30N03B低压(ya)MOS管(guan)型号中文(wen)资料(liao)-原厂供应商 提供免费(fei)送样-KIA MOS管(guan)
信息来源(yuan)：本站(zhan) 日期：2019-01-14
KIA30N03B是性(xing)(xing)能最高(gao)的(de)(de)沟道型N-ch MOSFETs，具有(you)极高(gao)的(de)(de)性(xing)(xing)能单元密度，为大(da)部分(fen)同步(bu)降压转换器提供优良(liang)的(de)(de)RDSON和栅(zha)极电荷产(chan)品用(yong)途：满(man)足罗氏(shi)(shi)和绿色产(chan)品的(de)(de)需求，100%艾氏(shi)(shi)保(bao)真全功能可靠性(xing)(xing)批准(zhun)。
RDS(on) = 15mωVDS = 30V
高单(dan)元密度(du)沟槽技术
超低(di)门电荷
优(you)异的(de)Cdv/dt效应下(xia)降(jiang)
100%EAS保证
绿(lv)色设备可用
用于MB/NB/UMPC/VGA的(de)高频负载点负载同(tong)步降压转(zhuan)换器
网络(luo)直流供(gong)电系(xi)统
负荷开关
型号：KIA30N03B（N沟道）
工(gong)作方式(shi)：30A/30V
漏源极(ji)电压：30V
脉冲漏电(dian)流：60A
单(dan)脉冲(chong)雪(xue)崩能：72MJ
雪崩电流:21A
总功率耗散:25W
运行(xing)结温范围(wei)：-55℃至150℃
查看详情，请点击下(xia)图。
联系方式：邹先生
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手(shou)机：18123972950
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