MOS管3400规格书(shu)下载-MOS管3400封装-MOS管3400价(jia)格-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-11-14
KIA半导体是(shi)一(yi)家(jia)专业(ye)从(cong)事中、大、功率场(chang)效应管(guan)(MOSFET)、快速恢复二极管(guan)、三端稳压管(guan)开发设计，集研发、生产和销售为一(yi)体的(de)国家(jia)高新技术企业(ye)。
拥有20年(nian)(nian)多(duo)年(nian)(nian)的企(qi)业历(li)史及(ji)16年(nian)(nian)的品牌历(li)史的利盈娱(yu)乐，多(duo)年(nian)(nian)来一(yi)直(zhi)坚持创(chuang)新技(ji)术，专注自主(zhu)研发(fa)及(ji)制(zhi)造(zao)MOS管(guan)(guan)，引进(jin)多(duo)台国(guo)外先进(jin)设备，业务含括(kuo)功(gong)率器(qi)件(jian)的直(zhi)流参(can)数检测、雪崩能(neng)量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大(da)的研发(fa)平台，使得KIA在工艺制(zhi)造(zao)、产品设计方面拥有知识产权35项(xiang)，并掌握(wo)多(duo)项(xiang)场效应管(guan)(guan)核心制(zhi)造(zao)技(ji)术。
KIA3400采(cai)用(yong)了先进的沟槽技术，提供给良好的RDS（on），低门电荷(he)门极电压低至2.5V。KIA3400适合用(yong)于(yu)负(fu)载(zai)开关(guan)或是(shi)用(yong)于(yu)脉宽调制(zhi)应用(yong)。KIA3400是(shi)标准产品（符合ROHS和Sony 259规(gui)范）。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
型号：KIA3400
漏(lou)源电(dian)压：30V
栅(zha)源电压：±12V
持续(xu)漏电流(liu)：4.8A
脉冲漏极(ji)电流(liu):30A
结温和(he)储存温度(du)范(fan)围(wei):-55℃-150℃
漏源击(ji)穿电压：30V
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