MOS控制晶闸管是什么-MOS控制晶闸管工作原理和应用

MOS门控晶闸管是什么？

MOS控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)晶(jing)(jing)(jing)闸管由VAK Temple开发。它是一(yi)个(ge)电压控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)器，晶(jing)(jing)(jing)闸管是完全可控(kong)(kong)的(de)晶(jing)(jing)(jing)闸管。MOS控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)晶(jing)(jing)(jing)闸管的(de)操作与GTO晶(jing)(jing)(jing)闸管非(fei)常(chang)相似，但是它具有电压控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)绝缘的(de)栅极。它具有两个(ge)用于(yu)导(dao)通(tong)和关断的(de)MOSFET（金属氧化物半导(dao)体场效应晶(jing)(jing)(jing)体管），并且在等效电路中具有相反的(de)导(dao)电率。如果等效电路有一(yi)个(ge)晶(jing)(jing)(jing)闸管并用于(yu)接通(tong)，则称(cheng)为MOS门控(kong)(kong)晶(jing)(jing)(jing)闸管。

MOS控制(zhi)晶(jing)闸(zha)管是一种功率(lv)(lv)(lv)(lv)半导体器件(jian)。它具有通(tong)(tong)过MOS门控的(de)电流和晶(jing)闸(zha)管电压的(de)能(neng)力(li)，用于接通(tong)(tong)和关断目的(de)。它用于大(da)功率(lv)(lv)(lv)(lv)应用，例(li)如大(da)功率(lv)(lv)(lv)(lv)，大(da)频率(lv)(lv)(lv)(lv)，低传导性(xing)，并用于后(hou)续工艺。以下符号是如下所(suo)示的(de)P-MCT和N-MCT。

MOS控制晶闸管的工作原理

下图(tu)显示了MOS控制晶(jing)闸管的(de)工作原(yuan)理。它(ta)是通过(guo)MOS门控将电流和电压(ya)功能结合在一起的(de)。MOS门控用于MCT的(de)开关ON / OFF。

MOSFET接通时MCT

通过使用(yong)负(fu)电(dian)(dian)压脉(mai)冲，器件相对于(yu)(yu)阳(yang)极处(chu)于(yu)(yu)导(dao)(dao)通状态。借助于(yu)(yu)阳(yang)极和栅极端子(zi)之(zhi)间的电(dian)(dian)压脉(mai)冲，使栅极端子(zi)相对于(yu)(yu)阳(yang)极为负(fu)。因(yin)此，MOS控制晶闸(zha)管处(chu)于(yu)(yu)导(dao)(dao)通状态。在启动阶段，MOS控制晶闸(zha)管为正向偏置。如果将负(fu)电(dian)(dian)压施加到负(fu)电(dian)(dian)压脉(mai)冲，则导(dao)(dao)通模式FET导(dao)(dao)通，并且(qie)截止FET模式已经(jing)存在为截止状态。

MOSFET接通MCT

当FET处于导通(tong)状(zhuang)态时，电(dian)流从阳(yang)极(ji)(ji)流经导通(tong)FET，然(ran)后流经基极(ji)(ji)电(dian)流和发射极(ji)(ji)端子的(de)(de)npn晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)，最后电(dian)流流经阴极(ji)(ji)。因(yin)此，该过程使(shi)npn晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)导通(tong)。如果(guo)OFF FET为OFF模式，则NPN晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)用作PNP晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)基极(ji)(ji)电(dian)流。类似地，如果(guo)两个晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)均处于导通(tong)状(zhuang)态并且发生相关(guan)动(dong)作，则PNP晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)导通(tong)，因(yin)此MCT导通(tong)。

MOSFET关断时MCT

借助(zhu)正电(dian)(dian)压(ya)脉冲关(guan)闭设备。相对于阳极(ji)(ji)施加(jia)到栅极(ji)(ji)端子(zi)。然后，OFF FET切换到ON模式，而(er)ON FET切换到OFF状态。如果OFF FET导通，则pnp晶体管会(hui)因发射(she)极(ji)(ji)端子(zi)和基极(ji)(ji)端子(zi)短(duan)路。因此，阳极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)流(liu)过(guo)OFF FET。因此，NPN晶体管的(de)基极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)减小。反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)压(ya)阻断能力是该设备的(de)缺点。

等效电路图

下图(tu)显(xian)示(shi)了MOS控制(zhi)晶闸管的等(deng)效电(dian)路图(tu)。该(gai)电(dian)路由(you)两个(ge)N沟道(dao)(dao)MOSFET晶体(ti)(ti)(ti)管组成，另一个(ge)是(shi)P沟道(dao)(dao)。P通道(dao)(dao)用(yong)于打开(kai)FET，n通道(dao)(dao)用(yong)于关闭(bi)OFF FET。该(gai)电(dian)路由(you)两个(ge)晶体(ti)(ti)(ti)管组成，分(fen)别是(shi)npn和pnp晶体(ti)(ti)(ti)管。如(ru)果(guo)将这两个(ge)晶体(ti)(ti)(ti)管连(lian)接(jie)在(zai)一起以形(xing)成MOS控制(zhi)晶闸管的npnp结构。p沟道(dao)(dao)MOSFET由(you)从(cong)栅(zha)极端子连(lian)接(jie)的箭(jian)头标识。

MOS控制晶闸管(guan)的等(deng)效电路图

MOS控制晶闸管的应用

MOS控制(zhi)晶闸管的应用包括以下内容：

1、MOS控制晶闸管用(yong)于断路器

2、 它用于高(gao)功率(lv)应用，例如高(gao)功率(lv)转换

3、 MOS控(kong)制晶(jing)闸管(guan)用于感(gan)应加热

UPS系统

1、它(ta)也用于DC-DC转换(huan)器之(zhi)类(lei)的转换(huan)器中

2、可变功率(lv)因数，操作在MCT中(zhong)用作强制功率(lv)开关(guan)

MCT的优势

1、MOS控制晶闸管的正向导通压降低。

2、 它具有低开关损耗

3、它具有较高的栅极(ji)输入阻抗

4、它可以非常(chang)快速(su)地打开/关闭

联系方式(shi)：邹先(xian)生(sheng)

联系电话：0755-83888366-8022

手机(ji)：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市(shi)福田区(qu)车公庙天安(an)数码(ma)城天吉大厦CD座5C1

请搜微(wei)信公(gong)众(zhong)号(hao):“KIA半(ban)导体”或扫一扫下图(tu)“关注”官(guan)方(fang)微(wei)信公(gong)众(zhong)号(hao)

请“关(guan)注”官方微信(xin)公众号:提(ti)供 MOS管 技术帮助(zhu)