mosfet管脚(jiao)判别方法及区分MOS管的(de)极(ji)详解-MOS管发热原因(yin)分析-KIA MOS管
信息来源：本(ben)站 日期：2019-11-21
区分(fen)MOS管极的(de)方法与(yu)步骤如下：
1、MOS管(guan)符(fu)号上(shang)的(de)三(san)个脚的(de)辨认要抓住关键地(di)方 。
G极(ji)，不用说(shuo)比较好认(ren)。S极(ji)，不论是(shi)(shi)P沟道还(hai)(hai)是(shi)(shi)N沟道，两根线相交的就(jiu)是(shi)(shi)；D极(ji)，不论是(shi)(shi)P沟道还(hai)(hai)是(shi)(shi)N沟道，是(shi)(shi)单(dan)独引线的那边。
2、他(ta)们是N沟道(dao)还是P沟道(dao)？
三(san)(san)个(ge)脚的极(ji)(ji)性判(pan)(pan)断(duan)(duan)完(wan)后(hou)，接(jie)下就该判(pan)(pan)断(duan)(duan)是(shi)P沟(gou)道还是(shi)N沟(gou)道了：当然(ran)也(ye)可(ke)以先判(pan)(pan)断(duan)(duan)沟(gou)道类型，再(zai)判(pan)(pan)断(duan)(duan)三(san)(san)个(ge)脚极(ji)(ji)性。先判(pan)(pan)断(duan)(duan)是(shi)什么沟(gou)道，再(zai)判(pan)(pan)断(duan)(duan)三(san)(san)个(ge)脚极(ji)(ji)性。
3、寄生二极管的方(fang)向如何(he)判(pan)定？
接下来(lai)，是(shi)寄生二极(ji)管的(de)方(fang)向(xiang)判(pan)(pan)断(duan)：它的(de)判(pan)(pan)断(duan)规则(ze)就是(shi)：N沟道，由S极(ji)指(zhi)向(xiang)D极(ji)；P沟道，由D极(ji)指(zhi)向(xiang)S极(ji)。
4、简(jian)(jian)单(dan)(dan)的(de)判断(duan)方(fang)(fang)法(fa)，上面方(fang)(fang)法(fa)不太(tai)好(hao)记，一(yi)个简(jian)(jian)单(dan)(dan)的(de)识(shi)别方(fang)(fang)法(fa)是(shi)(shi)：想像DS边的(de)三节断(duan)续线是(shi)(shi)连通的(de)）不论(lun)N沟(gou)(gou)道还(hai)是(shi)(shi)P沟(gou)(gou)道MOS管，中间衬底箭头方(fang)(fang)向和寄生二极管的(de)箭头方(fang)(fang)向总是(shi)(shi)一(yi)致的(de)：要么都(dou)由S指向D，要么都(dou)由D指向S。
栅极G的测定：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表R&TImes;100档，测任意两(liang)脚(jiao)之间正反向电(dian)阻，若其中某次测得电(dian)阻为数百Ω），该两(liang)脚(jiao)是D、S，第三脚(jiao)为G。
漏(lou)极(ji)D、源极(ji)S及类型判定：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表R&TImes;10kΩ档测D、S问正(zheng)反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻，正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)阻约(yue)0.2&TImes;10kΩ，反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻（5一∞）X100kΩ。在测反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻时，红表笔(bi)不(bu)动(dong)，黑表笔(bi)脱离引(yin)(yin)脚后(hou)，与G碰一下，然(ran)后(hou)回去再接原引(yin)(yin)脚，出现两种情况(kuang)：
a．若读数由原来较大值(zhi)变为(wei)(wei)(wei)0（0×10kΩ），则红表(biao)笔(bi)所接(jie)为(wei)(wei)(wei)S，黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)为(wei)(wei)(wei)D。用黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值(zhi)均(jun)为(wei)(wei)(wei)0Ω，还(hai)可证明(ming)该(gai)管为(wei)(wei)(wei)N沟道。
b．若(ruo)读数仍为(wei)(wei)较大值，黑(hei)表(biao)(biao)笔不(bu)动，改用红(hong)表(biao)(biao)笔接触G，碰一下之(zhi)后立即回到原脚，此时(shi)若(ruo)读数为(wei)(wei)0Ω，则黑(hei)表(biao)(biao)笔接的是S极(ji)、红(hong)表(biao)(biao)笔为(wei)(wei)D极(ji)，用红(hong)表(biao)(biao)笔接触G极(ji)有效，该(gai)MOS管(guan)为(wei)(wei)P沟道。
G极，不用(yong)说比较好认。
S极，不论是p沟道还是N沟道，两(liang)根线相(xiang)交(jiao)的就是；
D极，不论(lun)是p沟(gou)道还是N沟(gou)道，是单独引线的那边。
mosfet管(guan)脚判别好坏及性能详解：
1、用10K档(dang)，内有15伏电池。可提供导通电压。
2、因为(wei)栅(zha)极(ji)等(deng)效于(yu)电容，与任何脚(jiao)不(bu)(bu)通，不(bu)(bu)论N管或(huo)P管都很容易找出(chu)栅(zha)极(ji)来，否(fou)则是坏管。
3、利用表笔对栅(zha)源间正向或(huo)反向充电，可使漏源通或(huo)断，且由于(yu)栅(zha)极上(shang)电荷能保(bao)持，上(shang)述两步(bu)可分先后(hou)，不(bu)必同步(bu)，方便(bian)。但要放(fang)电时需短路(lu)管脚或(huo)反充。
4、大都源(yuan)漏(lou)间有(you)反(fan)并二极管，应注意(yi)，及帮助(zhu)判断。
5、大都封庄为字面对自(zi)已(yi)时，左栅(zha)中漏右源。以(yi)上前三(san)点(dian)必需掌(zhang)握，后两点(dian)灵活运用，很快就能判管脚，分好坏(huai)。
如果对新拿到的(de)(de)不明MOS管，可以通过测定来判断(duan)脚极(ji)，只有(you)准(zhun)确(que)判定脚的(de)(de)排列，才能正(zheng)确(que)使(shi)用。
1.电路(lu)设计(ji)的(de)(de)(de)(de)问题，就是(shi)(shi)让(rang)MOS管(guan)工作(zuo)(zuo)在线性的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)(zuo)状态，而(er)不是(shi)(shi)在开(kai)关(guan)电路(lu)状态。这也(ye)是(shi)(shi)导(dao)致MOS管(guan)发(fa)热(re)(re)的(de)(de)(de)(de)一个原(yuan)因。如果N-MOS做开(kai)关(guan)，G级电压(ya)要比(bi)电源高几V，才能完全导(dao)通，P-MOS则相反。没(mei)有完全打(da)开(kai)而(er)压(ya)降过(guo)大(da)造成功率(lv)消耗(hao)，等效直流(liu)阻(zu)抗比(bi)较(jiao)大(da)，压(ya)降增大(da)，所(suo)以U*I也(ye)增大(da)，损耗(hao)就意味着(zhe)发(fa)热(re)(re)。这是(shi)(shi)设计(ji)电路(lu)的(de)(de)(de)(de)最(zui)忌(ji)讳的(de)(de)(de)(de)错(cuo)误(wu)。
2.频(pin)率(lv)太高(gao)，主要是有时过分追(zhui)求体积(ji)，导致频(pin)率(lv)提高(gao)，MOS管上的(de)损耗增大了(le)，所(suo)以发热(re)也加大了(le)。
3.没(mei)有做好(hao)足够的(de)散(san)(san)热设(she)计，电(dian)(dian)流太高，MOS管(guan)标称的(de)电(dian)(dian)流值，一般需(xu)要良好(hao)的(de)散(san)(san)热才(cai)能达到。所以ID小于最(zui)大电(dian)(dian)流，也可(ke)能发(fa)热严重，需(xu)要足够的(de)辅助(zhu)散(san)(san)热片。
4.MOS管的(de)选型有误(wu)，对功(gong)率(lv)判(pan)断有误(wu)，MOS管内(nei)阻(zu)没有充分考虑，导致开关阻(zu)抗增(zeng)大。
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