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电(dian)子元件分析-MOS管(guan)击穿的(de)原因及解决方(fang)案解析-KIA MOS管(guan)

信息(xi)来(lai)源(yuan):本站 日期:2020-03-20 

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电子元件分析-MOS管击穿的原因及解决方案解析

MOS管被击穿的原因及解决方案如下:


第一(yi)、MOS管本身的(de)输(shu)(shu)入电(dian)(dian)(dian)阻(zu)很(hen)高(gao),而栅-源极(ji)间电(dian)(dian)(dian)容又非常小,所(suo)以极(ji)易受外界电(dian)(dian)(dian)磁(ci)场(chang)或静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)的(de)感(gan)应(ying)而带电(dian)(dian)(dian),而少量电(dian)(dian)(dian)荷就(jiu)可在极(ji)间电(dian)(dian)(dian)容上(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)相当高(gao)的(de)电(dian)(dian)(dian)压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输(shu)(shu)入端有抗(kang)静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)的(de)保护措施,但仍需(xu)小心(xin)对待,在存储和运(yun)输(shu)(shu)中最好(hao)用(yong)(yong)金属容器或者导电(dian)(dian)(dian)材(cai)料包装,不(bu)要(yao)放在易产生(sheng)静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)高(gao)压的(de)化(hua)工(gong)(gong)材(cai)料或化(hua)纤织物(wu)中。组装、调试时,工(gong)(gong)具、仪表、工(gong)(gong)作台等均应(ying)良好(hao)接(jie)地(di)。要(yao)防止(zhi)操作人员的(de)静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)干扰造(zao)成(cheng)(cheng)的(de)损坏,如不(bu)宜(yi)穿尼(ni)龙(long)、化(hua)纤衣服,手或工(gong)(gong)具在接(jie)触集成(cheng)(cheng)块前最好(hao)先(xian)接(jie)一(yi)下(xia)地(di)。对器件引线矫直弯曲或人工(gong)(gong)焊(han)接(jie)时,使用(yong)(yong)的(de)设(she)备必须(xu)良好(hao)接(jie)地(di)。


第(di)二、MOS电(dian)路(lu)输(shu)入(ru)(ru)(ru)端的保(bao)(bao)护二极(ji)管(guan)(guan),其(qi)导通时电(dian)流容限一(yi)般为1mA 在(zai)可能(neng)(neng)出(chu)现过大瞬(shun)态(tai)输(shu)入(ru)(ru)(ru)电(dian)流(超过10mA)时,应(ying)串接(jie)(jie)输(shu)入(ru)(ru)(ru)保(bao)(bao)护电(dian)阻(zu)(zu)。而129#在(zai)初期设计时没有(you)(you)加(jia)入(ru)(ru)(ru)保(bao)(bao)护电(dian)阻(zu)(zu),所以这(zhei)也是MOS管(guan)(guan)可能(neng)(neng)击(ji)穿的原(yuan)因(yin),而通过更换一(yi)个内部有(you)(you)保(bao)(bao)护电(dian)阻(zu)(zu)的MOS管(guan)(guan)应(ying)可防止此种失(shi)(shi)效(xiao)的发生。还有(you)(you)由于保(bao)(bao)护电(dian)路(lu)吸收的瞬(shun)间(jian)能(neng)(neng)量有(you)(you)限,太大的瞬(shun)间(jian)信号和(he)过高的静电(dian)电(dian)压(ya)将使(shi)保(bao)(bao)护电(dian)路(lu)失(shi)(shi)去作用(yong)。所以焊接(jie)(jie)时电(dian)烙(luo)铁必(bi)须可靠接(jie)(jie)地(di),以防漏电(dian)击(ji)穿器件输(shu)入(ru)(ru)(ru)端,一(yi)般使(shi)用(yong)时,可断(duan)电(dian)后利用(yong)电(dian)烙(luo)铁的余热(re)进行焊接(jie)(jie),并(bing)先焊其(qi)接(jie)(jie)地(di)管(guan)(guan)脚(jiao)。


静电的基本物理特征为:有吸引或排斥的力量;有电场存在,与大地有电位差;会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响:


1.元(yuan)件(jian)吸(xi)附灰(hui)尘,改变线路间的阻抗(kang),影响(xiang)元(yuan)件(jian)的功(gong)能(neng)和寿命。


2.因电场或(huo)电流破坏(huai)元件绝(jue)缘层和导体,使元件不(bu)能工(gong)作(完全破坏(huai))。


3.因瞬间的(de)电场软击穿或电流产生(sheng)过(guo)热(re),使元件受伤,虽然仍能工(gong)作,但(dan)是寿命受损。


上述这(zhei)三种情况中,如(ru)果元件完全破坏,必(bi)能在生产(chan)及品质测(ce)(ce)试中被(bei)察觉而排除(chu),影响较少(shao)。如(ru)果元件轻微受损(sun)(sun),在正(zheng)常(chang)测(ce)(ce)试中不易被(bei)发现,在这(zhei)种情形下,常(chang)会(hui)因经过多次加工,甚(shen)至已在使用时,才被(bei)发现破坏,不但检查不易,而且损(sun)(sun)失亦难以(yi)预测(ce)(ce)。静(jing)电(dian)对(dui)电(dian)子(zi)元件产(chan)生的危害(hai)不亚于严(yan)重(zhong)火灾和爆炸(zha)事故的损(sun)(sun)失。


电(dian)(dian)(dian)(dian)子元(yuan)件及产品在什(shen)么情(qing)况下会(hui)遭(zao)(zao)(zao)受(shou)静电(dian)(dian)(dian)(dian)破坏(huai)呢?可(ke)以这么说:电(dian)(dian)(dian)(dian)子产品从生(sheng)产到(dao)使用的(de)(de)(de)全过程(cheng)都遭(zao)(zao)(zao)受(shou)静电(dian)(dian)(dian)(dian)破坏(huai)的(de)(de)(de)威胁。从器件制造到(dao)插件装焊(han)、整机装联、包装运输直至产品应用,都在静电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)威胁之下。在整个电(dian)(dian)(dian)(dian)子产品生(sheng)产过程(cheng)中,每(mei)(mei)一(yi)个阶段中的(de)(de)(de)每(mei)(mei)一(yi)个小步骤,静电(dian)(dian)(dian)(dian)敏感元(yuan)件都可(ke)能遭(zao)(zao)(zao)受(shou)静电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)影(ying)响或受(shou)到(dao)破坏(huai),而(er)实(shi)际上最主要而(er)又容(rong)易疏忽的(de)(de)(de)一(yi)点(dian)却是在元(yuan)件的(de)(de)(de)传送(song)与运输的(de)(de)(de)过程(cheng)。


在这个过(guo)程(cheng)中,运输因移(yi)动(dong)容易暴露在外界电场(如经过(guo)高压设(she)备附近(jin)、工人移(yi)动(dong)频繁、车辆(liang)迅速移(yi)动(dong)等)产生(sheng)静电而受到破坏(huai),所以传送与运输过(guo)程(cheng)需要特别注意(yi),以减少损(sun)失,避免无所谓的纠纷。


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