mos管在电路中的作用

mos管概述

本(ben)(ben)文主(zhu)要讲(jiang)mos管(guan)在电路中的(de)(de)(de)作用，所以(yi)先了(le)解一下MOS管(guan)基本(ben)(ben)知识。MOS管(guan)是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管(guan)，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管(guan)的(de)(de)(de)source和drain是可以(yi)对调的(de)(de)(de)，他们都是在P型(xing)(xing)backgate中形成的(de)(de)(de)N型(xing)(xing)区(qu)。在多数情况下，这个(ge)两个(ge)区(qu)是一样的(de)(de)(de)，即(ji)使(shi)两端对调也不会(hui)影响器件(jian)的(de)(de)(de)性(xing)能。这样的(de)(de)(de)器件(jian)被认为(wei)是对称的(de)(de)(de)。

mos管在电路中的作用

MOS管这个器(qi)件(jian)有两个电极(ji)(ji)，分别是漏(lou)极(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)S，无论是图一(yi)的N型(xing)(xing)(xing)还是图二的P型(xing)(xing)(xing)都是一(yi)块掺杂浓度较低的P型(xing)(xing)(xing)半(ban)导(dao)体(ti)硅衬底(di)上(shang)，用半(ban)导(dao)体(ti)光刻、扩散工艺制作(zuo)两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属(shu)铝(lv)引出漏(lou)极(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)S。然后在(zai)漏(lou)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)之(zhi)间(jian)的N/P型(xing)(xing)(xing)半(ban)导(dao)体(ti)表面复盖一(yi)层(ceng)很薄的二氧(yang)化硅（Si02）绝(jue)缘(yuan)层(ceng)膜(mo)，在(zai)再这个绝(jue)缘(yuan)层(ceng)膜(mo)上(shang)装上(shang)一(yi)个铝(lv)电极(ji)(ji)，作(zuo)为栅极(ji)(ji)G。这就(jiu)构成(cheng)了一(yi)个N/P沟道（NPN型(xing)(xing)(xing)）增强(qiang)型(xing)(xing)(xing)MOS管。

mos管三个极分别代表什么

1.判断栅极G

MOS驱(qu)动器主要起波(bo)形(xing)(xing)整形(xing)(xing)和加(jia)强驱(qu)动的作用:假如MOS管(guan)的G信(xin)号波(bo)形(xing)(xing)不够(gou)陡(dou)峭(qiao)，在点(dian)评(ping)切(qie)换阶段(duan)会造成大量电能损(sun)耗其副(fu)作用是降低电路转换效率，MOS管(guan)发(fa)烧严峻，易(yi)热损(sun)坏MOS管(guan)GS间存在一定电容(rong)，假如G信(xin)号驱(qu)动能力不够(gou)，将严峻影响(xiang)波(bo)形(xing)(xing)跳变的时间.

将G-S极短路(lu)，选择万用(yong)表的R×1档，黑表笔(bi)接(jie)S极，红表笔(bi)接(jie)D极，阻值(zhi)应为(wei)(wei)几(ji)欧至十几(ji)欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔(bi)后仍(reng)为(wei)(wei)无限大，则证实(shi)此脚为(wei)(wei)G极，由于(yu)它和另外两个(ge)管脚是绝缘的。

2.判断源极S、漏极D

将万用表拨至(zhi)R×1k档分别丈量三(san)个管脚之间(jian)的(de)(de)(de)电阻(zu)。用交(jiao)换(huan)表笔法(fa)测(ce)两次(ci)电阻(zu)，其中电阻(zu)值(zhi)较低（一(yi)般为几(ji)千(qian)欧(ou)至(zhi)十几(ji)千(qian)欧(ou)）的(de)(de)(de)一(yi)次(ci)为正向(xiang)电阻(zu)，此时黑表笔的(de)(de)(de)是S极(ji)，红表笔接(jie)D极(ji)。因(yin)为测(ce)试前(qian)提不同(tong)，测(ce)出的(de)(de)(de)RDS（on）值(zhi)比手册中给出的(de)(de)(de)典型值(zhi)要(yao)高一(yi)些。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在源-漏之间有一个(ge)PN结(jie)，因此根据PN结(jie)正(zheng)、反向电阻存(cun)在差异，可识别S极与D极。例如用(yong)500型万用(yong)表R×1档实测(ce)一只(zhi)IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典(dian)型值）。

mos管在电路中的作用

AO3401MOS管在电路中的作用(yong)：

AO3401在(zai)这个电(dian)路中是起到(dao)开(kai)关作用，当VBUS端(duan)输入(ru)低电(dian)平(ping)(ping)时，Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电(dian)平(ping)(ping)，于是，1脚D漏极与3脚源极之(zhi)间(jian)导通，将+5V VCC连接到(dao)VBUS端(duan)。

MOS管通常在电路中都是起开关作用的吗(ma)？

MOS管在电路中不(bu)都是起开关作(zuo)用(yong)，还有(you)放大、阻抗变换、振荡等等作(zuo)用(yong)。利(li)用(yong)它低导通(tong)内阻特点作(zuo)为开关的(de)比较多。

mos管在电路中的作用

MOS管(guan)也就(jiu)是(shi)常说的场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)（FET），有结(jie)型场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)、绝缘栅型场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)（又分(fen)为(wei)增强型和(he)(he)耗尽型场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)）。也可(ke)以(yi)只分(fen)成两类P沟道(dao)和(he)(he)N沟道(dao)，这里我们(men)就(jiu)按照P沟道(dao)和(he)(he)N沟道(dao)分(fen)类。对MOS管(guan)分(fen)类不了解(jie)的可(ke)以(yi)自己上(shang)网查一(yi)下。

场效应管(guan)(guan)的(de)作用(yong)主(zhu)要有信号的(de)转换、控制(zhi)电路(lu)的(de)通(tong)断，这里我(wo)们(men)讲解的(de)是MOS管(guan)(guan)作为开(kai)关(guan)管(guan)(guan)的(de)使用(yong)。对(dui)于MOS管(guan)(guan)的(de)选型，注意4个参数：漏(lou)源电压(ya)（D、S两端承(cheng)受的(de)电压(ya)）、工作电流（经过(guo)MOS管(guan)(guan)的(de)电路(lu)）、开(kai)启电压(ya)（让MOS管(guan)(guan)导通(tong)的(de)G、S电压(ya)）、工作频(pin)率（最大的(de)开(kai)关(guan)频(pin)率）。下面我(wo)们(men)看一下MOS管(guan)(guan)的(de)引脚，如下图所示：

mos管在电路中的作用