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mos管(guan)的应(ying)用领(ling)域-mos管(guan)在各个领(ling)域的应(ying)用及应(ying)用方案大全-KIA MOS管(guan)

信息(xi)来源：本站　日期：2018-10-06　

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mos管的应用领域

mos管(guan)是电场(chang)效(xiao)应控制电流大小(xiao)的单(dan)(dan)极型(xing)半导体器(qi)件。在其(qi)输入端基本不取(qu)电流或(huo)电流极小(xiao)，具(ju)有输入阻(zu)抗高(gao)、噪声低、热稳(wen)定性(xing)好(hao)、制造工艺(yi)简单(dan)(dan)等特点，在大规模(mo)和超大规模(mo)集成电路中被应用(yong)。

场效(xiao)应(ying)器(qi)件凭借其低功耗、性能(neng)稳定、抗辐(fu)射能(neng)力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三(san)极管的(de)趋势。但它还是非常娇贵(gui)的(de)，虽然多(duo)数(shu)已经内置(zhi)了保护二极管，但稍不(bu)注意，也会损坏(huai)。所以在应(ying)用中还是小心为妙。

mos管与三极管的各自应用特点

1. MOS管的源极s、栅极g、漏极d分(fen)别对应于三极管的发射(she)极e、基极b、集电(dian)极c，它们(men)的作(zuo)用相似(si)。

2. MOS管是电(dian)压控(kong)制(zhi)(zhi)电(dian)流器件，由(you)(you)vGS控(kong)制(zhi)(zhi)iD，其(qi)放大(da)系数gm一般较小，因(yin)此场(chang)效应管的放大(da)能力较差；三极管是电(dian)流控(kong)制(zhi)(zhi)电(dian)流器件，由(you)(you)iB（或iE）控(kong)制(zhi)(zhi)iC。

3. MOS管(guan)栅极(ji)(ji)几乎不取(qu)电流(liu)（ig?0）；而(er)三极(ji)(ji)管(guan)工作时基极(ji)(ji)总(zong)要吸(xi)取(qu)一定的(de)电流(liu)。因(yin)此场(chang)效应管(guan)的(de)输入(ru)(ru)电阻(zu)比三极(ji)(ji)管(guan)的(de)输入(ru)(ru)电阻(zu)高。

4. MOS管只有多子(zi)(zi)参与(yu)导电；三极管有多子(zi)(zi)和(he)少(shao)子(zi)(zi)两种载流子(zi)(zi)参与(yu)导电，而(er)少(shao)子(zi)(zi)浓度(du)受温(wen)(wen)度(du)、辐射等因素影(ying)响较大，因而(er)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管比晶体管的(de)温(wen)(wen)度(du)稳定性(xing)好(hao)、抗辐射能力强。在环境条件（温(wen)(wen)度(du)等）变化很大的(de)情(qing)况下(xia)应(ying)选用场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管。

5. MOS管在(zai)源极(ji)水与(yu)(yu)衬底连在(zai)一起时，源极(ji)和(he)漏(lou)极(ji)可(ke)以互(hu)换(huan)使用(yong)，且特性变化不大；而三极(ji)管的集电极(ji)与(yu)(yu)发射极(ji)互(hu)换(huan)使用(yong)时，其特性差异很大，b值将减小很多。

6. MOS管的噪(zao)(zao)声(sheng)系数很小，在(zai)低噪(zao)(zao)声(sheng)放(fang)大(da)电路(lu)的输入级及要(yao)求(qiu)信噪(zao)(zao)比较高的电路(lu)中要(yao)选用场(chang)效应(ying)管。

7. MOS管(guan)和(he)(he)三极管(guan)均可组成(cheng)各种放大电(dian)路和(he)(he)开路电(dian)路，但由于前者制造工(gong)艺(yi)简单(dan)，且具有(you)耗电(dian)少，热稳(wen)定性好，工(gong)作电(dian)源电(dian)压(ya)范围宽等优点(dian)，因而(er)被(bei)广泛用于大规(gui)模和(he)(he)超大规(gui)模集(ji)成(cheng)电(dian)路中。

8.三极管导通电阻大，MOS管导通电阻小(xiao)，只有几(ji)百毫(hao)欧姆，在(zai)现在(zai)的用电器(qi)件上，一般(ban)都用MOS管做(zuo)开关来用，他的效率是(shi)比较高的。