu)。在多(duo)数情况下，这个两个区(qu)是一样的(de)(de)(de)，即(ji)使两端对调也不会(hui)影响器件的(de)(de)(de)性能。这样的(de)(de)(de)器件被认为(wei)是对称的(de)(de)(de)。

场效应管（FET），把输(shu)(shu)入(ru)电压的(de)(de)变化(hua)转化(hua)为(wei)输(shu)(shu)出电流的(de)(de)变化(hua)。FET的(de)(de)增益等于它(ta)的(de)(de)跨导， 定义为(wei)输(shu)(shu)出电流的(de)(de)变化(hua)和输(shu)(shu)入(ru)电压变化(hua)之(zhi)比。市面上(shang)常(chang)有的(de)(de)一般为(wei)N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(pian)（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常(chang)见(jian)的(de)(de)为(wei)低压mos管。

场(chang)效应管(guan)通过(guo)投影(ying)一个电(dian)场(chang)在一个绝缘层(ceng)上(shang)来(lai)影(ying)响流过(guo)晶体(ti)(ti)管(guan)的(de)电(dian)流。事实(shi)上(shang)没有电(dian)流流过(guo)这个绝缘体(ti)(ti)，所以FET管(guan)的(de)GATE电(dian)流非常小(xiao)。最(zui)普通的(de)FET用(yong)一薄(bo)层(ceng)二(er)氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)来(lai)作为(wei)GATE极下的(de)绝缘体(ti)(ti)。这种晶体(ti)(ti)管(guan)称为(wei)金(jin)属(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)(MOS)晶体(ti)(ti)管(guan)，或(huo),金(jin)属(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)场(chang)效应管(guan)（MOSFET）。因为(wei)MOS管(guan)更小(xiao)更省电(dian)，所以他们已经在很多应用(yong)场(chang)合取代了双(shuang)极型晶体(ti)(ti)管(guan)。

mos管基本结构与工作原理

mos管学名是(shi)场(chang)效应(ying)管，是(shi)金属-氧化物-半导体型场(chang)效应(ying)管，属于绝缘栅(zha)型。本文就结构(gou)构(gou)造、特点、实用电路(lu)等几个方面用工程师的话简(jian)单描述。其结构(gou)示意图：

MOS场(chang)效应(ying)三(san)极(ji)(ji)管分为(wei)：增强型（又有N沟道(dao)(dao)、P沟道(dao)(dao)之分）及耗尽型（分有N沟道(dao)(dao)、P沟道(dao)(dao)）。N沟道(dao)(dao)增强型MOSFET的(de)结构示(shi)意图(tu)和符号见上图(tu)。其中：电(dian)(dian)极(ji)(ji) D（Drain） 称为(wei)漏极(ji)(ji)，相当双极(ji)(ji)型三(san)极(ji)(ji)管的(de)集电(dian)(dian)极(ji)(ji)；

电极(ji) G（Gate） 称为栅极(ji)，相当于的基极(ji)；

电极 S（Source）称(cheng)为源极，相(xiang)当于发射极。

N沟道增强型MOS场效应管结构

在(zai)(zai)一(yi)(yi)块掺杂浓度较低的P型硅(gui)衬(chen)底上，制作(zuo)两(liang)个高(gao)掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出(chu)两(liang)个电(dian)(dian)极，分别作(zuo)漏极d和源极s。然后在(zai)(zai)半导体表面覆盖(gai)一(yi)(yi)层很(hen)薄(bo)的二(er)氧(yang)化硅(gui)(SiO2)绝(jue)缘(yuan)层，在(zai)(zai)漏——源极间(jian)(jian)的绝(jue)缘(yuan)层上再装上一(yi)(yi)个铝电(dian)(dian)极,作(zuo)为栅极g。衬(chen)底上也引出(chu)一(yi)(yi)个电(dian)(dian)极B，这就构成(cheng)了一(yi)(yi)个N沟道增强型MOS管(guan)。MOS管(guan)的源极和衬(chen)底通常(chang)是接在(zai)(zai)一(yi)(yi)起的(大多数管(guan)子在(zai)(zai)出(chu)厂前已(yi)连接好)。它的栅极与其(qi)它电(dian)(dian)极间(jian)(jian)是绝(jue)缘(yuan)的。

图(a)、(b)分别是(shi)它的结构示意图和代(dai)表符号。代(dai)表符号中的箭头(tou)方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增(zeng)强型(xing)MOS管(guan)的箭头(tou)方向与(yu)上述相(xiang)反，如图(c)所示。

N沟道增强型MOS场效应管的工作原理

（1）vGS对iD及(ji)沟(gou)道的控制作用(yong)

① vGS=0 的情况

从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极(ji)d和源(yuan)极(ji)s之间有两个(ge)(ge)背靠背的PN结(jie)。当(dang)栅——源(yuan)电压(ya)vGS=0时(shi)，即使加上(shang)漏——源(yuan)电压(ya)vDS，而(er)且(qie)不论vDS的极(ji)性如何，总有一个(ge)(ge)PN结(jie)处于反偏状态，漏——源(yuan)极(ji)间没有导电沟道，所以这时(shi)漏极(ji)电流(liu)iD≈0。

② vGS>0 的(de)情况

若vGS＞0，则(ze)栅极和衬(chen)(chen)底之间(jian)的SiO2绝缘层中便(bian)产生(sheng)一个电(dian)(dian)场(chang)(chang)。电(dian)(dian)场(chang)(chang)方(fang)向垂(chui)直于半导(dao)体表面的由栅极指(zhi)向衬(chen)(chen)底的电(dian)(dian)场(chang)(chang)。这个电(dian)(dian)场(chang)(chang)能排(pai)斥空穴而吸(xi)引电(dian)(dian)子。

排(pai)斥空穴(xue)：使栅极附(fu)近(jin)的(de)P型(xing)衬底(di)中(zhong)的(de)空穴(xue)被(bei)排(pai)斥，剩下不(bu)能移动的(de)受(shou)主离子(zi)(负离子(zi))，形成耗尽层。吸引电子(zi)：将 P型(xing)衬底(di)中(zhong)的(de)电子(zi)（少子(zi)）被(bei)吸引到衬底(di)表面(mian)。

（2）导电沟道(dao)的形成：

当(dang)vGS数值较(jiao)小，吸(xi)(xi)引电(dian)(dian)子的(de)(de)(de)能力不强时，漏——源极(ji)之间仍无导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)(gou)道(dao)出(chu)现，如图(tu)1(b)所示。vGS增(zeng)加时，吸(xi)(xi)引到(dao)P衬(chen)底表(biao)面(mian)层(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)子就(jiu)(jiu)增(zeng)多(duo)，当(dang)vGS达到(dao)某一(yi)数值时，这些(xie)电(dian)(dian)子在(zai)栅极(ji)附近的(de)(de)(de)P衬(chen)底表(biao)面(mian)便形(xing)(xing)成一(yi)个N型(xing)薄层(ceng)(ceng)，且与两个N+区相(xiang)连通，在(zai)漏——源极(ji)间形(xing)(xing)成N型(xing)导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)(gou)道(dao)，其(qi)导(dao)电(dian)(dian)类型(xing)与P衬(chen)底相(xiang)反(fan)，故又(you)称为反(fan)型(xing)层(ceng)(ceng)，如图(tu)1(c)所示。vGS越(yue)大(da)，作用于半导(dao)体表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)场就(jiu)(jiu)越(yue)强，吸(xi)(xi)引到(dao)P衬(chen)底表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)子就(jiu)(jiu)越(yue)多(duo)，导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)(gou)道(dao)越(yue)厚，沟(gou)(gou)道(dao)电(dian)(dian)阻越(yue)小。

开始(shi)形成沟道(dao)时的栅(zha)——源极电压称为(wei)开启电压，用VT表示。

上面(mian)讨(tao)论的(de)N沟道MOS管(guan)(guan)在(zai)(zai)vGS＜VT时(shi)，不能形(xing)成(cheng)导(dao)(dao)电沟道，管(guan)(guan)子处(chu)于截止(zhi)状态(tai)。只(zhi)有(you)当vGS≥VT时(shi)，才有(you)沟道形(xing)成(cheng)。这种必须在(zai)(zai)vGS≥VT时(shi)才能形(xing)成(cheng)导(dao)(dao)电沟道的(de)MOS管(guan)(guan)称为增(zeng)强型MOS管(guan)(guan)。沟道形(xing)成(cheng)以(yi)后(hou)，在(zai)(zai)漏——源极间加上正(zheng)向电压vDS，就有(you)漏极电流(liu)产生。

vDS对iD的影响

如图(a)所示(shi)，当vGS>VT且为一确定(ding)值时(shi)，漏——源电(dian)(dian)压(ya)vDS对导电(dian)(dian)沟道及(ji)电(dian)(dian)流iD的影响与结(jie)型场效应管相似。

漏极电流iD沿沟道产(chan)生的电压(ya)降使沟道内各点与栅极间(jian)的电压(ya)不再相等(deng)，靠(kao)近源极一端(duan)的电压(ya)最(zui)大，这里沟道最(zui)厚，而漏极一端(duan)电压(ya)最(zui)小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道最(zui)薄。但当vDS较(jiao)小（vDS

随(sui)着vDS的(de)增大(da)(da)，靠近漏(lou)极(ji)(ji)的(de)沟道越(yue)来越(yue)薄，当vDS增加(jia)(jia)到使VGD=vGS－vDS=VT(或(huo)vDS=vGS－VT)时(shi)，沟道在漏(lou)极(ji)(ji)一端(duan)出现预夹(jia)断(duan)，如(ru)图2(b)所(suo)示(shi)。再继续增大(da)(da)vDS，夹(jia)断(duan)点将向源(yuan)极(ji)(ji)方向移动，如(ru)图2(c)所(suo)示(shi)。由(you)(you)于vDS的(de)增加(jia)(jia)部分几乎(hu)(hu)全(quan)部降(jiang)落在夹(jia)断(duan)区(qu)，故iD几乎(hu)(hu)不随(sui)vDS增大(da)(da)而增加(jia)(jia)，管子进入饱和区(qu)，iD几乎(hu)(hu)仅由(you)(you)vGS决定。

N沟道耗尽型MOS场效应管的基本结构

（1）结构：

N沟道耗尽(jin)型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。

（2）区(qu)别：

耗尽(jin)型(xing)MOS管(guan)在(zai)vGS=0时，漏——源极间(jian)已有导电(dian)沟道产生，而增(zeng)强型(xing)MOS管(guan)要在(zai)vGS≥VT时才出现(xian)导电(dian)沟道。

（3）原因(yin)：

制造N沟道耗(hao)尽型MOS管时，在SiO2绝(jue)缘层中掺(chan)入了大量的(de)碱金属正(zheng)离子(zi)Na+或(huo)K+(制造P沟道耗(hao)尽型MOS管时掺(chan)入负离子(zi))，如图1(a)所(suo)示，因此即使vGS=0时，在这(zhei)些正(zheng)离子(zi)产生的(de)电(dian)场作用(yong)下，漏——源(yuan)极间的(de)P型衬底表面也能感(gan)应生成N沟道(称为初(chu)始沟道)，只(zhi)要(yao)加上正(zheng)向(xiang)电(dian)压vDS，就(jiu)有电(dian)流iD。

如(ru)果加上正的vGS，栅(zha)极与N沟道(dao)(dao)(dao)(dao)间(jian)的电(dian)(dian)场将(jiang)在沟道(dao)(dao)(dao)(dao)中(zhong)吸引来更多的电(dian)(dian)子(zi)，沟道(dao)(dao)(dao)(dao)加宽，沟道(dao)(dao)(dao)(dao)电(dian)(dian)阻变(bian)小，iD增(zeng)大(da)。反之vGS为负(fu)时，沟道(dao)(dao)(dao)(dao)中(zhong)感应(ying)的电(dian)(dian)子(zi)减(jian)少，沟道(dao)(dao)(dao)(dao)变(bian)窄，沟道(dao)(dao)(dao)(dao)电(dian)(dian)阻变(bian)大(da)，iD减(jian)小。当vGS负(fu)向增(zeng)加到某(mou)一数(shu)值时，导(dao)电(dian)(dian)沟道(dao)(dao)(dao)(dao)消失(shi)，iD趋于(yu)零，管子(zi)截止，故称为耗尽型。沟道(dao)(dao)(dao)(dao)消失(shi)时的栅(zha)－源电(dian)(dian)压称为夹断电(dian)(dian)压，仍用VP表示。与N沟道(dao)(dao)(dao)(dao)结型场效应(ying)管相同，N沟道(dao)(dao)(dao)(dao)耗尽型MOS管的夹断电(dian)(dian)压VP也(ye)为负(fu)值，但(dan)是，前者(zhe)只能在vGS<0的情(qing)况(kuang)下工作。而后(hou)者(zhe)在vGS=0，vGS>0。

P沟道耗尽型MOSFET

P沟道MOSFET的(de)(de)工(gong)作原(yuan)理与N沟道MOSFET完(wan)全相同(tong)(tong)，只不过导电的(de)(de)载流子不同(tong)(tong)，供(gong)电电压极(ji)性(xing)不同(tong)(tong)而已。这如同(tong)(tong)双极(ji)型(xing)三(san)极(ji)管有NPN型(xing)和PNP型(xing)一样。

MOS管的特性

上述MOS管(guan)的工(gong)作原理中(zhong)可以(yi)(yi)看出，MOS管(guan)的栅(zha)(zha)极G和(he)源极S之间(jian)是(shi)绝(jue)缘(yuan)的，由于SiO2绝(jue)缘(yuan)层的存在，在栅(zha)(zha)极G和(he)源极S之间(jian)等(deng)效是(shi)一个(ge)电(dian)(dian)(dian)容存在，电(dian)(dian)(dian)压VGS产生(sheng)电(dian)(dian)(dian)场从而导致源极-漏极电(dian)(dian)(dian)流的产生(sheng)。此时(shi)的栅(zha)(zha)极电(dian)(dian)(dian)压VGS决(jue)定了(le)漏极电(dian)(dian)(dian)流的大小，控(kong)制(zhi)栅(zha)(zha)极电(dian)(dian)(dian)压VGS的大小就可以(yi)(yi)控(kong)制(zhi)漏极电(dian)(dian)(dian)流ID的大小。这(zhei)就可以(yi)(yi)得出如(ru)下结论(lun)：

1） mos管(guan)是(shi)一个由改变电(dian)压(ya)来(lai)控制电(dian)流的器件(jian)(jian)，所以(yi)是(shi)电(dian)压(ya)器件(jian)(jian)。

2） mos管(guan)道输入(ru)特性(xing)为(wei)容性(xing)特性(xing)，所(suo)以输入(ru)阻(zu)抗(kang)极高。

mos管作用

1.可应用于放大(da)。由(you)于场效(xiao)应管(guan)放大(da)器(qi)的输入阻(zu)抗很高，因此耦合电(dian)容可以容量(liang)较小(xiao)，不必使用电(dian)解电(dian)容器(qi)。

2.很高的输入阻抗非(fei)常适(shi)合作阻抗变(bian)换(huan)。常用(yong)于多级放大(da)器的输入级作阻抗变(bian)换(huan)。

3.可以用(yong)作可变电(dian)阻。

4.可以方(fang)便地用作恒流源。

5.可以用作电(dian)子开关。

6.在(zai)(zai)电路设计上的灵活性(xing)大。栅偏压可(ke)正可(ke)负可(ke)零(ling)，三极管(guan)(guan)只能在(zai)(zai)正向偏置下工作(zuo)，电子管(guan)(guan)只能在(zai)(zai)负偏压下工作(zuo)。另外输入阻抗(kang)高，可(ke)以减轻信号(hao)源负载(zai)，易于(yu)跟前级匹配(pei)。

mos管发热原因分析

做电(dian)源设计(ji)，或者做驱动(dong)方面的(de)电(dian)路，难免要(yao)用(yong)(yong)(yong)到(dao)MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用(yong)(yong)(yong)。做电(dian)源或者驱动(dong)的(de)使(shi)用(yong)(yong)(yong)，当然就是用(yong)(yong)(yong)它的(de)开(kai)关作用(yong)(yong)(yong)。

无(wu)论N型(xing)或者P型(xing)MOS管(guan)(guan)，其工(gong)作原理本质是一样的。MOS管(guan)(guan)是由(you)加在输入端栅极(ji)的电(dian)(dian)压来(lai)控(kong)制输出端漏(lou)极(ji)的电(dian)(dian)流(liu)。MOS管(guan)(guan)是压控(kong)器(qi)件它通过(guo)加在栅极(ji)上(shang)的电(dian)(dian)压控(kong)制器(qi)件的特(te)性，不会(hui)发生像三极(ji)管(guan)(guan)做开(kai)关时(shi)的因基极(ji)电(dian)(dian)流(liu)引起的电(dian)(dian)荷存储效(xiao)应，因此在开(kai)关应用中，

MOS管的开关速度应该比(bi)三极管快(kuai)。其主要(yao)原理如图：

MOS管的(de)工作(zuo)原理(li)

在开(kai)(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)源(yuan)中常(chang)用(yong)MOS管(guan)的(de)漏(lou)(lou)极开(kai)(kai)路(lu)(lu)电(dian)(dian)路(lu)(lu)，如图2漏(lou)(lou)极原封不(bu)动地接(jie)负载，叫(jiao)开(kai)(kai)路(lu)(lu)漏(lou)(lou)极，开(kai)(kai)路(lu)(lu)漏(lou)(lou)极电(dian)(dian)路(lu)(lu)中不(bu)管(guan)负载接(jie)多高的(de)电(dian)(dian)压，都能够接(jie)通和关(guan)(guan)断负载电(dian)(dian)流。是理想的(de)模(mo)拟开(kai)(kai)关(guan)(guan)器(qi)件。这(zhei)就是MOS管(guan)做开(kai)(kai)关(guan)(guan)器(qi)件的(de)原理。当然MOS管(guan)做开(kai)(kai)关(guan)(guan)使用(yong)的(de)电(dian)(dian)路(lu)(lu)形式比(bi)较多了。

NMOS管的开(kai)路漏极电路

在开(kai)关(guan)电(dian)源应用方面，这(zhei)种应用需要MOS管(guan)定期导通和关(guan)断(duan)。比(bi)如，DC-DC电(dian)源中常(chang)(chang)(chang)用的基本(ben)降压转换器依赖(lai)两个(ge)MOS管(guan)来执(zhi)行开(kai)关(guan)功(gong)能(neng)，这(zhei)些开(kai)关(guan)交替(ti)在电(dian)感里存储能(neng)量，然后把能(neng)量释(shi)放(fang)给负载。我们(men)常(chang)(chang)(chang)选择(ze)数百kHz乃至1MHz以上的频(pin)率，因(yin)为频(pin)率越(yue)高，磁性元件可(ke)以更(geng)小(xiao)(xiao)更(geng)轻。在正常(chang)(chang)(chang)工(gong)作期间，MOS管(guan)只相当于(yu)一个(ge)导体。因(yin)此，我们(men)电(dian)路(lu)或者(zhe)电(dian)源设计人员最关(guan)心的是MOS的最小(xiao)(xiao)传导损耗。

我们经(jing)常看(kan)MOS管(guan)的(de)PDF参(can)数，MOS管(guan)制造商采用(yong)RDS(ON)参(can)数来定(ding)(ding)义导通阻抗(kang)，对(dui)(dui)开关应用(yong)来说(shuo)，RDS(ON)也是最(zui)重要的(de)器件特(te)性。数据手(shou)册(ce)定(ding)(ding)义RDS(ON)与栅(zha)极(ji)(或(huo)驱动)电压VGS以(yi)及流经(jing)开关的(de)电流有(you)关，但(dan)对(dui)(dui)于(yu)充分的(de)栅(zha)极(ji)驱动，RDS(ON)是一个相对(dui)(dui)静态参(can)数。一直处于(yu)导通的(de)MOS管(guan)很容易发(fa)热(re)。另外，慢慢升高(gao)的(de)结温(wen)也会(hui)导致RDS(ON)的(de)增加。MOS管(guan)数据手(shou)册(ce)规定(ding)(ding)了热(re)阻抗(kang)参(can)数，其定(ding)(ding)义为MOS管(guan)封装的(de)半导体结散热(re)能力。RθJC的(de)最(zui)简单(dan)的(de)定(ding)(ding)义是结到管(guan)壳的(de)热(re)阻抗(kang)。

其发热情(qing)况有：

1.电路设(she)计的(de)问题，就是(shi)让MOS管(guan)工作在(zai)线性的(de)工作状(zhuang)态，而不是(shi)在(zai)开(kai)关状(zhuang)态。这(zhei)(zhei)也是(shi)导(dao)致MOS管(guan)发(fa)热的(de)一个原(yuan)因(yin)。如(ru)果(guo)N-MOS做开(kai)关，G级电压(ya)要(yao)比电源高几V，才能完全导(dao)通，P-MOS则相(xiang)反。没(mei)有完全打开(kai)而压(ya)降(jiang)过大造成功(gong)率(lv)消耗(hao)，等效直(zhi)流阻抗比较大，压(ya)降(jiang)增(zeng)大，所以U*I也增(zeng)大，损耗(hao)就意味着(zhe)发(fa)热。这(zhei)(zhei)是(shi)设(she)计电路的(de)最(zui)忌(ji)讳的(de)错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致(zhi)频率提高，MOS管上(shang)的(de)损(sun)耗(hao)增大(da)了(le)，所以(yi)发热也(ye)加大(da)了(le)。

3.没有做好足够的散(san)热设(she)计(ji)，电流太高(gao)，MOS管标(biao)称的电流值，一般需要良(liang)好的散(san)热才(cai)能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散(san)热片。

4.MOS管(guan)的选型有误(wu)，对功率判断有误(wu)，MOS管(guan)内阻(zu)没(mei)有充分考(kao)虑，导致开关(guan)阻(zu)抗增大。

mos管三个极分别是什么及判定方法

mos管的三(san)个极(ji)(ji)分别是：G（栅极(ji)(ji)），D（漏极(ji)(ji)）s（源及(ji)），要求(qiu)栅极(ji)(ji)和源及(ji)之间电压大于某一特定值，漏极(ji)(ji)和源及(ji)才能(neng)导通。

1.判断(duan)栅(zha)极G

MOS驱(qu)动(dong)器主要起波形整形和加强(qiang)驱(qu)动(dong)的(de)作用：假如MOS管的(de)G信号波形不够(gou)陡峭，在(zai)点评切(qie)换阶段会造(zao)成大量电能损耗(hao)其副作用是降(jiang)低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏(huai)MOS管GS间(jian)存在(zai)一定电容，假如G信号驱(qu)动(dong)能力(li)不够(gou)，将严峻影响波形跳变的(de)时间(jian)。

将(jiang)G-S极短(duan)路，选择万用表(biao)(biao)的(de)R×1档(dang)，黑表(biao)(biao)笔接S极，红表(biao)(biao)笔接D极，阻(zu)值应为几欧(ou)至(zhi)十几欧(ou)。若发现某脚(jiao)与其(qi)字两(liang)脚(jiao)的(de)电阻(zu)均呈无限大，并(bing)且交(jiao)换表(biao)(biao)笔后仍为无限大，则证实此脚(jiao)为G极，由于它(ta)和(he)另外两(liang)个(ge)管(guan)脚(jiao)是绝缘(yuan)的(de)。

2.判断源极S、漏极D

将万(wan)用(yong)(yong)表(biao)拨(bo)至(zhi)R×1k档分别丈量三个管脚之间(jian)的(de)(de)(de)电阻(zu)。用(yong)(yong)交换表(biao)笔法(fa)测两次电阻(zu)，其中电阻(zu)值较低（一般为几(ji)千欧至(zhi)十(shi)几(ji)千欧）的(de)(de)(de)一次为正向电阻(zu)，此(ci)时黑表(biao)笔的(de)(de)(de)是S极，红表(biao)笔接D极。因为测试前(qian)提(ti)不同(tong)，测出的(de)(de)(de)RDS（on）值比手册中给(ji)出的(de)(de)(de)典(dian)型(xing)值要高一些(xie)。

3.丈量(liang)漏(lou)-源通态电阻(zu)RDS（on）

在(zai)(zai)源(yuan)-漏之间有(you)一个PN结(jie)，因此根据PN结(jie)正、反向(xiang)电阻存在(zai)(zai)差异(yi)，可识别(bie)S极与D极。例(li)如用500型万(wan)用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于(yu)0.58W（典型值）。

测试步骤(zhou)：

MOS管(guan)的检测主要是(shi)判断MOS管(guan)漏电(dian)、短路、断路、放(fang)大。

其(qi)步骤如下：

假如有阻值没被测MOS管有漏电(dian)现象(xiang)。

1、把连接栅极(ji)和(he)源极(ji)的电(dian)阻移开，万用表红(hong)黑笔(bi)不变(bian)，假如移开电(dian)阻后表针慢慢逐步退回到高(gao)阻或(huo)无限(xian)大(da)，则MOS管漏电(dian)，不变(bian)则完(wan)好

2、然后一根导线(xian)把MOS管(guan)的栅极和源极连接(jie)起来，假(jia)如(ru)指针立刻返回无(wu)限大，则MOS完(wan)好。

3、把红(hong)笔接(jie)到MOS的源极S上(shang)，黑(hei)笔接(jie)到MOS管的漏(lou)极上(shang)，好(hao)的表针(zhen)指示应该是无(wu)限大(da)。

4、用一只(zhi)100KΩ－200KΩ的(de)(de)电(dian)(dian)阻连在栅(zha)极和漏极上(shang)，然后(hou)把红(hong)笔接到(dao)(dao)MOS的(de)(de)源极S上(shang)，黑笔接到(dao)(dao)MOS管的(de)(de)漏极上(shang)，这(zhei)时表针指(zhi)示的(de)(de)值一般(ban)是(shi)(shi)0，这(zhei)时是(shi)(shi)下电(dian)(dian)荷通过这(zhei)个电(dian)(dian)阻对MOS管的(de)(de)栅(zha)极充电(dian)(dian)，产(chan)生(sheng)栅(zha)极电(dian)(dian)场，因为电(dian)(dian)场产(chan)生(sheng)导(dao)致导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道致使漏极和源极导(dao)通，故万(wan)用表指(zhi)针偏(pian)转(zhuan)(zhuan)，偏(pian)转(zhuan)(zhuan)的(de)(de)角度大，放电(dian)(dian)性越好。

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