300V MOS管选型-300V MOS管型号参数、封装尺寸、价格等资料

300V MOS管型号-KNX9130A主要参数详情

型号(hao)命(ming)名：KNX9130A

工作方式：40A/300V

漏源电(dian)压：300V

门-源(yuan)电压：±20V

连续(xu)漏电电流(liu)：40A

单脉(mai)冲(chong)雪崩能量:1250MJ

二极管峰值(zhi)恢复:5.0V/ns

漏源击穿电压:300V

输入电容(rong):3100pF

输(shu)出电容:250pF

反向传输电容:80pF

300V MOS管型号-KNX9130A产品特点

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

专(zhuan)有的新平(ping)面技术

低(di)栅电(dian)荷最小开关(guan)损耗

快速(su)恢复体二(er)极管

 MOS管型号-KNX9130A产品应用领域

1、不间断电源(yuan)

2、直流(liu)-直流(liu)变换器(qi)

3、电机控制

4、其他领(ling)域

300V MOS管型号-KNX9130A产品封装实物图

300V MOS管原厂

深圳市利盈娱乐半导体科(ke)技有(you)限公司.是一家专业(ye)从事中、大、功(gong)率场(chang)效应管(guan)(MOSFET)、快速(su)恢复二极管(guan)、三端稳压管(guan)开(kai)发(fa)设(she)计(ji)，集研发(fa)、生(sheng)产和销售为(wei)一体的国家高新(xin)技术企业(ye)。

KIA半导体(ti)也一直执(zhi)行全面(mian)质(zhi)量(liang)(liang)管理(li)体(ti)系(xi)，是(shi)将所有产(chan)品质(zhi)量(liang)(liang)从芯片设(she)计开始，一直贯彻到(dao)客(ke)户使用(yong)的(de)全过程(cheng)质(zhi)量(liang)(liang)跟踪(zong)和监控。我们确(que)定在这一质(zhi)量(liang)(liang)控制(zhi)体(ti)系(xi)下生产(chan)的(de)产(chan)品，在相关(guan)环节(jie)的(de)质(zhi)量(liang)(liang)状(zhuang)态和信息都(dou)是(shi)有效控制(zhi)，确(que)保提供给客(ke)户的(de)产(chan)品是(shi)安(an)全可靠的(de)。

需要咨询(xun)更多(duo)产品信息(xi)、价格、封装等资料，请联系(xi)我们(men)，我们(men)将竭诚为您(nin)服务！

MOS管参数介绍

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流(liu)温度系(xi)数(shu)

Vn---噪声电压(ya)

η---漏极效率（射频功(gong)率管(guan)）

Zo---驱动源内阻(zu)

VGu---栅衬底(di)电压（直(zhi)流）

VDu---漏衬底电压（直流）

Vsu---源衬底(di)电压（直流）

VGD---栅漏(lou)电(dian)压（直流）

VDS(sat)---漏源饱(bao)满电压

VDS(on)---漏源(yuan)通态(tai)电(dian)压

V（BR）GSS---漏源短路时(shi)栅源击(ji)穿电(dian)压

Vss---源(yuan)极（直(zhi)流）电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压（外(wai)电(dian)(dian)路参数）

VGG---栅极（直流）电(dian)源电(dian)压（外电(dian)路参(can)数）

VDD---漏极(ji)（直流）电源电压（外电路参数）

VGSR---反(fan)向栅源(yuan)电(dian)压（直流）

VGSF--正(zheng)向(xiang)栅(zha)源(yuan)电压(ya)（直(zhi)流）

Tstg---贮成温(wen)度

Tc---管壳温度

Ta---环(huan)境温度(du)

Tjm---最大容许结温

Tj---结温(wen)

PPK---脉冲功(gong)率峰值（外电(dian)路参数）

POUT---输出功率

PIN--输入功(gong)率

PDM---漏极最(zui)大(da)容许(xu)耗散(san)功率

PD---漏极耗(hao)散功率

R(th)ja---结环(huan)热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负(fu)载电(dian)阻（外电(dian)路参数）

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

rGS---栅(zha)源电阻

rGD---栅漏电阻

rDS(of)---漏(lou)源断(duan)态电(dian)阻(zu)

rDS(on)---漏源通(tong)态电阻(zu)

rDS---漏源电阻

Ls---源(yuan)极电感

LD---漏(lou)极电感

L---负载电感（外电路参数）

Ku---传输系数(shu)

K---失调电压温(wen)度系数

gds---漏源(yuan)电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和(he)高频功率增益

GpG---共栅极中和(he)高(gao)频功率增益(yi)

Gps---共(gong)源极中和(he)高频功(gong)率增益

Gp---功率增(zeng)益

gfs---正向跨导(dao)

Ipr---电(dian)流脉冲(chong)峰值（外(wai)电(dian)路参数(shu)）

Iu---衬底电流

IDSS2---对管(guan)第二管(guan)漏源(yuan)饱(bao)满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极(ji)短路(lu)时截(jie)止栅电流

IF---二极管正向电(dian)流(liu)

IGP---栅极峰值电流

IGM---栅极脉冲电流

IGSO---漏(lou)极开路时，截止栅电流

IGDO---源(yuan)极开(kai)路时，截止栅电流

IGR---反向栅电流

IGF---正(zheng)向栅(zha)电流

IG---栅(zha)极(ji)电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满(man)电流（漏源饱满(man)电流）

IDSS---栅-源短(duan)路时(shi)，漏极电流(liu)

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏(lou)源(yuan)电流

IDQ---静(jing)态漏极电流（射频功率管）

ID(on)---通态漏极电流

dv/dt---电压上升(sheng)率(lv)（外电路参数）

di/dt---电(dian)流上升率（外电(dian)路参数）

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量(liang)

Ear:重复雪(xue)崩击穿能量

Iar:雪(xue)崩电流

Ton:正导(dao)游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充(chong)电电量(liang).

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游通压降.

ISM:脉冲最大续流(liu)电(dian)流(liu)(从源极).

IS :接连(lian)最大续流电(dian)流(从源极).

EAR:重复雪崩(beng)击穿能量.

IAR :雪崩电流(liu).

EAS :单次脉(mai)冲雪(xue)崩击穿(chuan)能(neng)(neng)量.这是个(ge)极限参数,阐明 MOSFET 所(suo)能(neng)(neng)接(jie)受的(de)最(zui)大雪(xue)崩击穿(chuan)能(neng)(neng)量.

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