mos管的电路符号解析（图文并茂） 简单看明白电路符号

mos管(guan)的电路符号详解。MOS管(guan)是(shi)金(jin)属(metal)—氧化(hua)物(wu)(oxid)—半(ban)导体(ti)(semiconductor)场效应(ying)晶体(ti)管(guan)，或者称是(shi)金(jin)属—绝缘(yuan)体(ti)(insulator)—半(ban)导体(ti)。MOS管(guan)的source和drain是(shi)可(ke)以(yi)对(dui)调的，他们都是(shi)在P型backgate中形(xing)成的N型区。在多数情况下，这(zhei)(zhei)个(ge)两个(ge)区是(shi)一样的，即使两端对(dui)调也不会(hui)影响器件的性能。这(zhei)(zhei)样的器件被认为是(shi)对(dui)称的。

MOS管的电路符号

MOS管的(de)电路(lu)符号会有多种变化(hua)，电路(lu)中(zhong)最(zui)常见的(de)设计(ji)是以(yi)一(yi)条直线代(dai)(dai)表通(tong)(tong)(tong)道，两条和通(tong)(tong)(tong)道垂直的(de)线代(dai)(dai)表源极(ji)与漏极(ji)，左(zuo)方和通(tong)(tong)(tong)道平行而且较短的(de)线代(dai)(dai)表栅极(ji)，有时也(ye)会将代(dai)(dai)表通(tong)(tong)(tong)道的(de)直线以(yi)破(po)折线代(dai)(dai)替，主要用于区(qu)分增强型(xing)MOSFET或是耗尽型(xing)MOSFET。

集成电(dian)路芯(xin)片上的(de)(de)(de)MOS管为(wei)(wei)四端(duan)元件(jian)，除了栅(zha)极、源极、漏极外，尚有一(yi)基(ji)极。MOSFET电(dian)路符号中(zhong)，从(cong)通道(dao)(dao)(dao)往右(you)延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)箭(jian)号方向则可表(biao)示此(ci)元件(jian)为(wei)(wei)N型(xing)或是P型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET。箭(jian)头方向永(yong)远(yuan)从(cong)P端(duan)指(zhi)向N端(duan)，所以(yi)箭(jian)头从(cong)通道(dao)(dao)(dao)指(zhi)向基(ji)极端(duan)的(de)(de)(de)为(wei)(wei)P型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET，或简称PMOS（代(dai)表(biao)此(ci)元件(jian)的(de)(de)(de)通道(dao)(dao)(dao)为(wei)(wei)P型(xing)）；反之若(ruo)箭(jian)头从(cong)基(ji)极指(zhi)向通道(dao)(dao)(dao)，则代(dai)表(biao)基(ji)极为(wei)(wei)P型(xing)，而(er)通道(dao)(dao)(dao)为(wei)(wei)N型(xing)，此(ci)元件(jian)为(wei)(wei)N型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET，简称NMOS。在一(yi)般(ban)分布(bu)式MOSFET元件(jian)中(zhong)，通常把基(ji)极和源极接在一(yi)起(qi)，故分布(bu)式MOSFET通常为(wei)(wei)三端(duan)元件(jian)。而(er)在集成电(dian)路中(zhong)的(de)(de)(de)MOSFET通常因(yin)为(wei)(wei)使用同(tong)一(yi)个基(ji)极，所以(yi)不(bu)标示出基(ji)极的(de)(de)(de)极性，而(er)在PMOS的(de)(de)(de)栅(zha)极端(duan)多加一(yi)个圆圈以(yi)示区别。

MOS管和晶体管的应用区别及优势

MOS管是(shi)可以控制电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)元件(jian)，而(er)晶体(ti)管是(shi)电(dian)(dian)(dian)流控制元件(jian)。在(zai)只允许(xu)从信(xin)号(hao)(hao)源取(qu)较少电(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)情况下，应选用MOS管；而(er)在(zai)信(xin)号(hao)(hao)电(dian)(dian)(dian)压(ya)较低，又允许(xu)从信(xin)号(hao)(hao)源取(qu)较多(duo)电(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)条件(jian)下，应选用晶体(ti)管。

MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)主要利用(yong)多数(shu)(shu)载流(liu)(liu)子导电，所以(yi)称之为单极(ji)(ji)型器件，而晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)是(shi)即有多数(shu)(shu)载流(liu)(liu)子，也利用(yong)少(shao)数(shu)(shu)载流(liu)(liu)子导电，被称之为双极(ji)(ji)型器件。有些MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)的源极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)可(ke)以(yi)互换使(shi)用(yong)，栅压也可(ke)正可(ke)负，灵(ling)活性比(bi)晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)好。MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)能在(zai)很(hen)小电流(liu)(liu)和很(hen)低(di)电压的条件下工(gong)作，而且它的制造工(gong)艺(yi)可(ke)以(yi)很(hen)方便地把很(hen)多MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)集成在(zai)一块硅片上，因此MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)在(zai)大规模集成电路中(zhong)得到了广泛的应用(yong)。

场效应管电路图符号识图

场效应管(guan)电(dian)(dian)路图符号，在电(dian)(dian)路图中它常用

表示，关于(yu)它的(de)(de)构(gou)造原理(li)由(you)于(yu)比(bi)较抽象，由(you)于(yu)根据使(shi)用的(de)(de)场(chang)合要求(qiu)不同(tong)做(zuo)出(chu)来(lai)的(de)(de)种(zhong)类(lei)繁多(duo)，特性也都不尽相(xiang)同(tong);我们在mpn中(zhong)常用的(de)(de)一(yi)般是(shi)作为电源供电的(de)(de)电控(kong)之(zhi)开关使(shi)用，所(suo)以需要通过电流比(bi)较大，所(suo)以是(shi)使(shi)用的(de)(de)比(bi)较特殊的(de)(de)一(yi)种(zhong)制造方(fang)法做(zuo)出(chu)来(lai)了增强(qiang)型 的(de)(de)场(chang)效应管(MOS型)，它的(de)(de)电路图(tu)符号：

场效(xiao)应管(guan)电(dian)路图符号仔细看(kan)看(kan)你会发现(xian)，这(zhei)(zhei)两个(ge)(ge)图似乎有差别(bie)，对了，这(zhei)(zhei)实际上是(shi)两种(zhong)不同(tong)的增(zeng)强型场效(xiao)应管(guan)，第一个(ge)(ge)那个(ge)(ge)叫N沟道增(zeng)强型场效(xiao)应管(guan)，第二个(ge)(ge)那个(ge)(ge)叫P沟道增(zeng)强型场效(xiao)应管(guan)，它(ta)们的的作用是(shi)刚好相反(fan)的。前面说(shuo)过(guo)，场效(xiao)应管(guan)是(shi)用电(dian)控(kong)制的开关，那么我们就先讲一下怎么使(shi)用它(ta)来当开关的，从图中(zhong)我们可(ke)以看(kan)到它(ta)也像三极管(guan)一样(yang)有三个(ge)(ge)脚，这(zhei)(zhei)三个(ge)(ge)脚分别(bie)叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)，mpn中(zhong)的贴片元件示(shi)意图是(shi)这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)样(yang)子:

1脚(jiao)就(jiu)(jiu)是栅(zha)极(ji)(ji)，这个栅(zha)极(ji)(ji)就(jiu)(jiu)是控(kong)制极(ji)(ji)，在栅(zha)极(ji)(ji)加上(shang)电压和(he)不(bu)加上(shang)电压来控(kong)制2脚(jiao)和(he)3脚(jiao)的相通(tong)与不(bu)相通(tong)，N沟道(dao)(dao)的，在栅(zha)极(ji)(ji)加上(shang)电压2脚(jiao)和(he)3脚(jiao)就(jiu)(jiu)通(tong)电了，去掉电压就(jiu)(jiu)关断了，而P沟道(dao)(dao)的刚好(hao)相反，在栅(zha)极(ji)(ji)加上(shang)电压就(jiu)(jiu)关断(高电位)，去掉电压(低电位)就(jiu)(jiu)相通(tong)了!

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