一文详解MOS管的检测与更换 看完一目了然

MOS管检测与更换

详(xiang)解MOS管(guan)的(de)(de)检(jian)测与更换，看完一(yi)目了(le)然。随着经济的(de)(de)飞速(su)发展，人(ren)们(men)的(de)(de)生(sheng)活也得到了(le)飞跃式的(de)(de)提高，生(sheng)活中(zhong)各类电(dian)(dian)子(zi)产品层出(chu)不穷，如：手机(ji)(ji)、电(dian)(dian)脑、电(dian)(dian)视(shi)(shi)机(ji)(ji)等(deng)相继(ji)进(jin)入(ru)我们(men)的(de)(de)视(shi)(shi)野，但是这(zhei)类电(dian)(dian)子(zi)产品在使用(yong)中(zhong)难(nan)免(mian)会出(chu)现故障，在修(xiu)理电(dian)(dian)视(shi)(shi)机(ji)(ji)及这(zhei)些电(dian)(dian)器设备时，通(tong)常会遇到各种电(dian)(dian)子(zi)元器件的(de)(de)损坏(huai)，mos管(guan)就是其中(zhong)的(de)(de)典型(xing)代(dai)表之一(yi)，这(zhei)就是我们(men)的(de)(de)维(wei)修(xiu)人(ren)员如何利用(yong)常用(yong)的(de)(de)万(wan)用(yong)表来检(jian)测判(pan)断MOS管(guan)的(de)(de)好坏(huai)、优劣。在更换MOS管(guan)是如果没有(you)相同厂家及相同型(xing)号(hao)时，如何代(dai)换的(de)(de)问题。

MOS管检测与更换-MOS管的检测

在进行电(dian)视机维(wei)修时测(ce)量晶体三(san)极(ji)管(guan)或二极(ji)管(guan)时，一般是(shi)采用普(pu)通(tong)的(de)万用表来(lai)判(pan)断(duan)三(san)极(ji)管(guan)或者二极(ji)管(guan)的(de)好坏(huai)(huai)，虽然对所判(pan)断(duan)的(de)三(san)极(ji)管(guan)或二极(ji)管(guan)的(de)电(dian)气参数没法(fa)确(que)认，但是(shi)只要(yao)方法(fa)正确(que)对于(yu)确(que)认晶体三(san)极(ji)管(guan)的(de)“好”与(yu)“坏(huai)(huai)”还是(shi)没有问(wen)题(ti)的(de)。同样MOS管(guan)也(ye)可(ke)以(yi)应用万用表来(lai)判(pan)断(duan)其“好”与(yu)“坏(huai)(huai)”,从一般的(de)维(wei)修来(lai)说，也(ye)可(ke)以(yi)满足(zu)产品需(xu)求(qiu)了。

检测(ce)必须采(cai)用(yong)指针式万用(yong)表（数(shu)字表是不适宜测(ce)量半导体器件的）。对(dui)于(yu)功(gong)率(lv)型MOS管(guan)开关管(guan)都(dou)属N沟道增(zeng)强型，各生产厂的产品(pin)也几乎都(dou)采(cai)用(yong)相同的TO-220F封(feng)装形式（指用(yong)于(yu)开关电源中功(gong)率(lv)为(wei)50—200W的场效应(ying)开关管(guan)），其三个电极排列也一致，即将(jiang)三只引脚向(xiang)下，打印型号面向(xiang)自巳，左侧引脚为(wei)栅极，右测(ce)引脚为(wei)源极。

MOS管检测与更换-MOS管的更换

在修理电(dian)视(shi)机(ji)及各种(zhong)电(dian)器设备(bei)时，遇到电(dian)子(zi)元(yuan)器件(jian)损(sun)坏(huai)(huai)(huai)应该采用相(xiang)同型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)进行更(geng)换。但是，有(you)时相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)手边(bian)没有(you)，就(jiu)要(yao)(yao)采用其他型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)进行代(dai)换，这(zhei)(zhei)(zhei)样(yang)就(jiu)要(yao)(yao)考(kao)(kao)虑到各方面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)性能、参(can)数、外形(xing)尺寸(cun)(cun)等，例(li)如(ru)电(dian)视(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)里(li)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)行输(shu)出管(guan)(guan)，只要(yao)(yao)考(kao)(kao)虑耐压、电(dian)流、功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)一(yi)(yi)般是可以(yi)进行代(dai)换的(de)(de)(de)(de)(de)(de)（行输(shu)出管(guan)(guan)外观尺寸(cun)(cun)几乎相(xiang)同），而且功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)往(wang)往(wang)大一(yi)(yi)些更(geng)好(hao)。对于MOS管(guan)(guan)代(dai)换虽然也(ye)是这(zhei)(zhei)(zhei)一(yi)(yi)原(yuan)(yuan)(yuan)则，最好(hao)是原(yuan)(yuan)(yuan)型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最好(hao)，特别是不(bu)(bu)要(yao)(yao)追求功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)要(yao)(yao)大一(yi)(yi)些，因为(wei)功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)大；输(shu)入电(dian)容(rong)(rong)就(jiu)大，换了(le)(le)后(hou)和激(ji)(ji)励电(dian)路(lu)就(jiu)不(bu)(bu)匹配(pei)了(le)(le)，激(ji)(ji)励灌(guan)流电(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)充电(dian)限流电(dian)阻的(de)(de)(de)(de)(de)(de)阻值的(de)(de)(de)(de)(de)(de)大小和MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)输(shu)入电(dian)容(rong)(rong)是有(you)关系的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，选(xuan)用功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)尽管(guan)(guan)容(rong)(rong)量大了(le)(le)，但输(shu)入电(dian)容(rong)(rong)也(ye)就(jiu)大了(le)(le)，激(ji)(ji)励电(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)配(pei)合就(jiu)不(bu)(bu)好(hao)了(le)(le)，这(zhei)(zhei)(zhei)反而会使MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)、关性能变坏(huai)(huai)(huai)。所示代(dai)换不(bu)(bu)同型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)，要(yao)(yao)考(kao)(kao)虑到其输(shu)入电(dian)容(rong)(rong)这(zhei)(zhei)(zhei)一(yi)(yi)参(can)数。例(li)如(ru)有(you)一(yi)(yi)款42寸(cun)(cun)液晶电(dian)视(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)背光高压板损(sun)坏(huai)(huai)(huai)，经过检(jian)查是内部的(de)(de)(de)(de)(de)(de)大功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)MOS管(guan)(guan)损(sun)坏(huai)(huai)(huai)，因为(wei)无原(yuan)(yuan)(yuan)型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)代(dai)换，就(jiu)选(xuan)用了(le)(le)一(yi)(yi)个(ge)，电(dian)压、电(dian)流、功(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)均(jun)不(bu)(bu)小于原(yuan)(yuan)(yuan)来(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)替换，结(jie)果是背光管(guan)(guan)出现连续的(de)(de)(de)(de)(de)(de)闪烁（启动(dong)困难），最后(hou)还(hai)是换上原(yuan)(yuan)(yuan)来(lai)一(yi)(yi)样(yang)型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)才解决问题。

检测到(dao)MOS管(guan)(guan)损坏后，更(geng)(geng)(geng)换时其周边的(de)灌流电(dian)路的(de)元件也(ye)必须(xu)全部更(geng)(geng)(geng)换，因(yin)为(wei)该MOS管(guan)(guan)的(de)损坏也(ye)可能是(shi)灌流电(dian)路元件的(de)欠佳引起(qi)MOS管(guan)(guan)损坏。即便是(shi)MOS管(guan)(guan)本身原因(yin)损坏，在(zai)MOS管(guan)(guan)击(ji)穿的(de)瞬间，灌流电(dian)路元件也(ye)受到(dao)伤害，也(ye)应该更(geng)(geng)(geng)换。就像我们有很多高明的(de)维修师(shi)傅(fu)在(zai)修理A3开(kai)关电(dian)源时；只要发现开(kai)关管(guan)(guan)击(ji)穿，就也(ye)把(ba)前面的(de)2SC3807激励管(guan)(guan)一起(qi)更(geng)(geng)(geng)换一样道(dao)理（尽管(guan)(guan)2SC3807管(guan)(guan)，用万用表测量是(shi)好(hao)的(de)）。

mos管防静电保护

mos管(guan)是属于绝缘栅(zha)场(chang)效应管(guan)，栅(zha)极是无直流通(tong)路(lu)，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的(de)电压将(jiang)栅(zha)极和源极之间(jian)的(de)绝缘层击穿。

早期(qi)生产的(de)MOS管大都没有防静电的(de)措施，所以在保管及应用(yong)上(shang)要非常小心，特别是(shi)功率(lv)较小的(de)MOS管，由(you)于功率(lv)较小的(de)MOS管输入电容(rong)比较小，接触到静电时产生的(de)电压(ya)较高，容(rong)易(yi)引(yin)起静电击穿。

而近期的(de)(de)(de)增强(qiang)型大功率MOS管(guan)(guan)则有(you)(you)(you)比(bi)较大的(de)(de)(de)区别(bie)，首先由于功能较大输入电容(rong)也(ye)比(bi)较大，这样(yang)接触(chu)到静电就(jiu)有(you)(you)(you)一个(ge)充(chong)电的(de)(de)(de)过程，产(chan)生的(de)(de)(de)电压(ya)(ya)较小，引起击穿的(de)(de)(de)可能较小，再者现(xian)在的(de)(de)(de)大功率MOS管(guan)(guan)在内部的(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)和源极(ji)有(you)(you)(you)一个(ge)保护(hu)(hu)的(de)(de)(de)稳压(ya)(ya)管(guan)(guan)DZ（如下图所示(shi)），把静电嵌位于保护(hu)(hu)稳压(ya)(ya)二极(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)稳压(ya)(ya)值以下，有(you)(you)(you)效的(de)(de)(de)保护(hu)(hu)了栅(zha)极(ji)和源极(ji)的(de)(de)(de)绝缘层，不同(tong)功率、不同(tong)型号的(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)其保护(hu)(hu)稳压(ya)(ya)二极(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)稳压(ya)(ya)值是(shi)不同(tong)的(de)(de)(de)。

虽然MOS管(guan)内部有了保护措施，我们操作(zuo)时(shi)也应(ying)按照防静(jing)电的(de)操作(zuo)规程进行，这是(shi)一个合格(ge)的(de)维修(xiu)员应(ying)该具备的(de)。

联系(xi)方式(shi)：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机(ji)：18123972950

QQ：2880195519

联系地(di)址：深圳市福田区车公庙天安(an)数码(ma)城天吉(ji)大厦CD座(zuo)5C1

请搜微信公(gong)众号:“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下图“关(guan)注(zhu)”官方微信公(gong)众号

请“关注”官方微信公众号:提(ti)供 MOS管 技术帮助