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充电器MOS管(guan)(guan) KNX4660A 7A/600V产(chan)品规格书-货源稳定 免(mian)费送样-KIA MOS管(guan)(guan)

信息(xi)来源(yuan):本站 日期:2019-03-06 

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充电器MOS管,KNX4660A,7A/600V

充电器MOS管 KNX4660A产品概述

KNX4660A沟道增(zeng)强型硅栅(zha)功率(lv)MOSFET是为高压而设计的(de)。高速功率(lv)开(kai)关应用,如高效(xiao)率(lv)开(kai)关电(dian)源(yuan),有源(yuan),开(kai)关电(dian)源(yuan)等。功率(lv)因数校正,基于半桥拓(tuo)扑(pu)的(de)电(dian)子灯镇流器。

充电器MOS管,KNX4660A,7A/600V

充电器MOS管 KNX4660A特征

1、符合(he)ROHS规范(fan)

2、R DS(ON),typ=1.0Ω@VGS=10V

3、低栅(zha)电荷最(zui)小化开关(guan)损耗(hao)

4、快速恢复体(ti)二极(ji)管


充电器MOS管 KNX4660A产品应用领域

适配器

充电(dian)器

备用电源


充电器MOS管 KNX4660A封装外观图

充电器MOS管,KNX4660A,7A/600V


充电器MOS管 KNX4660A 7A/600V主要参数

型号:KNX4660A

工作方式:7A/600V

漏源极电(dian)压:600V

栅极到源极电(dian)压:±30V

脉宽为10伏的脉冲(chong)漏电流:28A

单脉冲雪崩(beng)能量:550MJ

功耗:42W/128W

运(yun)行和贮存(cun)温度范围:-55℃至150℃


充电器MOS管 KNX4660A 7A/600V附件



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