MOS管(guan)350V KIA6035A N沟(gou)道(dao)MOS管(guan)规格书 封装 免费(fei)送(song)样-KIA MOS管(guan)
信(xin)息(xi)来源：本站 日期：2019-12-17
这(zhei)款(kuan)功(gong)率MOSFET是(shi)使用KIA半导体先(xian)进的平(ping)面条纹DMOS技(ji)(ji)术(shu)(shu)制(zhi)作的。这(zhei)个(ge)先(xian)进的技(ji)(ji)术(shu)(shu)是(shi)为电阻最小转态而特别定制(zhi)的，提供优越的开(kai)关性能，它能承受(shou)雪崩(beng)和交流(liu)模式下的高(gao)能脉冲(chong)。这(zhei)款(kuan)设备非常适(shi)合于高(gao)效率的开(kai)关电源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功(gong)率因(yin)数校正基于半桥拓扑(pu)。
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低(di)栅极(ji)充电（典(dian)型(xing)15nC）
耐(nai)用(yong)性高
快(kuai)速切换能力(li)
指定雪(xue)崩(beng)能量
改进的dv/dt能力
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