mos管(guan)引(yin)脚顺序解析-mos管(guan)引(yin)脚好坏判(pan)断及如何判(pan)断管(guan)脚的方法(fa)-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来(lai)源:本(ben)站 日(ri)期(qi):2019-01-22
在(zai)了解mos管引脚顺序之(zhi)前(qian),我们来了解一下mos管的(de)引脚,G:gate 栅极(ji);S:source 源极(ji);D:drain 漏极(ji)。N沟(gou)道(dao)的(de)电(dian)源一般(ban)接在(zai)D,输出S,P沟(gou)道(dao)的(de)电(dian)源一般(ban)接在(zai)S,输出D。增(zeng)强耗尽(jin)接法基本一样(yang)。
这(zhei)是(shi)MOS管(guan)热释电红(hong)外传感(gan)器,那(nei)个矩(ju)形(xing)框是(shi)感(gan)应窗(chuang)口,G脚为接地(di)(di)端,D脚为内(nei)部MOS管(guan)漏极,S脚为内(nei)部MOS管(guan)源(yuan)极。在电路中,G接地(di)(di),D接电源(yuan)正(zheng),红(hong)外信号(hao)从窗(chuang)口输入,电信号(hao)从S输出。
mos管(guan)引脚顺序(xu)详解(jie),如下:MOS管(guan)是金属(shu)(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(ti)(Semiconductor)场效应晶(jing)体(ti)管(guan)。市面上常有的(de)一般(ban)为N沟道(dao)(dao)和(he)P沟道(dao)(dao)。N沟道(dao)(dao)的(de)电源(yuan)一般(ban)接在(zai)(zai)D,输出S,P沟道(dao)(dao)的(de)电源(yuan)一般(ban)接在(zai)(zai)S,输出D。
管子正面正对自己 ,管脚(jiao)朝下从左至右(you)依(yi)次是栅极(G)、漏(lou)极(D)、源极(S)。
栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意(yi)两脚(jiao)(jiao)之间正反向电(dian)阻,若其中某次(ci)测得电(dian)阻为数百Ω),该(gai)两脚(jiao)(jiao)是(shi)D、S,第三脚(jiao)(jiao)为G。
漏极(ji)D、源极(ji)S及类(lei)型判(pan)定:用万(wan)用表(biao)R&TImes;10kΩ档测D、S问正反(fan)向(xiang)电阻(zu),正向(xiang)电阻(zu)约0.2&TImes;10kΩ,反(fan)向(xiang)电阻(zu)(5一∞)X100kΩ。在测反(fan)向(xiang)电阻(zu)时,红表(biao)笔不动,黑表(biao)笔脱离引脚(jiao)后,与G碰(peng)一下(xia),然后回去(qu)再接原引脚(jiao),出现两(liang)种情况:
a.若读数(shu)由原来(lai)较(jiao)大值变为(wei)(wei)0(0×10kΩ),则红表(biao)(biao)笔所接为(wei)(wei)S,黑表(biao)(biao)笔为(wei)(wei)D。用黑表(biao)(biao)笔接触G有效(xiao),使MOS管D、S间正(zheng)反向电阻值均为(wei)(wei)0Ω,还可证明(ming)该(gai)管为(wei)(wei)N沟道。
b.若读(du)数(shu)仍为(wei)较大值,黑(hei)表笔(bi)不动,改用红(hong)表笔(bi)接触G,碰一下(xia)之后立即回到(dao)原脚,此时若读(du)数(shu)为(wei)0Ω,则(ze)黑(hei)表笔(bi)接的是S极(ji)(ji)、红(hong)表笔(bi)为(wei)D极(ji)(ji),用红(hong)表笔(bi)接触G极(ji)(ji)有(you)效,该MOS管为(wei)P沟道。
G极(ji),不用说(shuo)比较好认。
S极,不论(lun)是(shi)p沟道(dao)还是(shi)N沟道(dao),两根(gen)线相交的就是(shi);
D极(ji),不论是p沟道还是N沟道,是单独引线的那边。
判定栅极(ji)(ji)(ji)G:将万用(yong)表(biao)拨(bo)至R&TImes;1k档,用(yong)万用(yong)表(biao)的(de)(de)(de)负极(ji)(ji)(ji)任(ren)意接(jie)一电极(ji)(ji)(ji),另一只表(biao)笔依次去接(jie)触其(qi)(qi)余的(de)(de)(de)两(liang)(liang)个极(ji)(ji)(ji),测(ce)其(qi)(qi)电阻(zu)。若两(liang)(liang)次测(ce)得(de)(de)的(de)(de)(de)电阻(zu)值近似相等(deng),则负表(biao)笔所(suo)接(jie)触的(de)(de)(de)为栅极(ji)(ji)(ji),另外两(liang)(liang)电极(ji)(ji)(ji)为漏极(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)。漏极(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)互换,若两(liang)(liang)次测(ce)出的(de)(de)(de)电阻(zu)都很大,则为N沟道;若两(liang)(liang)次测(ce)得(de)(de)的(de)(de)(de)阻(zu)值都很小,则为P沟道。
判(pan)定源(yuan)极(ji)S、漏极(ji)D:在源(yuan)-漏之间有一个PN结,因此(ci)根(gen)据(ju)PN结正、反向电阻存在差(cha)异(yi),可识别S极(ji)与D极(ji)。用交(jiao)换表(biao)笔(bi)法测两(liang)次(ci)电阻,其中电阻值(zhi)较(jiao)低(一般为几千(qian)欧(ou)至(zhi)十(shi)几千(qian)欧(ou))的(de)一次(ci)为正向电阻,此(ci)时黑(hei)表(biao)笔(bi)的(de)是(shi)S极(ji),红表(biao)笔(bi)接D极(ji)。
1、用10K档,内(nei)有15伏电(dian)池。可提(ti)供导通(tong)电(dian)压。
2、因为栅极等(deng)效于电容(rong)(rong),与任(ren)何脚不通,不论N管或P管都很容(rong)(rong)易找(zhao)出栅极来,否则是坏(huai)管。
3、利用表笔对栅源间正向(xiang)或反(fan)向(xiang)充(chong)电,可使漏(lou)源通或断,且由(you)于栅极上电荷(he)能保持,上述两(liang)步可分先(xian)后,不(bu)必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反(fan)充(chong)。
4、大都(dou)源漏间(jian)有(you)反并二(er)极管,应注(zhu)意,及帮(bang)助判(pan)断。
5、大都封(feng)庄(zhuang)为(wei)字面对自已时,左栅中漏右(you)源。以上前三点必(bi)需掌握,后(hou)两点灵活运用,很快就能判管脚,分好(hao)坏。
如果对新(xin)拿到(dao)的不明MOS管,可以通过测定来判断(duan)脚极,只有(you)准确(que)判定脚的排列,才能正确(que)使用。
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