国产高(gao)压(ya)MOS管(guan)(guan)专(zhuan)业制造-国产高(gao)压(ya)MOS管(guan)(guan)选型(xing)表|封装|价(jia)格-KIA MOS管(guan)(guan)
信息来源：本(ben)站 日期(qi)：2019-03-28
深(shen)圳市利盈娱乐半导体科技(ji)有(you)限公(gong)司（简称KIA半导体）.是一家专业从事(shi)中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳(wen)压管开发(fa)设(she)计，集研发(fa)、生产和销售为一体的国(guo)家高(gao)新技(ji)术企业。
KIA半导(dao)体，已经拥有了独立的(de)(de)研发中心(xin)，研发人员(yuan)以(yi)来自(zi)韩国(台(tai)湾)超一流(liu)团队，可以(yi)快速(su)根据客(ke)户(hu)应(ying)用(yong)领(ling)域(yu)的(de)(de)个性(xing)来设计方案，同时引(yin)进(jin)多台(tai)国外先进(jin)设备，业务(wu)含括功(gong)率器件的(de)(de)直流(liu)参数检测(ce)、雪崩能量(liang)检测(ce)、可靠性(xing)实(shi)验、系统分(fen)析、失效(xiao)分(fen)析等(deng)领(ling)域(yu)。
强(qiang)大的研(yan)发(fa)(fa)平台，使得KIA在工艺制(zhi)造、产品设计方面拥有知识(shi)产权35项，并掌握多项场效应管核心制(zhi)造技术。自主研(yan)发(fa)(fa)已(yi)经(jing)成为(wei)了企业的核心竞争力。
KIA半导体的产品(pin)涵盖工(gong)业(ye)、新能源、交通运输(shu)、绿色(se)照明四大领(ling)域，不仅(jin)包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用(yong)品(pin)。KIA专注于产品(pin)的精细(xi)化与革新，力(li)求(qiu)为客户提供最具行业(ye)领(ling)先(xian)、品(pin)质上(shang)乘的科技(ji)产品(pin)。
专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国(guo)浦项(xiang)工科大学(xue)内拥有(you)了专业合作(zuo)设计(ji)研发团队得8英(ying)寸(cun)VD-MOS晶(jing)圆厂。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列产(chan)品，可以提供(gong)样品，以及有(you)多(duo)种封装SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封装是与国(guo)内一(yi)流封装厂家合作(zuo)。
KIA半导体包装展示图：
（1）它是(shi)利用(yong)多数载流子导(dao)电，因此它的温(wen)度稳定性较好
（2）场效(xiao)应管的(de)输入端电流极小，因此它的(de)输入电阻很大
（3）场效应管(guan)是电压控制器件，它通过VGS来控制ID
（4）它(ta)组成的(de)放大(da)(da)电(dian)路(lu)的(de)电(dian)压(ya)放大(da)(da)系数要小于三极管组成放大(da)(da)电(dian)路(lu)的(de)电(dian)压(ya)放大(da)(da)系数
（5）场效应管的(de)抗辐(fu)射(she)能力强
（6）由于不(bu)存(cun)在杂乱(luan)运动的(de)(de)少子扩散引起的(de)(de)散粒噪(zao)声，所以(yi)噪(zao)声低
国产高压MOS管(guan)型号(hao)表如下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KIA6035A |
11 |
350 |
0.38 |
0.48 |
844 |
|
KNX4540A |
6 |
400 |
0.8 |
1 |
490 |
|
KNX6140A |
10 |
400 |
0.35 |
0.5 |
1254 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
1.电路(lu)设(she)计的(de)问题，就(jiu)是(shi)让MOS管工(gong)作在线性的(de)工(gong)作状态(tai)，而(er)不是(shi)在开(kai)关(guan)状态(tai)。这也(ye)(ye)是(shi)导致MOS管发热的(de)一(yi)个原因。如(ru)果N-MOS做(zuo)开(kai)关(guan)，G级(ji)电压(ya)要比电源高几V，才能完(wan)全导通，P-MOS则相反(fan)。没(mei)有完(wan)全打开(kai)而(er)压(ya)降过大造成功率消(xiao)耗，等(deng)效直流阻(zu)抗比较大，压(ya)降增大，所以U*I也(ye)(ye)增大，损(sun)耗就(jiu)意味着发热。这是(shi)设(she)计电路(lu)的(de)最忌讳(hui)的(de)错误。
2.频(pin)率(lv)太高，主要是有时(shi)过分追求体积(ji)，导致频(pin)率(lv)提(ti)高，MOS管上的损耗增大(da)了，所以发热也加大(da)了。
3.没有(you)做好足够的散热(re)设计，电流太高，MOS管标(biao)称的电流值，一般需(xu)要良(liang)好的散热(re)才(cai)能(neng)达(da)到(dao)。所以ID小于最大电流，也(ye)可(ke)能(neng)发(fa)热(re)严(yan)重，需(xu)要足够的辅助散热(re)片(pian)。
4.MOS管的选型有误，对(dui)功率判(pan)断有误，MOS管内阻没有充分(fen)考虑(lv)，导致开关阻抗增大。
联系方式：邹先生
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