mos管封装引脚图大全及如何区分mos管封装引脚的各个极

mos管封装介绍

MOS管(guan)芯片(pian)(pian)在制作(zuo)完(wan)成之后,需(xu)要给MOSFET芯片(pian)(pian)加(jia)上一个外壳,即MOS管(guan)封装。MOSFET芯片(pian)(pian)的外壳具有支撑(cheng)、保(bao)护(hu)、冷却的作(zuo)用,同时还为(wei)芯片(pian)(pian)提供电(dian)气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完(wan)整的电(dian)路。

按照安装(zhuang)在PCB 方式来区分,MOS管(guan)封装(zhuang)主要有两大类:插入式(Through Hole)和(he)表面(mian)贴装(zhuang)式(Surface Mount)。插入式就是(shi)MOSFET的(de)管(guan)脚(jiao)穿过PCB的(de)安装(zhuang)孔(kong)焊(han)接(jie)在PCB 上(shang)。表面(mian)贴裝则是(shi)MOSFET的(de)管(guan)脚(jiao)及散热法兰焊(han)接(jie)在PCB表面(mian)的(de)焊(han)盘上(shang)。

mos管封装引脚的发展进程

结构方(fang)面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA－>CSP；

材料方面(mian)：金属、陶瓷－>陶瓷、塑(su)料－>塑(su)料；

引脚形(xing)状(zhuang)：长引线(xian)直(zhi)插－>短引线(xian)或无引线(xian)贴装－>球状(zhuang)凸点；

装配方式：通(tong)孔(kong)插装－>表面(mian)组装－>直接安装

mos管封装引脚-TO封装

TO（Transistor Out-line）的(de)中文意思是(shi)(shi)“晶体管外形”。这是(shi)(shi)早期的(de)封装(zhuang)规格(ge)，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是(shi)(shi)插入式(shi)封装(zhuang)设计。近年来表面贴装(zhuang)市场需(xu)求量增(zeng)大，TO封装(zhuang)也进(jin)展到(dao)表面贴装(zhuang)式(shi)封装(zhuang)。

TO252和TO263就(jiu)是表面贴(tie)装(zhuang)封装(zhuang)。其(qi)中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。

D-PAK封装的MOSFET有3个电(dian)极(ji)(ji)(ji)，栅极(ji)(ji)(ji)（G）、漏(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）、源极(ji)(ji)(ji)（S）。其中漏(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）的引脚被剪断不(bu)用，而是使(shi)用背面的散(san)热板作漏(lou)极(ji)(ji)(ji)（D），直(zhi)接焊(han)接在PCB上，一方面用于输(shu)出大电(dian)流，一方面通过PCB散(san)热。所(suo)以PCB的D-PAK焊(han)盘有三处，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）焊(han)盘较大。

如下面(mian)的mos管封(feng)装(zhuang)引脚图(tu)TO-252：

mos管封装引脚-SOT封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小(xiao)(xiao)外形晶(jing)体管封装(zhuang)。这种封装(zhuang)就是(shi)贴片型小(xiao)(xiao)功(gong)率晶(jing)体管封装(zhuang)，比TO封装(zhuang)体积小(xiao)(xiao)，一般用于(yu)小(xiao)(xiao)功(gong)率MOSFET。常见的(de)规格如上。

主(zhu)板(ban)上(shang)常用四端(duan)引脚的SOT-89 MOSFET。

如下图(tu)mos管封装(zhuang)引(yin)脚图(tu)SOT-23

mos管封装引脚图-SOP封装

SOP（Small Out-Line Package）的中(zhong)文意(yi)思是“小(xiao)外(wai)形封装(zhuang)”。SOP是表面贴装(zhuang)型封装(zhuang)之一，引(yin)脚从封装(zhuang)两侧引(yin)出呈海(hai)鸥(ou)翼(yi)状(zhuang)（L 字形）。材料有(you)塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装(zhuang)标准有(you)SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引(yin)脚数。MOSFET的SOP封装(zhuang)多数采用SOP-8规格，业(ye)界往往把(ba)“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。

SO-8采用(yong)塑料封装(zhuang)，没有散热底板(ban)，散热不良，一般用(yong)于小(xiao)功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐(jian)派生(sheng)出(chu)TSOP（薄(bo)小(xiao)(xiao)外(wai)形(xing)封装）、VSOP（甚小(xiao)(xiao)外(wai)形(xing)封装）、SSOP（缩小(xiao)(xiao)型SOP）、TSSOP（薄(bo)的缩小(xiao)(xiao)型SOP）等(deng)标准规(gui)格(ge)。

这(zhei)些派(pai)生的几种封装(zhuang)规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装(zhuang)。

mos管封装引脚图-QFN-56

QFN（Quad Flat Non-leaded package）是(shi)表(biao)(biao)面贴装(zhuang)型封(feng)(feng)装(zhuang)之一(yi)，中文叫做四(si)边(bian)无引线扁(bian)平(ping)封(feng)(feng)装(zhuang)，是(shi)一(yi)种焊盘尺寸小、体积小、以(yi)塑料作为密封(feng)(feng)材(cai)料的(de)新兴表(biao)(biao)面贴装(zhuang)芯片封(feng)(feng)装(zhuang)技(ji)术。现在多称为LCC。QFN是(shi)日本(ben)电子(zi)机械(xie)工业(ye)会规定的(de)名称。

封(feng)装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比(bi)QFP小，高(gao)度(du)比(bi)QFP低。这种封(feng)装也称(cheng)为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来(lai)用(yong)于集(ji)成电路的封(feng)装，MOSFET不会采用(yong)的。Intel提出的整(zheng)合驱(qu)动与MOSFET的DrMOS采用(yong)QFN-56封(feng)装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。

如何区分mos管封装引脚的各个极

1.判(pan)断栅极G

MOS驱动(dong)(dong)器主要起(qi)波(bo)形整形和加强驱动(dong)(dong)的(de)作用(yong):假如(ru)MOS管(guan)的(de)G信号波(bo)形不够(gou)陡峭，在点评切换阶(jie)段会造成大量电能损耗其副作用(yong)是降(jiang)低电路(lu)转(zhuan)换效率，MOS管(guan)发烧严峻，易热(re)损坏MOS管(guan)GS间存在一定电容，假如(ru)G信号驱动(dong)(dong)能力不够(gou)，将(jiang)严峻影响波(bo)形跳变的(de)时间.

将(jiang)G-S极短路，选择万用(yong)表的R×1档(dang)，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为(wei)几欧至十几欧。若发现某脚(jiao)与其(qi)字两脚(jiao)的电(dian)阻均呈无(wu)限大，并(bing)且交换表笔后(hou)仍为(wei)无(wu)限大，则证实此脚(jiao)为(wei)G极，由(you)于它和(he)另外两个管脚(jiao)是(shi)绝缘的。

2.判断源极(ji)S、漏极(ji)D

将万用(yong)(yong)表拨至(zhi)R×1k档分别(bie)丈量三(san)个管脚之(zhi)间的电(dian)(dian)(dian)阻。用(yong)(yong)交(jiao)换表笔(bi)法测(ce)(ce)两次电(dian)(dian)(dian)阻，其中电(dian)(dian)(dian)阻值较低（一(yi)般为(wei)几千(qian)欧至(zhi)十(shi)几千(qian)欧）的一(yi)次为(wei)正向电(dian)(dian)(dian)阻，此时黑表笔(bi)的是(shi)S极，红表笔(bi)接(jie)D极。因为(wei)测(ce)(ce)试前提不同，测(ce)(ce)出(chu)(chu)的RDS（on）值比手册中给出(chu)(chu)的典型值要高一(yi)些。

3.丈量漏(lou)-源通态电阻(zu)RDS（on）

在源-漏之间(jian)有(you)一(yi)(yi)个PN结，因此根据PN结正(zheng)、反向电(dian)阻(zu)存在差异(yi)，可(ke)识别S极(ji)与D极(ji)。例如用(yong)500型(xing)万用(yong)表R×1档实测(ce)一(yi)(yi)只IRFPC50型(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W,大(da)于0.58W（典型(xing)值）。

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