步进电机mos管驱动

步进电机

我们(men)先(xian)了(le)解步进(jin)(jin)电(dian)机(ji)的(de)(de)一些基(ji)本知识，再了(le)解步进(jin)(jin)电(dian)机(ji)mos管驱动。步进(jin)(jin)电(dian)机(ji)是一种(zhong)将(jiang)电(dian)脉冲(chong)转(zhuan)化为角(jiao)位移(yi)的(de)(de)执(zhi)行机(ji)构。其将(jiang)电(dian)脉冲(chong)信号转(zhuan)变为角(jiao)位移(yi)或线位移(yi)，是现(xian)代数字程序控制系统中的(de)(de)主要(yao)执(zhi)行元(yuan)件，应用极为广泛。

步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)控制(zhi)系(xi)统由(you)步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)控制(zhi)器(qi)、步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)驱(qu)动器(qi)、步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)三(san)部分组(zu)成，步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)控制(zhi)器(qi)是指(zhi)挥中(zhong)心(xin)，它发(fa)出信(xin)号(hao)(hao)脉(mai)冲(chong)给步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)驱(qu)动器(qi)，而步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)驱(qu)动器(qi)把接收(shou)到信(xin)号(hao)(hao)脉(mai)冲(chong)脉(mai)冲(chong)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)化为电(dian)(dian)(dian)(dian)脉(mai)冲(chong),驱(qu)动步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)动，控制(zhi)器(qi)每发(fa)出一个信(xin)号(hao)(hao)脉(mai)冲(chong)，步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)就旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)一个角(jiao)度(du)(du),它的旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)是以固定的角(jiao)度(du)(du)一步(bu)(bu)(bu)(bu)一步(bu)(bu)(bu)(bu)运(yun)行(xing)的。控制(zhi)器(qi)可以通(tong)过(guo)(guo)控制(zhi)脉(mai)冲(chong)数量来控制(zhi)步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)的旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)角(jiao)度(du)(du)，从而准确(que)(que)定位。通(tong)过(guo)(guo)控制(zhi)脉(mai)冲(chong)频(pin)率(lv)精确(que)(que)控制(zhi)步(bu)(bu)(bu)(bu)进(jin)(jin)(jin)电(dian)(dian)(dian)(dian)机(ji)的旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)速(su)度(du)(du)。

步进电机的结构及工作原理

（一）结构

我们(men)一般用的(de)步进电机是这样的(de)：

结构图一(yi)般是(shi)这样的：

那(nei)么(me)这(zhei)个AC，BD代表什么(me)呢？步(bu)进电(dian)机又为什么(me)具有(you)以上的那(nei)些特点呢？这(zhei)就(jiu)要(yao)从步(bu)进电(dian)机的特殊结(jie)(jie)构说起。先上一个步(bu)进电(dian)机内部的结(jie)(jie)构示意图：

先从这(zhei)个简(jian)单的(de)(de)图(tu)分析原(yuan)理(li)，图(tu)中有两组(zu)绕(rao)组(zu)A A-，B B-，可以看出他们分别形成的(de)(de)磁场是相反的(de)(de)，位置也是相对(dui)的(de)(de)。这(zhei)2组(zu)绕(rao)组(zu)对(dui)应真(zhen)实图(tu)中的(de)(de)AC和BD。

定子为铁(tie)芯(xin)，A A-，B B-绕在铁(tie)芯(xin)上，通电(dian)之后产生(sheng)磁场变成电(dian)磁铁(tie)，转(zhuan)子为永磁体(ti)，磁场将对转(zhuan)自产生(sheng)吸引(yin)或(huo)者排斥。

左(zuo)上图A A-吸引(yin)转(zhuan)子(zi)，使得转(zhuan)子(zi)竖直（此(ci)时只(zhi)有(you)A A-通(tong)(tong)电）当B B-也通(tong)(tong)电后，B B-也产生磁(ci)场，此(ci)时转(zhuan)自将像A B中(zhong)间区域(yu)偏转(zhuan)，具体偏转(zhuan)角度跟A B上电流大小比例有(you)关。

左下(xia)图此时A A-断电，B B-继续通电，则转子被吸引(yin)到(dao)水平位置(zhi)。

右下图(tu)此时(shi)A A-反向通电(dian)，B B-继续(xu)通电(dian)，则转(zhuan)自顺时(shi)针(zhen)旋转(zhuan)，重复以上过(guo)程(cheng)，则转(zhuan)子可以进行旋转(zhuan)运动(dong)，并控制(zhi)通电(dian)的(de)时(shi)机(ji)以及顺序(xu)，便(bian)可以达(da)到控制(zhi)步进电(dian)机(ji)旋转(zhuan)角(jiao)度。

定(ding)子铁心(xin)：定(ding)子铁心(xin)为凸极结构，由硅钢片迭压而成。在面向气隙的(de)定(ding)子铁心(xin)表面有齿距相等的(de)小齿。

定子(zi)绕组(zu)：定子(zi)每(mei)极上套有一个集中绕组(zu)，相(xiang)(xiang)对两极的绕组(zu)串联构(gou)成一相(xiang)(xiang)。步进电动(dong)机(ji)可以做成二相(xiang)(xiang)、三相(xiang)(xiang)、四(si)相(xiang)(xiang)、五相(xiang)(xiang)、六相(xiang)(xiang)、八相(xiang)(xiang)等。

转(zhuan)子(zi)(zi)：转(zhuan)子(zi)(zi)上(shang)只有齿槽(cao)没有绕组(zu)，系统(tong)工作要求(qiu)不同，转(zhuan)子(zi)(zi)齿数也不同。定转(zhuan)子(zi)(zi)齿形相同。

（二）原理

当步进电(dian)(dian)机切(qie)换(huan)一次定(ding)子绕(rao)组的(de)激磁(ci)电(dian)(dian)流(liu)时，转(zhuan)(zhuan)子就(jiu)旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)一个(ge)固定(ding)角(jiao)度即步距(ju)角(jiao)。步距(ju)角(jiao)一般(ban)由切(qie)换(huan)的(de)相(xiang)电(dian)(dian)流(liu)产生的(de)旋(xuan)转(zhuan)(zhuan)力矩得到，所(suo)以(yi)需要每相(xiang)极(ji)数是偶(ou)数。步进电(dian)(dian)机通常都为(wei)两(liang)(liang)相(xiang)以(yi)上(shang)的(de)，当然也有一些特殊的(de)只(zhi)有一个(ge)线(xian)圈的(de)单相(xiang)步进电(dian)(dian)机。虽(sui)说单相(xiang)，实(shi)为(wei)一个(ge)线(xian)圈产生的(de)磁(ci)通方(fang)向(xiang)交互反转(zhuan)(zhuan)而驱动转(zhuan)(zhuan)子转(zhuan)(zhuan)动。实(shi)用的(de)步进电(dian)(dian)机的(de)相(xiang)数有单相(xiang)、两(liang)(liang)相(xiang)、三(san)相(xiang)、四相(xiang)、五相(xiang)。

现在使(shi)用(yong)(yong)的步进电(dian)机大(da)部分用(yong)(yong)永(yong)磁(ci)(ci)转子(zi)。普遍(bian)使(shi)用(yong)(yong)永(yong)久磁(ci)(ci)铁的原因是效率(lv)高，分辨(bian)率(lv)高等优点。以下(xia)以介(jie)绍永(yong)磁(ci)(ci)转子(zi)为主。

步进电机mos管驱动设计分析

步(bu)(bu)(bu)进(jin)电(dian)机(ji)mos管驱(qu)(qu)动(dong)，H桥(qiao)(qiao)功率驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)路可应用于步(bu)(bu)(bu)进(jin)电(dian)机(ji)、交(jiao)流电(dian)机(ji)及(ji)直(zhi)流电(dian)机(ji)等的(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)。永磁步(bu)(bu)(bu)进(jin)电(dian)机(ji)或(huo)混合式步(bu)(bu)(bu)进(jin)电(dian)机(ji)的(de)(de)励磁绕组(zu)(zu)都必须用双极(ji)性电(dian)源(yuan)供电(dian)，也就是说绕组(zu)(zu)有时需正向电(dian)流，有时需反向电(dian)流，这样绕组(zu)(zu)电(dian)源(yuan)需用H桥(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动(dong)。本文以两相混合式步(bu)(bu)(bu)进(jin)电(dian)机(ji)驱(qu)(qu)动(dong)器为(wei)例来设计(ji)H桥(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)路。

步进电机mos管驱动-电路原理

步进(jin)电(dian)(dian)机mos管驱动，图1给出了H桥驱动电(dian)(dian)路(lu)与(yu)步进(jin)电(dian)(dian)机AB相绕组连接的电(dian)(dian)路(lu)框图。

个(ge)开(kai)(kai)(kai)(kai)关K1和K4，K2和K3分别受(shou)控制信(xin)号(hao)a，b的(de)控制，当(dang)(dang)控制信(xin)号(hao)使开(kai)(kai)(kai)(kai)关K1，K4合(he)上(shang)，K2，K3断开(kai)(kai)(kai)(kai)时(shi)，电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)在(zai)线圈(quan)(quan)中(zhong)的(de)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)向(xiang)如(ru)图(tu)1(a)，当(dang)(dang)控制信(xin)号(hao)使开(kai)(kai)(kai)(kai)关K2，K3合(he)上(shang)，K1，K4断开(kai)(kai)(kai)(kai)时(shi)，电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)在(zai)线圈(quan)(quan)中(zhong)的(de)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)向(xiang)如(ru)图(tu)1(b)所示。4个(ge)二极(ji)(ji)管VD1，VD2，VD3，VD4为(wei)续流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)二极(ji)(ji)管，它(ta)们(men)所起的(de)作用是：以图(tu)1(a)为(wei)例(li)，当(dang)(dang)K1，K4开(kai)(kai)(kai)(kai)关受(shou)控制由(you)(you)闭合(he)转向(xiang)断开(kai)(kai)(kai)(kai)时(shi)，由(you)(you)于此时(shi)线圈(quan)(quan)绕组(zu)AB上(shang)的(de)电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)不能突变，仍需(xu)按原电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)方向(xiang)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)动(dong)(dong)(即A→B)，此时(shi)由(you)(you)VD3，VD2来提供回(hui)路。因此，电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)在(zai)K1，K4关断的(de)瞬间由(you)(you)地→VD3→线圈(quan)(quan)绕组(zu)AB→VD2→电(dian)源+Vs形(xing)成续流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)回(hui)路。同(tong)理，在(zai)图(tu)1(b)中(zhong)，当(dang)(dang)开(kai)(kai)(kai)(kai)关K2，K3关断的(de)瞬间，由(you)(you)二极(ji)(ji)管VD4，VD1提供线圈(quan)(quan)绕组(zu)的(de)续流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，电(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)回(hui)路为(wei)地→VD4→线圈(quan)(quan)绕BA→VD1→电(dian)源+Vs。步进(jin)电(dian)机驱动(dong)(dong)器中(zhong)，实(shi)现上(shang)述开(kai)(kai)(kai)(kai)关功能的(de)元件在(zai)实(shi)际电(dian)路中(zhong)常采用功率(lv)MOSFET管。

由步进电(dian)机H桥驱动(dong)电(dian)路(lu)原理可知，电(dian)流在绕组中(zhong)流动(dong)是两个完全相反(fan)的(de)(de)方向(xiang)。推动(dong)级的(de)(de)信号(hao)逻辑应使对角线晶体(ti)管不能同(tong)时导通(tong)，以免造成高低压(ya)管的(de)(de)直(zhi)通(tong)。

另外(wai)，步进(jin)电(dian)(dian)机(ji)的绕组是感(gan)性负载(zai)，在通(tong)电(dian)(dian)时(shi)，随(sui)着电(dian)(dian)机(ji)运行频率(lv)的升高(gao)，而(er)过(guo)渡的时(shi)间常不变，使(shi)得绕组电(dian)(dian)流还没来得及(ji)达到稳态值又被切断，平均电(dian)(dian)流变小，输出力矩下降(jiang)，当驱(qu)动频率(lv)高(gao)到一定的时(shi)候将产(chan)生堵转或(huo)失步现(xian)象。因此，步进(jin)电(dian)(dian)机(ji)的驱(qu)动除了电(dian)(dian)机(ji)的设计(ji)尽量(liang)地减少绕组电(dian)(dian)感(gan)量(liang)外(wai)，还要对驱(qu)动电(dian)(dian)源采(cai)取(qu)措施，也就(jiu)是提高(gao)导(dao)通(tong)相电(dian)(dian)流的前后沿陡度以提高(gao)电(dian)(dian)机(ji)运行的性能。

步进(jin)电(dian)(dian)(dian)机(ji)的(de)缺陷是高(gao)频出力(li)不足，低频振荡，步进(jin)电(dian)(dian)(dian)机(ji)的(de)性能(neng)除电(dian)(dian)(dian)机(ji)自身固有的(de)性能(neng)外(wai)，驱(qu)动器的(de)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)源也直接影响电(dian)(dian)(dian)机(ji)的(de)特(te)性。要(yao)想改(gai)善步进(jin)电(dian)(dian)(dian)机(ji)的(de)频率特(te)性，就必须提高(gao)电(dian)(dian)(dian)源电(dian)(dian)(dian)压。

步进电机mos管驱动-电路设计

图2给出了步进(jin)电机mos管驱(qu)动器(qi)AB相线(xian)圈(quan)功率驱(qu)动部分原理图。

在图2中(zhong)，功率MOSFET管VT1，VT2，VT3，VT4和(he)续流二极(ji)管 VD11，VD19，VD14，VD22相当于图1中(zhong)的K1，K2，K3，K4和(he)VD1，VD2，VD3，VD4。功率MOSFET管的控制信号是由TTL逻辑电平a，a，b，b来提(ti)供的，其中(zhong)a与(yu)a，b与(yu)b在逻辑上(shang)互(hu)反。

驱动电流前后沿的改善

从步进电(dian)(dian)(dian)(dian)机的(de)(de)(de)运行特(te)性分(fen)析中知(zhi)道(dao)，性能(neng)较高的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)器都(dou)要求提(ti)供的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)前后(hou)沿要陡，以便(bian)改(gai)善电(dian)(dian)(dian)(dian)机的(de)(de)(de)高频响应。本驱(qu)(qu)(qu)动(dong)器中由于功率(lv)MOSFET管(guan)栅极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)(de)存(cun)在(zai)(zai)，对(dui)该管(guan)的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)实际表现为(wei)对(dui)栅极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)(de)充(chong)、放电(dian)(dian)(dian)(dian)。极(ji)间电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)越大(da)(da)(da)(da)，在(zai)(zai)开关(guan)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)中所需(xu)的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)也越大(da)(da)(da)(da)，为(wei)使开关(guan)波形具有足(zu)够的(de)(de)(de)上(shang)(shang)升(sheng)和下(xia)降陡度，驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)要具有较大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)数值(zhi)。如果直接(jie)用集电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)开路(lu)(lu)的(de)(de)(de)器件如SN7407驱(qu)(qu)(qu)动(dong)功率(lv)MOSFET管(guan)，则电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)在(zai)(zai)MOSFET管(guan)带感性负载时，上(shang)(shang)升(sheng)时间过(guo)长，会造成(cheng)动(dong)态损耗增大(da)(da)(da)(da)。为(wei)改(gai)进功率(lv)MOSFET管(guan)的(de)(de)(de)快速开通时间，同时也减(jian)少在(zai)(zai)前级(ji)门电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)功耗，采用图(tu)2虚线框内的(de)(de)(de)左下(xia)臂驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)。

集电(dian)极(ji)开(kai)(kai)路(lu)器(qi)件U14是将TTL电(dian)平(ping)转(zhuan)换成CMOS电(dian)平(ping)的缓冲/驱(qu)动器(qi)，当U14输出(chu)低(di)电(dian)平(ping)时，功(gong)率MOSFET管(guan)(guan)VT2的栅极(ji)电(dian)容通过1N4148被短路(lu)至(zhi)地，这时U14吸收电(dian)流的能力受U14内部导通管(guan)(guan)所(suo)允许通过的电(dian)流限制(zhi)。而(er)当U14输出(chu)为高电(dian)平(ping)时，VT2管(guan)(guan)的栅极(ji)通过晶体(ti)管(guan)(guan)V3获得电(dian)压和电(dian)流，充电(dian)能力提高，因而(er)开(kai)(kai)通速度加(jia)快。

保护功能

图(tu)2虚线(xian)框中，1N4744是(shi)栅(zha)源(yuan)间(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)过(guo)(guo)压(ya)(ya)保护齐纳二极(ji)管(guan)，其稳压(ya)(ya)值为(wei)15 V。由于(yu)，功率MOSFET管(guan)栅(zha)源(yuan)间(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)抗很高，故(gu)工(gong)作(zuo)于(yu)开(kai)关(guan)状态(tai)下的(de)(de)(de)(de)(de)漏源(yuan)间(jian)电(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)(de)(de)突变会(hui)通过(guo)(guo)极(ji)间(jian)电(dian)容耦合到栅(zha)极(ji)而产生相当(dang)幅度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)VCS脉(mai)冲(chong)电(dian)压(ya)(ya)。这一(yi)电(dian)压(ya)(ya)会(hui)引起栅(zha)源(yuan)击(ji)穿(chuan)造成管(guan)子的(de)(de)(de)(de)(de)永久损坏(huai)，如果是(shi)正方向的(de)(de)(de)(de)(de)VCS脉(mai)冲(chong)电(dian)压(ya)(ya)，虽然达不(bu)到损坏(huai)器件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)程度(du)，但会(hui)导致器件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)误(wu)导通。为(wei)此，要(yao)适当(dang)降低栅(zha)极(ji)驱动电(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)抗，在栅(zha)源(yuan)之间(jian)并(bing)接(jie)阻(zu)尼电(dian)阻(zu)或接(jie)一(yi)个(ge)稳压(ya)(ya)值小于(yu)20 V而又接(jie)近20V的(de)(de)(de)(de)(de)齐纳二极(ji)管(guan)1N4744，防(fang)止栅(zha)源(yuan)开(kai)路工(gong)作(zuo)。

功率MOSFET管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)有(you)内(nei)接的快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)。当(dang)(dang)不(bu)接VD11，VD12，VD13，VD14时(shi)，假定此(ci)时(shi)电(dian)(dian)机AB相绕(rao)组由VT1管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(和(he)VT4管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan))驱动，即(ji)VT2管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(和(he)VB)截止，VT1管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(和(he)VT4管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan))导(dao)通，电(dian)(dian)流(liu)(liu)经(jing)VT1管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)流(liu)(liu)过绕(rao)组。当(dang)(dang)下一(yi)个控制信号使(shi)VT1管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)关断时(shi)，负(fu)载绕(rao)组的续流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)经(jing)VT2的内(nei)接快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)从地获取(qu)。此(ci)时(shi)，VT2管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)的漏(lou)(lou)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)即(ji)是该快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)的通态(tai)压(ya)降，为一(yi)很小的负(fu)值。当(dang)(dang)VT1再次导(dao)通时(shi)，该快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)关断，VT2的漏(lou)(lou)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)迅速上升(sheng)，直至接近于正(zheng)电(dian)(dian)源(yuan)的电(dian)(dian)压(ya)+VS，这意味(wei)着VT2漏(lou)(lou)源(yuan)间要承受很高且边沿很陡的上升(sheng)电(dian)(dian)压(ya)，该上升(sheng)电(dian)(dian)压(ya)反向加(jia)在VT2管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)内(nei)的快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)两端，会使(shi)快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)出(chu)现恢复(fu)效(xiao)应，即(ji)有(you)一(yi)个很大的电(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)过加(jia)有(you)反向电(dian)(dian)压(ya)的快(kuai)(kuai)恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)。

为(wei)了(le)抑制VT2管(guan)内(nei)的(de)快恢(hui)(hui)复(fu)二(er)极管(guan)出现这(zhei)种反向恢(hui)(hui)复(fu)效应，在图2电(dian)路中接人了(le)VD11，VD12，VD13，VD14。其(qi)中，反并联快恢(hui)(hui)复(fu)二(er)极管(guan)VD11，VD14的(de)作(zuo)用(yong)是(shi)为(wei)电(dian)机AB相绕组提(ti)供(gong)续流通路，VD12，VD13是(shi)为(wei)了(le)使功(gong)率MOSFET管(guan)VT1，VT2内(nei)部的(de)快恢(hui)(hui)复(fu)二(er)极管(guan)不(bu)流过反向电(dian)流，以(yi)保证VT1，VT2在动态工作(zuo)时能(neng)起正(zheng)常(chang)的(de)开(kai)关作(zuo)用(yong)。VD19，VD20，VD21，VD22的(de)作(zuo)用(yong)亦是(shi)同样(yang)的(de)道理。

对图2电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)的分(fen)析可知，信号a=1，b=1的情况(kuang)是不允(yun)许(xu)存在(zai)的，否则将因(yin)同时导(dao)通(tong)从而(er)使(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)源直(zhi)接连到地造成功率管(guan)的损坏(huai);另外，根据步(bu)进电(dian)(dian)(dian)机运(yun)行(xing)脉冲分(fen)配的要求，VT1，VT2，VT3，VT4经常处于交(jiao)替(ti)工作状态，由于晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)的关(guan)断(duan)(duan)过程(cheng)中有一段(duan)(duan)存储时间(jian)(jian)(jian)和电(dian)(dian)(dian)流下(xia)降时间(jian)(jian)(jian)，总称关(guan)断(duan)(duan)时间(jian)(jian)(jian)，在(zai)这段(duan)(duan)时间(jian)(jian)(jian)内，晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)并没完(wan)全关(guan)断(duan)(duan)。若在(zai)此(ci)期间(jian)(jian)(jian)，另一个晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)导(dao)通(tong)，则造成上、下(xia)两管(guan)直(zhi)通(tong)而(er)使(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)源短路(lu)(lu)(lu)，烧坏(huai)晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)或其(qi)他元(yuan)器(qi)件。为了(le)避免(mian)这种情况(kuang)，可采(cai)取另加逻辑延时电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)，以使(shi)(shi)H桥(qiao)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)上、下(xia)两管(guan)交(jiao)替(ti)导(dao)通(tong)时可产(chan)生一个“死区(qu)时间(jian)(jian)(jian)”，先(xian)关(guan)后开，防止上、下(xia)两管(guan)直(zhi)通(tong)现象。

联系方(fang)式(shi)：邹先生

联(lian)系电(dian)话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳(zhen)市福田区车公庙天(tian)安(an)数码城天(tian)吉大厦CD座5C1

请搜微信(xin)公众号:“KIA半(ban)导(dao)体(ti)”或扫一扫下图(tu)“关(guan)注”官方微信(xin)公众号

请“关注(zhu)”官(guan)方(fang)微信公(gong)众号(hao):提供 MOS管(guan) 技术(shu)帮助