MOS管,电路电流

MOS管(guan)如何精(jing)准(zhun)控制(zhi)电(dian)(dian)(dian)路电(dian)(dian)(dian)流(liu)，MOS管(guan)即可用(yong)于放大电(dian)(dian)(dian)流(liu)，又(you)可以作(zuo)(zuo)为可变电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，还能用(yong)作(zuo)(zuo)电(dian)(dian)(dian)子开关，现已广(guang)泛应(ying)用(yong)于电(dian)(dian)(dian)子设备中。而在(zai)使用(yong)过程中，MOS管(guan)是通过加在(zai)输(shu)入端(duan)(duan)栅极的(de)电(dian)(dian)(dian)压来控制(zhi)输(shu)出端(duan)(duan)漏极的(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)。MOS管(guan)厂家(jia)要分享的(de)是MOS管(guan)该(gai)如何精(jing)准(zhun)控制(zhi)电(dian)(dian)(dian)流(liu)。

MOS管是(shi)电(dian)压(ya)控制器(qi)件，也就是(shi)需要使用电(dian)压(ya)控制G脚来(lai)实(shi)现(xian)对管子电(dian)流的控制。市面上(shang)最常见的是(shi)增强(qiang)型N沟通MOS管，厂家(jia)可以用一个(ge)电(dian)压(ya)来(lai)控制G的电(dian)压(ya)，MOS管导通电(dian)压(ya)一般(ban)在2-4V，不过(guo)要完全控制，这个(ge)值要上(shang)升到(dao)10V左右(you)。

场效应管特点

（1）场效应管是(shi)电(dian)压控制(zhi)器(qi)件，它通过VGS（栅源电(dian)压）来控制(zhi)ID（漏极电(dian)流）；

（2）场效(xiao)应管的控(kong)制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10～10Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子(zi)导电，因(yin)此它的温(wen)度稳定性(xing)较好；

（4）它组(zu)成(cheng)的(de)放大(da)电(dian)路的(de)电(dian)压(ya)(ya)放大(da)系数要小于三(san)极管组(zu)成(cheng)放大(da)电(dian)路的(de)电(dian)压(ya)(ya)放大(da)系数；

（5）场效应管的抗辐射能(neng)力强；

（6）由于(yu)它不存(cun)在(zai)杂乱运动的电(dian)子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管的作用

1.场(chang)效应管可(ke)应用于(yu)放(fang)大。由于(yu)场(chang)效应管放(fang)大器的输(shu)入阻抗很高，因此耦合(he)电(dian)(dian)容(rong)(rong)可(ke)以容(rong)(rong)量较小，不必使(shi)用电(dian)(dian)解(jie)电(dian)(dian)容(rong)(rong)器。

2.场效应管很高的输入阻(zu)抗非(fei)常适合作阻(zu)抗变换(huan)。常用于多(duo)级放大器的输入级作阻(zu)抗变换(huan)。

3.场效应(ying)管可以(yi)用作可变电阻。

4.场效应管可以方(fang)便地(di)用(yong)作恒(heng)流源。

5.场效应管(guan)可以用作电子开关。

MOS管精准控制电路电流的方法

MOS管精准控制电(dian)(dian)路电(dian)(dian)流的(de)基本(ben)方法(fa)：用一个控制电(dian)(dian)压（比(bi)较器(qi)同相输入端(duan)）和一个参考(kao)(kao)电(dian)(dian)压（比(bi)较器(qi)反(fan)相输入端(duan)），同时进入电(dian)(dian)压比(bi)较器(qi)（比(bi)较器(qi)电(dian)(dian)源接正(zheng)12V和地(di)，比(bi)如LM358当比(bi)较器(qi)），比(bi)较器(qi)的(de)输出经(jing)过5.1K电(dian)(dian)阻上拉后接G脚，如果控制电(dian)(dian)压比(bi)参考(kao)(kao)电(dian)(dian)压高，则控制MOS管导通输出电(dian)(dian)流。

参考(kao)电(dian)(dian)压(ya)(ya)可以来自于(yu)采(cai)样(yang)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)，也就是在NMOS的S极接一(yi)个大功率小电(dian)(dian)阻(zu)(zu)后接地，这个电(dian)(dian)阻(zu)(zu)做电(dian)(dian)流(liu)采(cai)样(yang)，当(dang)电(dian)(dian)流(liu)流(liu)过(guo)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)后会形成电(dian)(dian)压(ya)(ya)，把它放大处理后做参考(kao)。

刚开始(shi)的时(shi)(shi)候，电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)很小(xiao)，所以控制电(dian)(dian)(dian)压(ya)比(bi)参(can)考电(dian)(dian)(dian)压(ya)高很多，这时(shi)(shi)候G脚基本上都加了12V，可以使管子(zi)迅速导(dao)通，在很短时(shi)(shi)间后(hou)，当电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)增(zeng)大逐步(bu) 达(da)到某(mou)个值时(shi)(shi)，参(can)考电(dian)(dian)(dian)压(ya)迅速上升，与控制电(dian)(dian)(dian)压(ya)接(jie)近并(bing)超过时(shi)(shi)，比(bi)较(jiao)器就输出低(di)电(dian)(dian)(dian)平（接(jie)近0V）使管子(zi)截止(zhi)，电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)减小(xiao)。然(ran)后(hou)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)减少后(hou)，参(can)考电(dian)(dian)(dian)压(ya)又下去，管子(zi)又导(dao)通，电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)又增(zeng)大。然(ran)后(hou)周(zhou)而复始(shi)。

如果(guo)你(ni)用D/A输(shu)出(chu)代替控制电(dian)压，则可以获得对MOS管的(de)精确控制，我们以前实现过输(shu)出(chu)范围10-2000mA，步进1mA，输(shu)出(chu)电(dian)流(liu)精度正负(fu)1mA的(de)水(shui)平(ping)。

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