mos管规格书参数详解

mos管规格书参数详解之读懂每一个mos管参数

在了解mos管规格书(shu)参(can)(can)数(shu)(shu)详解之前，先来看看mos管的(de)每一个参(can)(can)数(shu)(shu)代表什(shen)么及(ji)说明，mos管除了G、S、D引脚(jiao)和(he)N沟(gou)道(dao)mos管和(he)P沟(gou)道(dao)mos管之外还(hai)有(you)很(hen)多具体的(de)参(can)(can)数(shu)(shu)，每个详细参(can)(can)数(shu)(shu)如下：

Rds(on)----------DS的导通电(dian)阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电(dian)阻

Id------------------最大DS电流(liu).会随(sui)温(wen)度的升高而(er)降低(di)

Vgs----------------最大GS电压.一般为：-40V~+40V

Idm---------------最大脉(mai)冲DS电流.会随(sui)温度的升高而(er)降低，体现一(yi)个抗(kang)冲击能力(li)，跟(gen)脉(mai)冲时间(jian)也有关系(xi)

Pd-----------------最大耗(hao)散功率

Tj------------------最大工作结温，通常为150度和175度

Tstg---------------最大存储温度

Iar-----------------雪崩电流

Ear---------------重(zhong)复雪崩击穿能(neng)量

Eas---------------单次脉(mai)冲雪崩击穿能量

BVdss------------DS击穿电压

Idss---------------饱和DS电(dian)流(liu)，uA级的(de)电(dian)流(liu)

Igss---------------GS驱动(dong)电流，nA级的(de)电流.

gfs----------------跨导

Qg----------------G总充电(dian)电(dian)量

Qgs--------------GS充(chong)电电量(liang)

Qgd-------------GD充电电量

Td(on)---------导通延迟(chi)时间，从有输(shu)入电压上(shang)升到(dao)10%开始到(dao)Vds下降到(dao)其幅(fu)值90%的时间

Tr----------------上升时(shi)间(jian)(jian)，输出电压 VDS 从(cong) 90% 下降到其幅值 10% 的时(shi)间(jian)(jian)

Td(off)----------关断延迟时间，输入电压(ya)下(xia)降到(dao) 90% 开始到(dao) VDS 上升到(dao)其关断电压(ya)时 10% 的时间

Tf-----------------下降时间(jian)(jian)，输出电压 VDS 从 10% 上升到其(qi)幅值 90% 的时间(jian)(jian)

Ciss---------------输入电(dian)容，Ciss=Cgd + Cgs.

Coss--------------输(shu)出(chu)电容，Coss=Cds +Cgd.

Crss---------------反向(xiang)传输电(dian)容，Crss=Cgc.

mos管规格书参数详解说明

（一）

说明(ming)：MOS管漏极和源极最(zui)大耐压值(zhi)。

测试(shi)条件：在Vgs=0V，栅极和源(yuan)极不(bu)给电(dian)压。

影响：超过(guo)的话(hua)会(hui)让MOSFET损坏(huai)。

（二）

说(shuo)明：ID的漏电流。

测试(shi)条件(jian)：在Vgs=0V，在漏极和源极两(liang)端给48V的电(dian)压。

影响(xiang)：漏(lou)电流越(yue)(yue)大(da)功耗(hao)越(yue)(yue)大(da)。

（三）

）

说明：栅极漏(lou)电流

测试条件：在(zai)Vgs=+-20V，在(zai)漏极和源极两端不给(ji)电压。

（四）

说明(ming)：开启电(dian)压

测(ce)试条(tiao)件：在Vgs=Vds，在漏极和(he)源极两端电流控(kong)制在250uA。

影响：低于(yu)参考值可能出现不导通现象(xiang)，设计时需要考虑(lv)范围值。

（五）

说明：完全开启，漏极和(he)源极两(liang)端最大过电流(liu)30A，

测试条件：在(zai)Vgs=Vds，在(zai)漏极(ji)和(he)源极(ji)两端电流控(kong)制(zhi)在(zai)250uA。

影响：低于(yu)参(can)考(kao)值可能出现(xian)不导通(tong)现(xian)象(xiang)，设计时需要考(kao)虑(lv)范围值。

（六）

说明：导通时，Vds的内阻

测试条件：在(zai)Vgs=10V，通(tong)过12A的电(dian)流(liu)(liu)；Vgs=4.5V，通(tong)过6A的电(dian)流(liu)(liu)，在(zai)漏(lou)极和源极两端的内阻。

影响：内阻越(yue)小，MOS过的电(dian)流越(yue)大，相同电(dian)流下，功(gong)耗越(yue)小。

（七）

说明：跨导的(de)单位是(shi)A/V。是(shi)源极(ji)(ji)电(dian)流Id比上栅极(ji)(ji)电(dian)压Vgs，是(shi)栅极(ji)(ji)电(dian)压对源极(ji)(ji)电(dian)流的(de)控制作(zuo)用大小，

跨导：

线性压控电流源的性质可表示为(wei)方程 I=gV ，其中g是常数(shu)系数(shu)。系数(shu)g称作跨导(dao)（或转移电导(dao)），具有与电导(dao)相(xiang)同(tong)的单(dan)(dan)位。 这个电路单(dan)(dan)元(yuan)通常指(zhi)放(fang)大器(qi)。

在MOS管中，跨导的(de)(de)大小(xiao)反映了栅源电压对漏极电流的(de)(de)控制作用。在转移特(te)性曲(qu)线上，跨导为(wei)曲(qu)线的(de)(de)斜率。

（八）

说明：MOS管(guan)体二极管(guan)的正向导通压降

测(ce)试条(tiao)件：在VGS=0V，体二极管正(zheng)向通过1A的(de)电(dian)流。

（九）

说明：体二极(ji)管可承受最大(da)连续续电流

测(ce)试条件：

影(ying)响：如(ru)果(guo)偏小，在(zai)设(she)计降额(e)不充裕(yu)的(de)系统中或在(zai)测试OCP，OLP（逐周期电流限(xian)制(zhi)保护(hu)（OCP)，限(xian)制(zhi)最大(da)输(shu)出电流；过(guo)(guo)载保护(hu)(OLP)，限(xian)制(zhi)最大(da)输(shu)出功率；的(de)过(guo)(guo)程中会引起电流击穿的(de)风险

（十）

说明：

Ciss=Cgs+Cgd 输(shu)入电容

Coss=Cds+Cgd 输(shu)出电容

Crss=Cgd（米勒电容(rong)）

影响(xiang)：Ciss：影响(xiang)到(dao)MOS管的开(kai)关时(shi)间(jian)，Ciss越大，同样驱动(dong)能力下，开(kai)通(tong)和(he)关断时(shi)间(jian)就(jiu)越慢，开(kai)关损坏也就(jiu)越大。较慢的开(kai)关速度(du)对应会带(dai)来较好的EMI

Coss和(he)Crss：这两项(xiang)参(can)数(shu)对MOSFET关断时(shi)间略有影响，其中Cgd会影响到(dao)漏极有异(yi)常高(gao)电压时(shi)，传输到(dao)MOSFET栅极电压能力的大小，对雷击测(ce)试(shi)项(xiang)目(mu)有一点的影响。

（十一）

说(shuo)明(ming)：    

Qg：栅(zha)极(ji)总充电电量

Qgs：栅(zha)极充(chong)电(dian)电(dian)量

Qgd：栅极充电(dian)电(dian)量

tD（on）：漏源导通延迟(chi)时间

tr:漏源电路上升时间

tD（off）：漏(lou)源关断延迟时(shi)间

tf:漏源电(dian)路下降时间

影响：参(can)数与时间相互(hu)关(guan)(guan)联的参(can)数，开关(guan)(guan)速(su)度越(yue)快对应的优点是开关(guan)(guan)损耗越(yue)小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关(guan)(guan)断尖峰过(guo)高。

mos管规格书参数详解-MOS管发热分析

1.电(dian)(dian)路设计(ji)的(de)问题(ti)，就(jiu)是(shi)让(rang)MOS管(guan)工作在线性的(de)工作状态(tai)，而(er)不(bu)是(shi)在开关状态(tai)。这也(ye)是(shi)导致MOS管(guan)发热的(de)一个(ge)原因。如果N-MOS做开关，G级电(dian)(dian)压要比(bi)电(dian)(dian)源高几V，才能完全导通，P-MOS则(ze)相反(fan)。没有完全打开而(er)压降过大造成功率消耗(hao)，等(deng)效直流阻(zu)抗比(bi)较大，压降增大，所以(yi)U*I也(ye)增大，损耗(hao)就(jiu)意味(wei)着发热。这是(shi)设计(ji)电(dian)(dian)路的(de)最忌(ji)讳的(de)错(cuo)误。

2.频率太高，主要是(shi)有(you)时过(guo)分追求体积，导致频率提高，MOS管上(shang)的损耗增大了(le)，所以发热也加大了(le)。

3.没(mei)有做(zuo)好(hao)足(zu)够(gou)的(de)(de)散热设计，电流(liu)太高，MOS管标称的(de)(de)电流(liu)值，一(yi)般需要(yao)(yao)良好(hao)的(de)(de)散热才能达到。所(suo)以(yi)ID小于最大电流(liu)，也可能发热严(yan)重，需要(yao)(yao)足(zu)够(gou)的(de)(de)辅助散热片。

4.MOS管的(de)选型(xing)有(you)误，对(dui)功率(lv)判断有(you)误，MOS管内(nei)阻没有(you)充(chong)分考虑(lv)，导致开关阻抗增大(da)。

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