mos管公式-分享MOS管公式驱动电流、饱和区电流等

mos管公式详解

mos管公式

mos管公式-MOS管驱动电流的估算

mos管公式驱动电流的估算第一种:

可以(yi)使用如下公式估算：

Ig=Qg/Ton

其中：

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on)：MOS导通延迟时(shi)间，从有(you)驶入电压上升到(dao)10%开始到(dao)VDS下降到(dao)其(qi)幅值90%的(de)时(shi)间。

Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降(jiang)到其幅值10%的时间

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在(zai)datasheet中找到(dao)）

mos管公式驱动电流的估算第二种:

密勒(le)效应(ying)时间（开(kai)关时间）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

Ig：MOS栅极驱动(dong)(dong)电流；Vb：稳态栅极驱动(dong)(dong)电压；

mos管公式驱动电流的估算第三种:

以IR的IRF640为例(li)，看DATASHEET里有(you)条Total Gate Charge曲(qu)线。该曲(qu)线先(xian)上升(sheng)然后(hou)几乎水平再上升(sheng)。水平那段是管子开通(tong)（密勒效应(ying)）假定你希(xi)望在0.2us内使管子开通(tong)，估计总时间(jian)（先(xian)上升(sheng)然后(hou)水平再上升(sheng)）为0.4us，由Qg=67nC和(he)0.4us可(ke)得：

67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰(feng)值(zhi)，仅在管(guan)子开(kai)通(tong)和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值(zhi)很小(xiao)，但如果(guo)驱动芯片(pian)不(bu)能输出(chu)这个峰(feng)值(zhi)，管(guan)子的开(kai)通(tong)就会(hui)变慢。

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mos管公式饱和区电流公式及其详解

mos管(guan)公式饱和区(qu)电(dian)流公式，在强(qiang)反(fan)型状态下饱和区(qu)中的(de)工(gong)作(zuo)(zuo)。小信号参数的(de)值因MOS晶体(ti)管(guan)的(de)工(gong)作(zuo)(zuo)区(qu)域(yu)而变化(hua)。假定MOS晶体(ti)管(guan)处于VGS比阈值电(dian)压VT高(gao)得多(duo)的(de)强(qiang)反(fan)型状态，而且工(gong)作(zuo)(zuo)在饱和区(qu)，求(qiu)这种(zhong)状况下的(de)小信号参数。

可将跨导gm表示如下：

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