盘点MOS管检测好坏的五大应用方法分析

盘点MOS管检(jian)测(ce)好坏(huai)的(de)五大应用方法，MOS管是(shi)金(jin)(jin)属—氧化物-半(ban)导体场效应晶(jing)体管，或者称(cheng)是(shi)金(jin)(jin)属—绝缘体—半(ban)导体。MOS管的(de)source和(he)drain是(shi)可(ke)以对调的(de)，他(ta)们都是(shi)在P型backgate中形成的(de)N型区。在多(duo)数(shu)情况下，这(zhei)个两个区是(shi)一样(yang)的(de)，即使两端(duan)对调也不会影响(xiang)器件(jian)(jian)的(de)性能。这(zhei)样(yang)的(de)器件(jian)(jian)被认(ren)为(wei)是(shi)对称(cheng)的(de)。双极型晶(jing)体管把输入端(duan)电流的(de)微小变(bian)化放大后，在输出端(duan)输出一个大的(de)电流变(bian)化。

双(shuang)极型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)的增益就定(ding)义(yi)为输(shu)出(chu)输(shu)入(ru)(ru)电(dian)(dian)流(liu)之比(beta)。另(ling)一种晶(jing)体(ti)管(guan)，叫做场效应管(guan)(FET)，把输(shu)入(ru)(ru)电(dian)(dian)压的变化(hua)转化(hua)为输(shu)出(chu)电(dian)(dian)流(liu)的变化(hua)。FET的增益等于(yu)它的transconductance，定(ding)义(yi)为输(shu)出(chu)电(dian)(dian)流(liu)的变化(hua)和输(shu)入(ru)(ru)电(dian)(dian)压变化(hua)之比。

1、用测电阻(zu)法判(pan)(pan)别结(jie)(jie)(jie)型场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)电极：根据场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)PN结(jie)(jie)(jie)正(zheng)、反向电阻(zu)值不一样的(de)现象(xiang)，可以(yi)判(pan)(pan)别出(chu)结(jie)(jie)(jie)型场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)三个电极。

具体方法：将万用表(biao)(biao)拨在R×1k档(dang)上，任选(xuan)两个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，分(fen)别(bie)测(ce)出其(qi)正(zheng)、反(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值。当某两个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)正(zheng)、反(fan)向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值相等，且(qie)为(wei)(wei)几千欧姆时，则该两个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)别(bie)是漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和(he)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。因为(wei)(wei)对结(jie)型(xing)场(chang)效应管(guan)而言，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可互(hu)换，剩下的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)肯定是栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G。也可以将万用表(biao)(biao)的(de)黑表(biao)(biao)笔(红表(biao)(biao)笔也行)任意(yi)接(jie)触一个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，另(ling)一只表(biao)(biao)笔依次去接(jie)触其(qi)余的(de)两个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，测(ce)其(qi)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值。

当出(chu)(chu)现(xian)两(liang)次(ci)测(ce)得的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)近(jin)似相(xiang)等时(shi)，则(ze)黑表(biao)笔(bi)所接触(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)为(wei)(wei)栅极(ji)(ji)，其(qi)余两(liang)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)分别为(wei)(wei)漏(lou)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)。若(ruo)两(liang)次(ci)测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)均很大，说(shuo)明是PN结(jie)的(de)(de)(de)反向(xiang)，即(ji)都是反向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，可以(yi)判定是N沟道场效应管，且黑表(biao)笔(bi)接的(de)(de)(de)是栅极(ji)(ji);若(ruo)两(liang)次(ci)测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)均很小，说(shuo)明是正向(xiang)PN结(jie)，即(ji)是正向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，判定为(wei)(wei)P沟道场效应管，黑表(biao)笔(bi)接的(de)(de)(de)也是栅极(ji)(ji)。若(ruo)不出(chu)(chu)现(xian)上述情(qing)况，可以(yi)调换黑、红表(biao)笔(bi)按上述方法进行测(ce)试(shi)，直到(dao)判别出(chu)(chu)栅极(ji)(ji)为(wei)(wei)止(zhi)。

2、用测(ce)电(dian)阻法判别场效应管的好坏：测(ce)电(dian)阻法检测(ce)MOS管是用万用表测(ce)量场效应管的源极与(yu)漏极、栅(zha)极与(yu)源极、栅(zha)极与(yu)漏极、栅(zha)极G1与(yu)栅(zha)极G2之间的电(dian)阻值同场效应管手册(ce)标明的电阻值是否(fou)相符(fu)去判别(bie)管的好坏。

具体方法：首先将万(wan)用表(biao)置(zhi)于R×10或R×100档，测(ce)量源(yuan)极(ji)(ji)S与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)D之间的电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，通常在(zai)(zai)几十欧到几千(qian)欧范(fan)围(在(zai)(zai)手(shou)册中可(ke)知，各种不(bu)(bu)同型号的管，其电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是各不(bu)(bu)相同的)，如果测(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)大于正常值(zhi)(zhi)(zhi)，可(ke)能是由于内(nei)(nei)部接触不(bu)(bu)良;如果测(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是无穷大，可(ke)能是内(nei)(nei)部断极(ji)(ji)。然(ran)后把万(wan)用表(biao)置(zhi)于R×10k档，再测(ce)栅(zha)极(ji)(ji)G1与(yu)G2之间、栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)之间的电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)，当测(ce)得(de)其各项电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)均为(wei)无穷大，则说明(ming)(ming)管是正常的;若(ruo)测(ce)得(de)上述(shu)各阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)太小或为(wei)通路，则说明(ming)(ming)管是坏的。要注意，若(ruo)两个栅(zha)极(ji)(ji)在(zai)(zai)管内(nei)(nei)断极(ji)(ji)，可(ke)用元件代换法进行检(jian)测(ce)。

3、用(yong)(yong)(yong)感应(ying)(ying)信(xin)号输(shu)人(ren)法估测场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)能(neng)力：具体方法：用(yong)(yong)(yong)万用(yong)(yong)(yong)表电(dian)(dian)阻的(de)(de)R×100档，红表笔(bi)接源(yuan)极(ji)S，黑表笔(bi)接漏(lou)极(ji)D，给场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)加(jia)(jia)上(shang)1.5V的(de)(de)电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)，此(ci)时表针(zhen)指示出的(de)(de)漏(lou)源(yuan)极(ji)间的(de)(de)电(dian)(dian)阻值。然后用(yong)(yong)(yong)手捏(nie)住结型场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)栅极(ji)G，将人(ren)体的(de)(de)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)压(ya)信(xin)号加(jia)(jia)到(dao)栅极(ji)上(shang)。这样，由于管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)作用(yong)(yong)(yong)，漏(lou)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)VDS和漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)流Ib都要发生变化，也就(jiu)是(shi)漏(lou)源(yuan)极(ji)间电(dian)(dian)阻发生了变化，由此(ci)可(ke)以(yi)观(guan)察到(dao)表针(zhen)有较大(da)幅度的(de)(de)摆动(dong)。如果手捏(nie)栅极(ji)表针(zhen)摆动(dong)较小，说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)能(neng)力较差;表针(zhen)摆动(dong)较大(da)，表明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)能(neng)力大(da);若表针(zhen)不动(dong)，说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)是(shi)坏的(de)(de)。

根据上述方(fang)法(fa)，我们用(yong)万用(yong)表的(de)R×100档，测结(jie)型场效应管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用(yong)手捏住G极后，表针向左摆动，指示的(de)电阻RDS为12kΩ，表针摆动的(de)幅(fu)度较大(da)，说明该(gai)管(guan)是好的(de)，并(bing)有较大(da)的(de)放(fang)大(da)能力。

4、用测(ce)(ce)(ce)(ce)电阻(zu)法判别无标(biao)志的(de)场效应管(guan)：首先用测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)电阻(zu)的(de)方(fang)法检测(ce)(ce)(ce)(ce)MOS管(guan)得找出两(liang)个有(you)电阻(zu)值的(de)管(guan)脚，也(ye)就(jiu)是源(yuan)(yuan)极(ji)S和(he)漏(lou)极(ji)D，余下两(liang)个脚为第一栅极(ji)G1和(he)第二栅极(ji)G2。把(ba)先用两(liang)表(biao)(biao)(biao)笔测(ce)(ce)(ce)(ce)的(de)源(yuan)(yuan)极(ji)S与漏(lou)极(ji)D之间的(de)电阻(zu)值记(ji)下来，对调(diao)表(biao)(biao)(biao)笔再测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)一次，把(ba)其测(ce)(ce)(ce)(ce)得电阻(zu)值记(ji)下来，两(liang)次测(ce)(ce)(ce)(ce)得阻(zu)值较大的(de)一次，黑表(biao)(biao)(biao)笔所接的(de)电极(ji)为漏(lou)极(ji)D;红表(biao)(biao)(biao)笔所接的(de)为源(yuan)(yuan)极(ji)S。

用这种方法(fa)(fa)判别出来的(de)S、D极，还可以用估测(ce)(ce)其(qi)管(guan)的(de)放大(da)能力的(de)方法(fa)(fa)进(jin)行验证(zheng)，即放大(da)能力大(da)的(de)黑表(biao)笔所(suo)(suo)接(jie)的(de)是D极;红(hong)表(biao)笔所(suo)(suo)接(jie)地是8极，两种方法(fa)(fa)检(jian)测(ce)(ce)结果均应(ying)一(yi)样。当确(que)定了(le)漏(lou)极D、源(yuan)极S的(de)位置(zhi)后，按D、S的(de)对应(ying)位置(zhi)装人电路(lu)，一(yi)般G1、G2也(ye)会依次对准位置(zhi)，这就确(que)定了(le)两个(ge)栅极G1、G2的(de)位置(zhi)，从(cong)而(er)就确(que)定了(le)D、S、G1、G2管(guan)脚的(de)顺(shun)序(xu)。

5、用测反向(xiang)电阻(zu)值的(de)(de)(de)变化(hua)判断跨(kua)导的(de)(de)(de)大小：对VMOS管(guan)N沟(gou)道增强型场(chang)效(xiao)应管(guan)测量跨(kua)导性能时，可用红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S、黑表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)漏极(ji)(ji)(ji)D，这就相(xiang)当于(yu)在源(yuan)、漏极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间加了一(yi)个反向(xiang)电压。此(ci)时栅极(ji)(ji)(ji)是开路的(de)(de)(de)，管(guan)的(de)(de)(de)反向(xiang)电阻(zu)值是很不稳定的(de)(de)(de)。将万用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)欧(ou)姆档(dang)选在R×10kΩ的(de)(de)(de)高(gao)阻(zu)档(dang)，此(ci)时表(biao)(biao)内电压较高(gao)。当用手接(jie)触栅极(ji)(ji)(ji)G时，会发现管(guan)的(de)(de)(de)反向(xiang)电阻(zu)值有明(ming)显地变化(hua)，其(qi)变化(hua)越大，说明(ming)管(guan)的(de)(de)(de)跨(kua)导值越高(gao);如果被测管(guan)的(de)(de)(de)跨(kua)导很小，用此(ci)法测时，反向(xiang)阻(zu)值变化(hua)不大。

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