一款(kuan)性能优(you)异的MOS管产(chan)品 可(ke)以(yi)应(ying)用(yong)到哪些(xie)地(di)方(fang)-KIA MOS管
信息来源:本站 日(ri)期:2020-04-17
MOS管(guan),是MOSFET的(de)缩写。MOSFET金(jin)属-氧化(hua)物半(ban)导(dao)体(ti)场效(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan),简(jian)称金(jin)氧半(ban)场效(xiao)晶体(ti)管(guan)。一般是金(jin)属(metal)—氧化(hua)物(oxide)—半(ban)导(dao)体(ti)(semiconductor)场效(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan),或者称是金(jin)属—绝缘体(ti)(insulator)—半(ban)导(dao)体(ti)。MOS管(guan)的(de)source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的(de),他们(men)都是在P型backgate中(zhong)形成的(de)N型区。
在多数情况下,这(zhei)个(ge)两个(ge)区是一样的,即使(shi)两端对调也不会影响器件的性能。这(zhei)样的器件被认为是对称的。
在电(dian)路设(she)计中,经常会使用(yong)(yong)到MOS管,如音(yin)响、家(jia)电(dian)、充(chong)电(dian)器、汽车电(dian)源等领域。除此之(zhi)外(wai),它(ta)还运(yun)用(yong)(yong)于大(da)(da)(da)多数的机械设(she)备,硬件(jian)工程师(shi)常常会接触(chu)到它(ta)。毫不疑(yi)问地(di)是,它(ta)已经广(guang)泛应用(yong)(yong)于生活的方方面面。为了让(rang)大(da)(da)(da)家(jia)更了解(jie)MOS管。今天,MOS管厂家(jia)给(ji)大(da)(da)(da)家(jia)分享一(yi)下(xia)关于MOS管的应用(yong)(yong)。
1、p型mos管应用
一(yi)般(ban)用(yong)于管(guan)理(li)(li)电(dian)(dian)源的(de)通断,属于无触点(dian)开关,栅(zha)(zha)极低电(dian)(dian)平就(jiu)完(wan)全(quan)(quan)导通,高电(dian)(dian)平就(jiu)完(wan)全(quan)(quan)截止。而且,栅(zha)(zha)极可(ke)以(yi)(yi)加高过电(dian)(dian)源的(de)电(dian)(dian)压,意(yi)味着可(ke)以(yi)(yi)用(yong)5v信号管(guan)理(li)(li)3v电(dian)(dian)源的(de)开关,这个原理(li)(li)也(ye)用(yong)于电(dian)(dian)平转换。
2、n型mos管应用。
一(yi)般用于管理某电(dian)(dian)路是(shi)否(fou)接地,属于无(wu)触(chu)点开关,栅(zha)极高(gao)电(dian)(dian)平(ping)(ping)就导通导致接地,低电(dian)(dian)平(ping)(ping)截止。当然栅(zha)极也(ye)可以(yi)用负电(dian)(dian)压截止。其(qi)高(gao)电(dian)(dian)平(ping)(ping)可以(yi)高(gao)过被控制部分的(de)(de)电(dian)(dian)源(yuan),因为栅(zha)极是(shi)隔离,所以(yi)也(ye)可以(yi)用5v信号(hao)控制3v系(xi)统的(de)(de)某处是(shi)否(fou)接地。
3、MOS管放(fang)大区应用(yong)
工作于放大(da)区,一般(ban)用来设计反馈(kui)(kui)电(dian)路,需(xu)要的专业知识比(bi)较多(duo),类(lei)似运(yun)(yun)放,难以(yi)进行细说。主(zhu)要需(xu)要了解常用做镜像电(dian)流(liu)源、电(dian)流(liu)反馈(kui)(kui)、电(dian)压反馈(kui)(kui)等。至于运(yun)(yun)放的集成应(ying)用,可以(yi)不(bu)用太多(duo)关注。这(zhei)一步厂(chang)家已经(jing)做好,看(kan)好datasheet,也就不(bu)用按mos管方式去考虑导通电(dian)阻和寄生(sheng)电(dian)容。
比如(ru),音响、家(jia)电(dian)、充电(dian)器、汽车电(dian)源(yuan)(yuan)。且(qie)现在(zai)的(de)(de)(de)高清、液晶(jing)(jing)、等离子电(dian)视机中(zhong)开关电(dian)源(yuan)(yuan)部分除(chu)了(le)采(cai)用了(le)PFC技术外,在(zai)元器件(jian)上的(de)(de)(de)开关管均采(cai)用性能(neng)优(you)异(yi)的(de)(de)(de)MOS管取代过(guo)去的(de)(de)(de)大功率晶(jing)(jing)体三极管,使整机的(de)(de)(de)效率、可靠性、故(gu)(gu)障(zhang)率均大幅的(de)(de)(de)下降(jiang)。由于MOS管和大功率晶(jing)(jing)体三极管在(zai)结构、特性有着(zhe)本质上的(de)(de)(de)区别,在(zai)应用上;驱(qu)动电(dian)路也比晶(jing)(jing)体三极管复(fu)杂,致(zhi)使维修(xiu)人员对电(dian)路、故(gu)(gu)障(zhang)的(de)(de)(de)分析略感困(kun)难。
应用(yong)MOS管(guan)(guan)前(qian),理解MOS管(guan)(guan)每个参数的(de)(de)具(ju)体(ti)意(yi)义(yi)后,再额(e)外注意(yi)一(yi)下管(guan)(guan)子(zi)本(ben)身的(de)(de)体(ti)二极管(guan)(guan),本(ben)身Vf=1.6V,导通后管(guan)(guan)子(zi)本(ben)身阻抗一(yi)般是mΩ级(ji);管(guan)(guan)子(zi)厂工作于以下三种状态:导通,截(jie)止和(he)可(ke)变电阻区(又有线性放大区的(de)(de)说法)。
1. 作电(dian)平转换(huan)用
电路设计时,不(bu)(bu)同的(de)(de)子系统(tong)之(zhi)间无可避(bi)免的(de)(de)需要(yao)(yao)数(shu)字信号传(chuan)递,不(bu)(bu)同的(de)(de)系统(tong)之(zhi)间或者(zhe)设备之(zhi)间,数(shu)字接口电平经常不(bu)(bu)一致,故需要(yao)(yao)用到电平转换(huan)电路,有专门集成(cheng)的(de)(de)IC实行电平转换(huan),从省成(cheng)本的(de)(de)角度来(lai)看也可以(yi)用MOS管(guan)或者(zhe)三极管(guan)搭建(jian),如下为MOS管(guan)搭建(jian):
需要(yao)注意电平(ping)的高低,外接电路(lu)电平(ping)是(shi)否(fou)确定,是(shi)否(fou)双向通信和通信速率等(deng)均影响(xiang)具体电路(lu)的细节考(kao)虑,上述只(zhi)是(shi)模(mo)型。
2. 作开关(guan)管用(yong)
作为电子开(kai)关控制电源的通断,一般正极用(yong)PMOS管(guan)(guan),负极用(yong)NMOS管(guan)(guan)控制;
3. 缓启(qi)动用
在有大(da)电容负(fu)载时,比如(ru)电解(jie)电容和大(da)功率设备(bei)电源(电机、马达等)需要对电源作缓启(qi)动(dong)设计,否则会(hui)有很大(da)的浪涌电流,电源电压跌落导(dao)致系(xi)统复(fu)位,反复(fu)重启(qi)等严重缺陷。
4. 防反接用(yong)
在电(dian)源接口设计(ji)时,有很(hen)多场合需要考虑反接的问题,没有相应的电(dian)路设计(ji)的话很(hen)容(rong)易将电(dian)路烧(shao)坏,造成损失(shi);
PMOS管常用(yong)在(zai)正极,NMOS管常用(yong)在(zai)负(fu)极;上面电路只是一个模(mo)型(xing),具(ju)体电路还需要增加相应的阻(zu)容器件调理。
5. 作逻辑转换用
信号(hao)除了电平高低的转换,很多时候需(xu)要电平逻辑高低转换,MOS管和(he)三极管都可以(yi)实现,下面是MOS管的方式;
MOS管在电路中还有很(hen)多(duo)其他用途(tu),暂(zan)时先介绍上面几种;尤其(qi)注意(yi)在(zai)大(da)功(gong)率电路设计中,务必理解各(ge)种(zhong)参(can)数(shu)的(de)实际(ji)意(yi)义和关联(lian)关系,以免造成(cheng)严重后果。
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