开关电源 MOS管损耗

MOS管开关电源损耗

开(kai)关(guan)(guan)(guan)模式电(dian)(dian)源(yuan)（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交(jiao)换(huan)式电(dian)(dian)源(yuan)、开(kai)关(guan)(guan)(guan)变换(huan)器，是一(yi)种高频化电(dian)(dian)能转(zhuan)换(huan)装置，是电(dian)(dian)源(yuan)供应器的(de)一(yi)种。其功能是将一(yi)个位准的(de)电(dian)(dian)压，透过不同形(xing)式的(de)架构转(zhuan)换(huan)为用户端(duan)所需求的(de)电(dian)(dian)压或电(dian)(dian)流。开(kai)关(guan)(guan)(guan)电(dian)(dian)源(yuan)的(de)输入(ru)多半(ban)是交(jiao)流电(dian)(dian)源(yuan)（例如(ru)市电(dian)(dian)）或是直流电(dian)(dian)源(yuan)，而输出多半(ban)是需要(yao)直流电(dian)(dian)源(yuan)的(de)设备，例如(ru)个人(ren)电(dian)(dian)脑，而开(kai)关(guan)(guan)(guan)电(dian)(dian)源(yuan)就(jiu)进行两者之间电(dian)(dian)压及电(dian)(dian)流的(de)转(zhuan)换(huan)。

开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)包(bao)括导通(tong)(tong)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)和(he)截(jie)止损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。导通(tong)(tong)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)指(zhi)功率管(guan)从(cong)截(jie)止到(dao)导通(tong)(tong)时(shi),所(suo)产生的(de)功率损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。截(jie)止损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)指(zhi)功率管(guan)从(cong)导通(tong)(tong)到(dao)截(jie)止时(shi),所(suo)产生的(de)功率损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)（Switching-Loss）包(bao)括开(kai)(kai)(kai)通(tong)(tong)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)（Turn-on Loss）和(he)关(guan)(guan)(guan)断(duan)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)(Turn-of Loss)，常常在硬开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)（Hard-Switching）和(he)软开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)（Soft-Switching）中(zhong)讨(tao)论。所(suo)谓开(kai)(kai)(kai)通(tong)(tong)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)（Turn-on Loss），是(shi)(shi)指(zhi)非理(li)想(xiang)的(de)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)管(guan)在开(kai)(kai)(kai)通(tong)(tong)时(shi)，开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)管(guan)的(de)电(dian)压不(bu)是(shi)(shi)立(li)即(ji)下降到(dao)零，而是(shi)(shi)有一(yi)(yi)个下降时(shi)间，同(tong)时(shi)它的(de)电(dian)流也不(bu)是(shi)(shi)立(li)即(ji)上升(sheng)到(dao)负载电(dian)流，也有一(yi)(yi)个上升(sheng)时(shi)间。在这(zhei)段(duan)时(shi)间内，开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)管(guan)的(de)电(dian)流和(he)电(dian)压有一(yi)(yi)个交叠区，会产生损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)，这(zhei)个损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)即(ji)为开(kai)(kai)(kai)通(tong)(tong)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。以此类(lei)比，可以得出关(guan)(guan)(guan)断(duan)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)产生的(de)原因，这(zhei)里(li)不(bu)再赘述。开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)另一(yi)(yi)个意思是(shi)(shi)指(zhi)在开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)电(dian)源中(zhong)，对(dui)大的(de)MOS管(guan)进行(xing)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)(guan)操作时(shi)，需要对(dui)寄生电(dian)容充放电(dian)，这(zhei)样(yang)也会引起损(sun)(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。

MOS设计选型的几个基本原则

1 电压应力

在电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)路应用中，往往首先考(kao)虑漏(lou)源(yuan)电(dian)(dian)压 VDS 的选择。在此上的基本原则为(wei) MOSFET 实际工作环境中的最大(da)峰值(zhi)漏(lou)源(yuan)极间(jian)的电(dian)(dian)压不大(da)于(yu)器件规格书中标称漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电(dian)(dian)压的 90% 。即：

VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS

注：一般地， V(BR)DSS 具(ju)有(you)正(zheng)温度(du)系数。故(gu)应取设备最低工作温度(du)条件下之 V(BR)DSS值(zhi)作为(wei)参考。

2 漏极电流

其次考虑漏(lou)极(ji)电(dian)流(liu)(liu)的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环(huan)境中的最(zui)大(da)周(zhou)期漏(lou)极(ji)电(dian)流(liu)(liu)不大(da)于规格书中标(biao)称最(zui)大(da)漏(lou)源电(dian)流(liu)(liu)的 90% ；漏(lou)极(ji)脉冲电(dian)流(liu)(liu)峰(feng)(feng)值不大(da)于规格书中标(biao)称漏(lou)极(ji)脉冲电(dian)流(liu)(liu)峰(feng)(feng)值的 90% 即(ji)：

ID_max ≤ 90% * ID

ID_pulse ≤ 90% * IDP

注：一(yi)般地， ID_max 及 ID_pulse 具有负温(wen)度系数，故应取器(qi)件(jian)(jian)在最大结温(wen)条(tiao)(tiao)件(jian)(jian)下之 ID_max 及 ID_pulse 值作为(wei)参考。器(qi)件(jian)(jian)此参数的(de)选择是(shi)极为(wei)不(bu)确(que)定的(de)—主要是(shi)受(shou)工作环境，散(san)热(re)技术，器(qi)件(jian)(jian)其它参数（如导通电阻，热(re)阻等）等相互制约(yue)影响所致。最终(zhong)的(de)判(pan)定依据是(shi)结点温(wen)度（即如下第六条(tiao)(tiao)之“耗散(san)功(gong)率约(yue)束(shu)(shu)”）。根据经验，在实际应用中规(gui)格书目中之 ID 会(hui)比(bi)实际最大工作电流大数倍，这是(shi)因为(wei)散(san)耗功(gong)率及温(wen)升之限制约(yue)束(shu)(shu)。在初(chu)选计算时(shi)期(qi)还须根据下面第六条(tiao)(tiao)的(de)散(san)耗功(gong)率约(yue)束(shu)(shu)不(bu)断调整此参数。建议(yi)初(chu)选于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max。

3 驱动要求

MOSFEF 的(de)(de)驱动(dong)要(yao)求由其(qi)栅(zha)极(ji)总充(chong)电(dian)(dian)电(dian)(dian)量（ Qg ）参数(shu)决定。在满足其(qi)它参数(shu)要(yao)求的(de)(de)情况下(xia)(xia)，尽(jin)量选择(ze) Qg 小者以便驱动(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)设计(ji)。驱动(dong)电(dian)(dian)压选择(ze)在保(bao)证远离最大栅(zha)源电(dian)(dian)压（ VGSS ）前提下(xia)(xia)使(shi) Ron 尽(jin)量小的(de)(de)电(dian)(dian)压值（一(yi)般使(shi)用器(qi)件规格书中(zhong)的(de)(de)建(jian)议值）

4 损耗及散热

小(xiao)的(de) Ron 值有(you)利于减小(xiao)导(dao)通期间损耗，小(xiao)的(de) Rth 值可减小(xiao)温度差（同样耗散功率条件下），故有(you)利于散热。

5 损耗功率初算

MOSFET 损耗(hao)计(ji)算主要包(bao)含如下(xia) 8 个部分：

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

详细计(ji)算公式应根据(ju)具体电路及工作条件而定。例如在(zai)同(tong)步整流(liu)的(de)应用场合(he)，还要考虑体内二极管正(zheng)向(xiang)导通期间(jian)的(de)损耗(hao)(hao)和转(zhuan)向(xiang)截止(zhi)时的(de)反(fan)向(xiang)恢复损耗(hao)(hao)。损耗(hao)(hao)计(ji)算可(ke)参考下文(wen)的(de)“MOS管损耗(hao)(hao)的(de)8个组成(cheng)部分”部分。

6 耗散功率约束

器(qi)件稳态损(sun)耗功(gong)率(lv) PD,max 应以(yi)器(qi)件最大工作(zuo)结温度(du)限制作(zuo)为考量依据。如能够(gou)预先知道器(qi)件工作(zuo)环(huan)境(jing)温度(du)，则可(ke)以(yi)按如下方法估算出最大的(de)耗散功(gong)率(lv)：

PD,max ≤ （ Tj,max - Tamb ） / Rθj-a

其中 Rθj-a 是(shi)器件结点到其工(gong)作(zuo)环境之间的总(zong)热(re)阻(zu) , 包括 Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance 等(deng)。如其间还有绝缘材(cai)料还须(xu)将其热(re)阻(zu)考虑进去。

MOS管损耗的8个组成部分

在(zai)器(qi)件设计(ji)选择过程中需(xu)要(yao)对 MOSFET 的(de)工(gong)作(zuo)过程损(sun)耗进行(xing)先(xian)期计(ji)算（所谓(wei)先(xian)期计(ji)算是指在(zai)没能够测试各工(gong)作(zuo)波形的(de)情况下，利用器(qi)件规格(ge)书提(ti)供的(de)参(can)数及工(gong)作(zuo)电(dian)路(lu)的(de)计(ji)算值和预计(ji)波形，套用公式进行(xing)理论上的(de)近(jin)似计(ji)算）。

1 导通损耗Pon

导通(tong)损耗(hao)(hao),指(zhi)在 MOSFET 完全开启(qi)后(hou)负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通(tong)电阻 RDS(on) 上(shang)产生之压降造成的损耗(hao)(hao)。

导通损(sun)耗计算：

先通过(guo)计(ji)算(suan)(suan)得(de)到(dao) IDS(on)(t) 函数表达式并算(suan)(suan)出其有效(xiao)值 IDS(on)rms ，再(zai)通过(guo)如(ru)下(xia)电阻损耗计(ji)算(suan)(suan)式计(ji)算(suan)(suan)：

Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don

说明(ming)：

计算 IDS(on)rms 时(shi)(shi)(shi)使用的(de)(de)时(shi)(shi)(shi)期仅是(shi)导(dao)通时(shi)(shi)(shi)间 Ton ，而不(bu)(bu)是(shi)整个工作周期 Ts ； RDS(on)会随(sui) IDS(on)(t) 值(zhi)和器件结点(dian)温度(du)不(bu)(bu)同而有(you)所(suo)不(bu)(bu)同，此时(shi)(shi)(shi)的(de)(de)原则是(shi)根据(ju)规格(ge)(ge)书(shu)查找尽量靠近预计工作条件下的(de)(de) RDS(on) 值(zhi)（即乘以(yi)规格(ge)(ge)书(shu)提供(gong)的(de)(de)一(yi)个温度(du)系数(shu) K ）。

2 截止损耗Poff

截止损耗(hao)，指在 MOSFET 完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生的漏电流 IDSS 造成的损耗(hao)。

截止(zhi)损(sun)耗计算：

先通过(guo)计算得到 MOSFET 截止时所(suo)承受的漏源电压 VDS(off) ，在查找(zhao)器件规格书提(ti)供之 IDSS ，再通过(guo)如下公式计算：

Poff=VDS(off) × IDSS ×（ 1-Don ）

说明(ming)：

IDSS 会(hui)依(yi) VDS(off) 变化而变化，而规(gui)格书提(ti)供(gong)的此(ci)值是(shi)在一近似 V(BR)DSS 条(tiao)件下的参(can)数(shu)。如(ru)计算(suan)得到的漏源电(dian)压 VDS(off) 很(hen)大以(yi)至接(jie)近 V(BR)DSS 则可(ke)直接(jie)引用此(ci)值，如(ru)很(hen)小，则可(ke)取零值，即忽略此(ci)项(xiang)。

3 开启过程损耗

开(kai)启(qi)过(guo)程损耗，指在 MOSFET 开(kai)启(qi)过(guo)程中逐(zhu)渐(jian)下(xia)降的漏源电(dian)压 VDS(off_on)(t) 与逐(zhu)渐(jian)上升的负(fu)载(zai)电(dian)流(liu)(liu)（即漏源电(dian)流(liu)(liu)） IDS(off_on)(t) 交叉重(zhong)叠部分造(zao)成的损耗。

开启过程损耗(hao)计算：

开(kai)启(qi)过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交(jiao)叉波(bo)形如上图所(suo)示。首(shou)先须计算或预计得到开(kai)启(qi)时刻前之 VDS(off_end) 、开(kai)启(qi)完(wan)成后的 IDS(on_beginning) 即(ji)图示之 Ip1 ，以(yi)及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重(zhong)叠时间(jian) Tx 。然后再(zai)通(tong)过如下(xia)公式计算：

Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) × dt

实际计(ji)算中主要有两(liang)种(zhong)假(jia)设(she) — 图 (A) 那种(zhong)假(jia)设(she)认(ren)为(wei) VDS(off_on)(t) 的(de)(de)开(kai)始下降与 ID(off_on)(t) 的(de)(de)逐渐上(shang)升(sheng)同时发生(sheng)；图 (B) 那种(zhong)假(jia)设(she)认(ren)为(wei) VDS(off_on)(t) 的(de)(de)下降是从 ID(off_on)(t) 上(shang)升(sheng)到最大值后(hou)才(cai)开(kai)始。图 (C) 是 FLYBACK 架(jia)构路中一 MOSFET 实际测(ce)试到的(de)(de)波形，其更(geng)接(jie)近(jin)于 (A) 类假(jia)设(she)。针对(dui)这两(liang)种(zhong)假(jia)设(she)延伸出两(liang)种(zhong)计(ji)算公式：

(A) 类假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_end) × Ip1 × tr × fs

(B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_end) × Ip1 × (td(on)+tr) × fs

(B) 类假设可(ke)作为最恶劣模式的(de)计算(suan)值。

说(shuo)明：

图 (C) 的(de)(de)实际(ji)测试(shi)到(dao)(dao)波(bo)形可以(yi)看到(dao)(dao)开(kai)启完成(cheng)后的(de)(de) IDS(on_beginning)>>Ip1 （电(dian)(dian)源使用中(zhong) Ip1 参数往往是(shi)(shi)激磁(ci)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de) 初始值）。叠加的(de)(de)电(dian)(dian)流(liu)(liu)波(bo)峰确切数值我们难以(yi)预计得到(dao)(dao)，其 跟电(dian)(dian)路(lu)架构和(he)器(qi)(qi)件参数有关。例如 FLYBACK 中(zhong) 实际(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)应(ying) 是(shi)(shi) Itotal=Idp1+Ia+Ib (Ia 为次级端整流(liu)(liu)二极(ji)管的(de)(de)反向恢(hui) 复(fu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)感应(ying)回(hui)初极(ji)的(de)(de)电(dian)(dian)流(liu)(liu)值 -- 即乘(cheng)以(yi)匝比， Ib 为变压(ya)器(qi)(qi) 初级侧绕组(zu)层间寄生电(dian)(dian)容在 MOSFET 开(kai)关开(kai)通瞬间释放的(de)(de) 电(dian)(dian)流(liu)(liu) ) 。这个难以(yi)预计的(de)(de)数值也是(shi)(shi)造(zao)成(cheng)此(ci)部分(fen)计算误差的(de)(de) 主要原因(yin)之一(yi)。

4 关断过程损耗

关断过程损耗。指在 MOSFET 关断过程中 逐(zhu)渐上升的(de)漏源电压 VDS(on_off) (t) 与逐(zhu)渐 下降的(de)漏源电流 IDS(on_off)(t) 的(de)交叉重 叠部分造成(cheng)的(de)损耗。

关断过(guo)程(cheng)损耗计(ji)算(suan)：

如(ru)上图所示，此部分损耗计算(suan)原(yuan)理及(ji)方法跟 Poff_on 类似(si)。 首先须计算(suan)或(huo)预计得到关断(duan)(duan)完成(cheng)后之漏源电压(ya) VDS(off_beginning) 、关断(duan)(duan)时刻前的(de)负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及(ji) VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx 。然后再(zai)通(tong)过 如(ru)下公式计算(suan)：

Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) × dt

实际计算中，针对这两种假设延伸出两个计算公式：

(A) 类(lei)假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_beginning) × Ip2 × tf × fs  

(B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_beginning) × Ip2 × (td(off)+tf) × fs

(B) 类假设可作为最恶劣模(mo)式的计算值。

说明：

IDS(on_end) =Ip2 ，电(dian)源(yuan)使用(yong)中这一(yi)参数往往是激磁电(dian)流 的末端值。因(yin)漏感(gan)等因(yin)素， MOSFET 在关断完成(cheng)后之 VDS(off_beginning) 往往都有一(yi)个很大的电(dian)压尖峰(feng) Vspike 叠(die)加其 上，此(ci)值可大致按经验估(gu)算。

5 驱动损耗Pgs

驱(qu)动(dong)损耗，指栅极(ji)接(jie)受(shou)驱(qu)动(dong)电源进(jin)行驱(qu)动(dong)造成之(zhi)损耗

驱动损耗的(de)计(ji)算

确(que)定驱动电源电压 Vgs 后，可(ke)通过(guo)如下公式进行(xing)计算：

Pgs= Vgs × Qg × fs

说明(ming)

Qg 为总驱(qu)动(dong)电(dian)量(liang)，可(ke)通(tong)过器(qi)件(jian)规格(ge)书查找得到。

6 Coss电容的泄放损耗Pds

Coss电(dian)容的泄放损耗,指MOS输出电(dian)容 Coss 截止期间(jian)储(chu)蓄的电(dian)场能于导同期间(jian)在漏源极上(shang)的泄放损耗。

Coss电容的(de)泄放损耗计算

首先须计(ji)(ji)算或预计(ji)(ji)得(de)到开启时刻(ke)前之(zhi) VDS ，再(zai)通过(guo)如下公(gong)式进行计(ji)(ji)算：

Pds=1/2 × VDS(off_end)2 × Coss × fs

说明(ming)

Coss 为 MOSFET 输出电容，一般可(ke)等于 Cds ，此值可(ke)通过器件规格(ge)书(shu)查找得到。

7 体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f

体(ti)内寄生(sheng)二极管正向导通损耗(hao),指MOS体(ti)内寄生(sheng)二极管在承载正向电流时(shi)因正向压降造成的损耗(hao)。

体内寄生二极管正(zheng)向导通损耗计算

在一些利用体内寄生二极(ji)管进行(xing)载流的应用中（例(li)如同步整流），需要对(dui)此(ci)部分之损耗进行(xing)计算。公式(shi)如下(xia)：

Pd_f = IF × VDF × tx × fs

其中： IF 为二极管承载的(de)电流量(liang)， VDF 为二极管正向导(dao)通压降， tx 为一(yi)周(zhou)期内二极管承载电流的(de)时间。

说明

会因器件结(jie)温及承(cheng)载(zai)的电流大(da)小(xiao)不(bu)同而不(bu)同。可根据实际应用环(huan)境在其规格书上(shang)查找到尽(jin)量接近之数值(zhi)。

8 体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover

体(ti)(ti)内寄生(sheng)二(er)极(ji)管反(fan)向(xiang)恢(hui)复(fu)损(sun)耗，指MOS体(ti)(ti)内寄生(sheng)二(er)极(ji)管在承载(zai)正向(xiang)电(dian)流后因反(fan)向(xiang)压致使的反(fan)向(xiang)恢(hui)复(fu)造(zao)成的损(sun)耗。

体内寄生二极管反向恢(hui)复损耗计算

这(zhei)一(yi)损耗(hao)原理及计算方法与普通二极(ji)管的反向恢复损耗(hao)一(yi)样。公式如下：

Pd_recover=VDR × Qrr × fs

其中(zhong)： VDR 为二(er)(er)极管反向(xiang)压降， Qrr 为二(er)(er)极管反向(xiang)恢复(fu)电量(liang)，由器件提供之规格书中(zhong)查(cha)找而(er)得。

减少MOS管损耗的方法

减小开关损耗一(yi)(yi)方面要尽(jin)可能地制造出具有理想开关特(te)性的(de)器件(jian),另一(yi)(yi)方面利用(yong)新的(de)线(xian)路(lu)技术改变器件(jian)开关时期的(de)波形,如(ru):晶体管缓冲电路(lu),谐(xie)振电路(lu),和软开关技术等。

(1)晶体管缓冲电路(lu)(即加吸收网络(luo)技术)

早期(qi)电(dian)(dian)源多采(cai)用此线路技(ji)术。采(cai)用此电(dian)(dian)路, 功率(lv)损(sun)(sun)耗虽有所(suo)减小(xiao),但仍不是很(hen)理想。①减少导通损(sun)(sun)耗在(zai)(zai)变(bian)压(ya)器次级线圈后(hou)面加(jia)(jia)饱和电(dian)(dian)感(gan), 加(jia)(jia)反向恢(hui)复时(shi)(shi)间(jian)快的(de)二极管,利(li)(li)用饱和电(dian)(dian)感(gan)阻(zu)碍电(dian)(dian)流变(bian)化(hua)的(de)特(te)性(xing), 限(xian)制电(dian)(dian)流上(shang)升的(de)速率(lv),使(shi)电(dian)(dian)流与电(dian)(dian)压(ya)的(de)波形(xing)尽可(ke)能小(xiao)地重叠。②减少截止损(sun)(sun)耗加(jia)(jia)R 、C 吸收网络, 推迟(chi)变(bian)压(ya)器反激电(dian)(dian)压(ya)发生时(shi)(shi)间(jian), 最(zui)好在(zai)(zai)电(dian)(dian)流为0时(shi)(shi)产(chan)生反激电(dian)(dian)压(ya),此时(shi)(shi)功率(lv)损(sun)(sun)耗为0。该电(dian)(dian)路利(li)(li)用电(dian)(dian)容上(shang)电(dian)(dian)压(ya)不能突(tu)变(bian)的(de)特(te)性(xing),推迟(chi)反激电(dian)(dian)压(ya)发生时(shi)(shi)间(jian)。为了增加(jia)(jia)可(ke)靠性(xing),也可(ke)在(zai)(zai)功率(lv)管上(shang)加(jia)(jia)R 、C 。但是此电(dian)(dian)路有明(ming)显缺点:因为电(dian)(dian)阻(zu)的(de)存在(zai)(zai),导致吸收网络有损(sun)(sun)耗 。

(2)谐振电(dian)路

该电(dian)路只(zhi)改(gai)变开(kai)关瞬间电(dian)流(liu)波(bo)形(xing),不改(gai)变导通时电(dian)流(liu)波(bo)形(xing)。只(zhi)要选择好合(he)(he)适的L 、C ,结合(he)(he)二极管结电(dian)容和变压器漏感, 就能保证电(dian)压为0时,开(kai)关管导通或截止。因此, 采用谐振(zhen)技术可(ke)使开(kai)关损(sun)耗很(hen)小。所以, SWITCHTEC 电(dian)源开(kai)关频率可(ke)以做到术结构380kHz的高频率。

(3)软开关(guan)技术

该电(dian)(dian)(dian)路是在全桥逆(ni)变电(dian)(dian)(dian)路中加入电(dian)(dian)(dian)容(rong)和二(er)极管。二(er)极管在开关管导通时起钳位作(zuo)用, 并构成泻放(fang)回(hui)路, 泻放(fang)电(dian)(dian)(dian)流。电(dian)(dian)(dian)容(rong)在反激(ji)电(dian)(dian)(dian)压作(zuo)用下(xia), 电(dian)(dian)(dian)容(rong)被充电(dian)(dian)(dian), 电(dian)(dian)(dian)压不(bu)能(neng)突然(ran)增加, 当电(dian)(dian)(dian)压比较大的时侯, 电(dian)(dian)(dian)流已经为0。

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