MOS管,MOS管驱动电路

MOS管概述

mos管(guan)是(shi)(shi)金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(ti)(ti)(semiconductor)场效应晶体(ti)(ti)管(guan)，或者称是(shi)(shi)金属—绝缘(yuan)体(ti)(ti)(insulator)、半导体(ti)(ti)。MOS管(guan)的source和drain是(shi)(shi)可以对调(diao)(diao)的，他们都(dou)是(shi)(shi)在P型(xing)backgate中形成的N型(xing)区(qu)。在多数(shu)情(qing)况下，这个两个区(qu)是(shi)(shi)一样(yang)的，即使两端对调(diao)(diao)也(ye)不会影响器(qi)件的性能。这样(yang)的器(qi)件被认为(wei)是(shi)(shi)对称的。

场效(xiao)应管(guan)（FET），把输(shu)入电(dian)压的(de)(de)(de)(de)变(bian)(bian)化(hua)转化(hua)为(wei)输(shu)出电(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)变(bian)(bian)化(hua)。FET的(de)(de)(de)(de)增益等(deng)于(yu)它的(de)(de)(de)(de)跨导， 定义为(wei)输(shu)出电(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)变(bian)(bian)化(hua)和输(shu)入电(dian)压变(bian)(bian)化(hua)之比。市面上常有的(de)(de)(de)(de)一般为(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)，详情参考(kao)右侧图片(pian)（P沟道(dao)耗(hao)尽型MOS管(guan)）。而P沟道(dao)常见(jian)的(de)(de)(de)(de)为(wei)低压mos管(guan)。

场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(guan)通过(guo)投(tou)影(ying)一(yi)(yi)个电(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)在一(yi)(yi)个绝(jue)缘(yuan)层上(shang)来影(ying)响流(liu)(liu)过(guo)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。事实上(shang)没有(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)过(guo)这个绝(jue)缘(yuan)体(ti)，所(suo)以(yi)FET管(guan)(guan)(guan)的GATE电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)非常小。最普通的FET用一(yi)(yi)薄层二氧化(hua)硅(gui)来作为GATE极(ji)下的绝(jue)缘(yuan)体(ti)。这种(zhong)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)称(cheng)为金(jin)属氧化(hua)物半导体(ti)(MOS)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)，或,金(jin)属氧化(hua)物半导体(ti)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(guan)（MOSFET）。因为MOS管(guan)(guan)(guan)更小更省(sheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)，所(suo)以(yi)他们(men)已经在很多应(ying)用场(chang)合取代(dai)了双(shuang)极(ji)型晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)。

MOS管基本结构与工作原理

mos管学名是场(chang)效(xiao)(xiao)应管，是金属-氧化物-半(ban)导体型场(chang)效(xiao)(xiao)应管，属于(yu)绝缘栅型。本文就结(jie)构构造、特点、实用电路(lu)等(deng)几个方面用工程师的(de)话简单描述。其结(jie)构示意图：

MOS场(chang)效应三极(ji)管分为(wei)：增(zeng)强(qiang)型(xing)（又有N沟(gou)道、P沟(gou)道之分）及(ji)耗(hao)尽型(xing)（分有N沟(gou)道、P沟(gou)道）。N沟(gou)道增(zeng)强(qiang)型(xing)MOSFET的(de)(de)结构示意图和符(fu)号见(jian)上(shang)图。其中：电(dian)极(ji) D（Drain） 称为(wei)漏极(ji)，相当双极(ji)型(xing)三极(ji)管的(de)(de)集电(dian)极(ji)；

电极(ji) G（Gate） 称为栅极(ji)，相当于的基(ji)极(ji)；

电极 S（Source）称(cheng)为源极，相(xiang)当于(yu)发射极。

MOS管驱动电路

驱动(dong)电路(Drive Circuit)，位于主(zhu)电路和控制电路之(zhi)间，用(yong)来对(dui)控制电路的信(xin)号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信(xin)号使(shi)其(qi)能够(gou)驱动(dong)功率晶(jing)体管），称为(wei)驱动(dong)电路。

驱动(dong)电(dian)路(lu)的(de)作(zuo)用(yong)(yong)：将控制电(dian)路(lu)输出的(de)PWM脉冲放大到(dao)足(zu)以(yi)驱动(dong)功(gong)率晶体(ti)管—开(kai)关功(gong)率放大作(zuo)用(yong)(yong)。驱动(dong)电(dian)路(lu)的(de)作(zuo)用(yong)(yong)： 将控制电(dian)路(lu)输出的(de)PWM脉冲放大到(dao)足(zu)以(yi)驱动(dong)功(gong)率晶体(ti)管—开(kai)关功(gong)率放大作(zuo)用(yong)(yong)。

在使用(yong)MOS管设计(ji)开(kai)关电(dian)(dian)源或者马达驱动电(dian)(dian)路的(de)时候，大(da)部分人都会考虑MOS的(de)导(dao)通(tong)电(dian)(dian)阻，最大(da)电(dian)(dian)压等，最大(da)电(dian)(dian)流等，也有很多(duo)人仅仅考虑这些因素。这样的(de)电(dian)(dian)路也许是可以工作(zuo)的(de)，但并(bing)不是优秀(xiu)的(de)，作(zuo)为(wei)正式的(de)产品设计(ji)也是不允许的(de)。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭(bi)合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值(zhi)就会导(dao)通(tong)，适合(he)用(yong)于源极接地(di)时的情(qing)况（低(di)端驱动），只要(yao)栅(zha)极电(dian)压达到(dao)4V或10V就可(ke)以了。

PMOS的特性(xing)，Vgs小于一定的值就会导通(tong)，适(shi)合用于源极(ji)接VCC时(shi)的情况（高(gao)端(duan)驱动(dong)(dong)）。但(dan)是，虽然PMOS可以很(hen)方便(bian)地(di)用作高(gao)端(duan)驱动(dong)(dong)，但(dan)由于导通(tong)电阻大(da)，价(jia)格贵，替换种类少等原因(yin)，在高(gao)端(duan)驱动(dong)(dong)中(zhong)，通(tong)常还是使(shi)用NMOS。

MOS开关管损失

不管(guan)是NMOS还是PMOS，导(dao)通(tong)后都有导(dao)通(tong)电(dian)阻存(cun)在(zai)，这样电(dian)流就会(hui)在(zai)这个电(dian)阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导(dao)通(tong)损耗。选择导(dao)通(tong)电(dian)阻小(xiao)的MOS管(guan)会(hui)减小(xiao)导(dao)通(tong)损耗。现在(zai)的小(xiao)功率(lv)MOS管(guan)导(dao)通(tong)电(dian)阻一(yi)般在(zai)几十毫(hao)欧(ou)左右(you)，几毫(hao)欧(ou)的也(ye)有。

MOS在导(dao)通和截(jie)止的(de)时(shi)候，一定不是(shi)(shi)在瞬(shun)间(jian)完成的(de)。MOS两(liang)端的(de)电(dian)压(ya)有(you)一个下降的(de)过(guo)程，流过(guo)的(de)电(dian)流有(you)一个上升的(de)过(guo)程，在这段时(shi)间(jian)内，MOS管的(de)损(sun)失(shi)(shi)(shi)是(shi)(shi)电(dian)压(ya)和电(dian)流的(de)乘(cheng)积，叫(jiao)做开(kai)关损(sun)失(shi)(shi)(shi)。通常开(kai)关损(sun)失(shi)(shi)(shi)比导(dao)通损(sun)失(shi)(shi)(shi)大得多，而且开(kai)关频率(lv)越快，损(sun)失(shi)(shi)(shi)也越大。

导通(tong)瞬间电压和电流的(de)乘积很(hen)大(da)，造成的(de)损(sun)失也就很(hen)大(da)。缩短开关(guan)时间，可以(yi)减小(xiao)每次(ci)导通(tong)时的(de)损(sun)失；降低开关(guan)频率，可以(yi)减小(xiao)单位时间内的(de)开关(guan)次(ci)数。这两种办法都可以(yi)减小(xiao)开关(guan)损(sun)失。

MOS管驱动

跟双极性晶(jing)体(ti)管相比，一般(ban)认为使(shi)MOS管导(dao)通不(bu)需(xu)要(yao)(yao)电(dian)流，只要(yao)(yao)GS电(dian)压高于一定的值，就可以(yi)了。这(zhei)个很容易做到，但是，我们还需(xu)要(yao)(yao)速度。

在(zai)MOS管的(de)(de)(de)结构(gou)中可以(yi)看到，在(zai)GS，GD之间(jian)存在(zai)寄生电(dian)(dian)容，而MOS管的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)，实际(ji)上(shang)就(jiu)是(shi)(shi)对(dui)电(dian)(dian)容的(de)(de)(de)充(chong)放电(dian)(dian)。对(dui)电(dian)(dian)容的(de)(de)(de)充(chong)电(dian)(dian)需要一(yi)个电(dian)(dian)流(liu)(liu)，因为对(dui)电(dian)(dian)容充(chong)电(dian)(dian)瞬(shun)间(jian)可以(yi)把电(dian)(dian)容看成短路(lu)，所(suo)以(yi)瞬(shun)间(jian)电(dian)(dian)流(liu)(liu)会比较大。选择/设计MOS管驱(qu)动(dong)时第一(yi)要注意的(de)(de)(de)是(shi)(shi)可提供瞬(shun)间(jian)短路(lu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)(de)大小。

第二注意的(de)是(shi)(shi)，普遍用于(yu)(yu)高(gao)端(duan)驱动的(de)NMOS，导通时(shi)需要是(shi)(shi)栅极电(dian)(dian)压大(da)于(yu)(yu)源(yuan)(yuan)极电(dian)(dian)压。而高(gao)端(duan)驱动的(de)MOS管导通时(shi)源(yuan)(yuan)极电(dian)(dian)压与漏极电(dian)(dian)压（VCC）相同，所以这时(shi) 栅极电(dian)(dian)压要比VCC大(da)4V或10V。如果在同一个系(xi)统里，要得到比VCC大(da)的(de)电(dian)(dian)压，就要专(zhuan)门的(de)升压电(dian)(dian)路了。很多(duo)马达驱动器都集(ji)成了电(dian)(dian)荷泵，要注意的(de)是(shi)(shi)应该 选择合适(shi)的(de)外(wai)接电(dian)(dian)容，以得到足够的(de)短路电(dian)(dian)流去驱动MOS管。

上边(bian)说的4V或10V是常用的MOS管的导通(tong)电(dian)压，设计时当然需要有(you)一定的余量。而且电(dian)压越(yue)高，导通(tong)速度越(yue)快，导通(tong)电(dian)阻也(ye)越(yue)小。现在(zai)也(ye)有(you)导通(tong)电(dian)压更小的MOS管用在(zai)不(bu)同的领域(yu)里(li)，但在(zai)12V汽车电(dian)子系统里(li)，一般4V导通(tong)就够用了。

MOS管应用电路

MOS管最显著的(de)特性是开(kai)关(guan)(guan)特性好，所以被(bei)广(guang)泛应用在需要电子开(kai)关(guan)(guan)的(de)电路中，常(chang)见的(de)如开(kai)关(guan)(guan)电源和马(ma)达驱动，也有照明调光。

MOS管驱动(dong)电(dian)路几(ji)个应用

1、低压应用

当使(shi)用(yong)5V电(dian)源，这(zhei)时候如果使(shi)用(yong)传统的图腾柱结(jie)构(gou)，由于三极管的be有0.7V左右的压(ya)降(jiang)，导致实(shi)际最(zui)终加在gate上的电(dian)压(ya)只(zhi)有4.3V。这(zhei)时候，我们选用(yong)标称gate电(dian)压(ya)4.5V的MOS管就存(cun)在一定的风(feng)险。

同样的问(wen)题也发生在使用3V或者其他低压电源(yuan)的场(chang)合(he)。

2、宽电压应用

输入电压并不(bu)是一个固定值，它会随着(zhe)时间或者其他因素而变动(dong)。这个变动(dong)导致PWM电路提供给MOS管的驱动(dong)电压是不(bu)稳定的。

为了让(rang)MOS管(guan)在高gate电(dian)压(ya)下安(an)全，很多MOS管(guan)内置了稳压(ya)管(guan)强行限制gate电(dian)压(ya)的(de)幅值(zhi)。在这种情况下，当提供(gong)的(de)驱动电(dian)压(ya)超过稳压(ya)管(guan)的(de)电(dian)压(ya)，就会引起较大(da)的(de)静态(tai)功耗(hao)。

同时(shi)，如果简单的(de)用(yong)电(dian)阻(zu)分压的(de)原理降低gate电(dian)压，就(jiu)会出现输(shu)入电(dian)压比较高的(de)时(shi)候，MOS管工(gong)作良(liang)好，而输(shu)入电(dian)压降低的(de)时(shi)候gate电(dian)压不足(zu)，引起导通不够彻底，从(cong)而增加功(gong)耗(hao)。

3、双电压应用

在一些控制电(dian)路中(zhong)，逻辑部(bu)分使用典型的5V或(huo)者3.3V数字电(dian)压(ya)(ya)，而功(gong)率部(bu)分使用12V甚(shen)至(zhi)更高的电(dian)压(ya)(ya)。两(liang)个(ge)电(dian)压(ya)(ya)采用共(gong)地(di)方(fang)式连(lian)接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压(ya)侧能够有效(xiao)的(de)控(kong)制高压(ya)侧的(de)MOS管(guan)，同时高压(ya)侧的(de)MOS管(guan)也(ye)同样(yang)会面对1和2中提到的(de)问(wen)题。

在(zai)这(zhei)三种情(qing)况下，图腾柱结构(gou)无法满足输出(chu)要求，而很多现成的(de)(de)MOS驱动IC，似(si)乎也没有(you)包含gate电压限制的(de)(de)结构(gou)。

相对通用的电路

电路图如下：

用于NMOS的驱(qu)动(dong)电(dian)路

用(yong)于PMOS的驱动电(dian)路

这(zhei)里只针对NMOS驱动电(dian)路做(zuo)一个简单分(fen)析：

Vl和(he)Vh分别(bie)是低(di)端和(he)高端的(de)电源，两个电压可(ke)以是相同的(de)，但是Vl不应该超过(guo)Vh。

Q1和Q2组成了(le)一个反置的图腾柱，用(yong)来实(shi)现隔离，同时(shi)确保两(liang)只驱动管Q3和Q4不会(hui)同时(shi)导通(tong)。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以(yi)让电路工作在PWM信号(hao)波形比较陡(dou)直的位(wei)置。

Q3和Q4用来提供驱动(dong)电流，由于导通的(de)(de)时候(hou)，Q3和Q4相对(dui)Vh和GND最低(di)(di)都只有一个(ge)Vce的(de)(de)压降(jiang)，这(zhei)个(ge)压降(jiang)通常只有0.3V左右(you)，大大低(di)(di)于0.7V的(de)(de)Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对(dui)gate电压进行采(cai)样，采(cai)样后的(de)电压通过Q5对(dui)Q1和Q2的(de)基(ji)极产(chan)生(sheng)一(yi)(yi)个强(qiang)烈的(de)负反馈，从(cong)而把gate电压限(xian)制在一(yi)(yi)个有(you)限(xian)的(de)数(shu)值。这个数(shu)值可以通过R5和R6来调节。

最后，R1提供了对(dui)Q3和(he)Q4的(de)基(ji)极(ji)电(dian)流(liu)限(xian)制，R4提供了对(dui)MOS管的(de)gate电(dian)流(liu)限(xian)制，也就是Q3和(he)Q4的(de)Ice的(de)限(xian)制。必(bi)要的(de)时(shi)候(hou)可以在(zai)R4上面并联加速(su)电(dian)容。

这个电路提供了如(ru)下(xia)的特性：

1、用低(di)端(duan)电(dian)压和PWM驱动高端(duan)MOS管(guan)。

2、用小幅度的(de)PWM信号驱(qu)动高(gao)gate电压需求的(de)MOS管。

3、gate电压的(de)峰值限(xian)制

4、输入(ru)和输出(chu)的电流(liu)限(xian)制

5、通过(guo)使(shi)用(yong)合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6、PWM信号反相。NMOS并不(bu)需(xu)要这个特性，可以通过(guo)前置(zhi)一(yi)个反相器来解(jie)决(jue)。

低电压高频率-自举电路的BiCMOS驱动电路

在设(she)计(ji)便携式设(she)备(bei)和无线产(chan)品时(shi)，提(ti)高产(chan)品性能、延(yan)长电(dian)池工作时(shi)间是设(she)计(ji)人员需要(yao)(yao)面(mian)对的两个问(wen)题(ti)。DC-DC转换器具有效率高、输出电(dian)流大(da)、静态电(dian)流小等优点(dian)，非(fei)常适用(yong)于为便携式设(she)备(bei)供(gong)电(dian)。目前DC-DC转换器设(she)计(ji)技术(shu)发展主要(yao)(yao)趋势有：

（1）高频(pin)化技术：随(sui)着(zhe)开关(guan)频(pin)率(lv)的(de)提高，开关(guan)变换器(qi)的(de)体积也随(sui)之减小(xiao)，功率(lv)密度也得(de)到大幅提升，动态响应得(de)到改(gai)善(shan)。小(xiao)功率(lv)DC-DC转换器(qi)的(de)开关(guan)频(pin)率(lv)将上升到兆赫(he)级。

（2）低(di)(di)输出电(dian)压技术：随着半导体制造技术的不(bu)断发展，微处理(li)器和便携式(shi)电(dian)子设备的工作电(dian)压越来(lai)越低(di)(di)，这就要求未来(lai)的DC-DC变(bian)换器能够提供(gong)低(di)(di)输出电(dian)压以适应微处理(li)器和便携式(shi)电(dian)子设备的要求。

这些技术的(de)发展对(dui)电(dian)(dian)源(yuan)芯片电(dian)(dian)路(lu)的(de)设计提出(chu)了(le)更(geng)高的(de)要求。首先(xian)，随着(zhe)开(kai)关(guan)频率(lv)(lv)的(de)不断提高，对(dui)于开(kai)关(guan)元(yuan)件(jian)的(de)性(xing)能提出(chu)了(le)很高的(de)要求，同(tong)时必(bi)须(xu)具有相应的(de)开(kai)关(guan)元(yuan)件(jian) 驱动(dong)电(dian)(dian)路(lu)以保(bao)证(zheng)开(kai)关(guan)元(yuan)件(jian)在高达兆赫(he)级的(de)开(kai)关(guan)频率(lv)(lv)下正常工作(zuo)。其次，对(dui)于电(dian)(dian)池供电(dian)(dian)的(de)便携式(shi)电(dian)(dian)子设备来(lai)说，电(dian)(dian)路(lu)的(de)工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)低（以锂电(dian)(dian)池为例，工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya) 2.5～3.6V），因此，电(dian)(dian)源(yuan)芯片的(de)工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)较低。

MOS管(guan)具有很低(di)的导通电(dian)阻，消(xiao)耗能量较低(di)，在目(mu)前流行的高(gao)效DC－DC芯片中多采用MOS管(guan)作为功率开关(guan)。但(dan)是由于MOS管(guan)的寄生电(dian)容(rong)大(da)，一般情况下(xia)NMOS开关(guan)管(guan)的栅极电(dian)容(rong)高(gao)达几十皮法。这对于设计高(gao)工作频率DC－DC转换(huan)器开关(guan)管(guan)驱动电(dian)路(lu)的设计提出了更高(gao)的要求。

在低电(dian)(dian)(dian)压ULSI设(she)计中有多种CMOS、BiCMOS采(cai)用(yong)自举升压结构的逻(luo)辑电(dian)(dian)(dian)路和作(zuo)为大(da)容(rong)性负载的驱动电(dian)(dian)(dian)路。这些电(dian)(dian)(dian)路能够(gou)在低于1V电(dian)(dian)(dian)压供电(dian)(dian)(dian)条件(jian)(jian)下正常 工作(zuo)，并(bing)且能够(gou)在负载电(dian)(dian)(dian)容(rong)1～2pF的条件(jian)(jian)下工作(zuo)频率(lv)能够(gou)达到几十(shi)兆甚至上百兆赫兹。本文(wen)正是(shi)采(cai)用(yong)了(le)自举升压电(dian)(dian)(dian)路，设(she)计了(le)一种具有大(da)负载电(dian)(dian)(dian)容(rong)驱动能力的， 适(shi)合于低电(dian)(dian)(dian)压、高开关频率(lv)升压型DC－DC转换器的驱动电(dian)(dian)(dian)路。电(dian)(dian)(dian)路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设(she)计并(bing)经过Hspice仿真验证(zheng)，在供电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)压1.5V ，负载电(dian)(dian)(dian)容(rong)为60pF时(shi)，工作(zuo)频率(lv)能够(gou)达到5MHz以上。

MOS管驱动电路隔离技术

MOS管驱动电(dian)(dian)(dian)路(lu)隔离(li)(li)技术一般使(shi)用光电(dian)(dian)(dian)耦(ou)合(he)(he)器或隔离(li)(li)变压器（光耦(ou)合(he)(he)；磁耦(ou)合(he)(he)）。由于 MOSFET 的(de)工作(zuo)频率(lv)及(ji)输入阻抗高，容(rong)易被干扰(rao)，故驱动电(dian)(dian)(dian)路(lu)应(ying)具(ju)有良好(hao)的(de)电(dian)(dian)(dian)气隔离(li)(li)性能(neng)，以实现主(zhu)电(dian)(dian)(dian)路(lu)与控制电(dian)(dian)(dian)路(lu)之间的(de)隔离(li)(li)，使(shi)之具(ju)有较强的(de)抗干扰(rao)能(neng)力，避(bi)免(mian)功率(lv)级电(dian)(dian)(dian)路(lu)对(dui)控制信号的(de)干扰(rao)。

光(guang)耦隔(ge)离(li)驱动(dong)(dong)可(ke)分为(wei)电磁(ci)隔(ge)离(li)与光(guang)电隔(ge)离(li)。采用(yong)脉冲变压器(qi)(qi)实现电路(lu)(lu)的(de)电磁(ci)隔(ge)离(li)，是(shi)一种电路(lu)(lu)简单可(ke)靠(kao)，又具(ju)有电气隔(ge)离(li)作(zuo)用(yong)的(de)电路(lu)(lu)，但其(qi)(qi)对脉冲的(de)宽度(du)有较大限(xian)制，若脉冲过宽，磁(ci)饱(bao)和效应可(ke)能使一次绕组(zu)的(de)电流突(tu)然增大，甚至使其(qi)(qi)烧毁，而若脉冲过窄，为(wei)驱动(dong)(dong)栅极(ji)关断所(suo)存储的(de)能量可(ke)能不够。光(guang)电隔(ge) 离(li)，是(shi)利用(yong)光(guang)耦合(he)器(qi)(qi)将控制信(xin)号回(hui)路(lu)(lu)和驱动(dong)(dong)回(hui)路(lu)(lu)隔(ge)离(li)开。该(gai)驱动(dong)(dong)电路(lu)(lu)输出阻(zu)抗较小(xiao)，解(jie)决了(le)栅极(ji)驱动(dong)(dong)源低(di)阻(zu)抗的(de)问题，但由于光(guang)耦合(he)器(qi)(qi)响应速度(du)较慢，因而其(qi)(qi)开关延迟时间较长，限(xian)制了(le)适(shi)应频率。

光耦指的是可隔离交流或直流信号KCB EA。

1.由(you)IF控制(zhi)Ic；电(dian)流传输比CTR-Current Transfer Ratio

2.输入输出特性与(yu)普(pu)通三极(ji)管(guan)相似,电流传输比(bi)Ic/IF比(bi)三极(ji)管(guan)“β ”小;

3.可在线性区， 也可在开(kai)(kai)关状态(tai)。 驱动电路中， 一般工作在开(kai)(kai)关状态(tai)。

典型(xing)光耦内部电路图(tu)

光耦(ou)的特点(dian)：

1. 参数设(she)计简单

2. 输(shu)出端需要隔离(li)驱动电(dian)源

3. 驱动功率有限

光耦基本电路

磁耦合-变压器隔离

磁耦合(he)：用于传送较低频信(xin)号时—调(diao)制/解调(diao)磁耦合(he)的特点:

1.既可传递信号又可传递功率

2.频(pin)率越高(gao),体积越小-适合高(gao)频(pin)应用(yong)

受高频调(diao)制的单向脉冲(chong)变压器隔离电(dian)路

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