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MOS管KIA50N06替代NCE6050规格书资料 产(chan)品优质 全新原装-KIA MOS管

信息(xi)来(lai)源:本站 日期:2019-04-15 

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MOS管KIA50N06替代NCE6050

MOS管KIA50N06替代NCE6050参数

KIA50N06产品描述

MOS管KIA50N06替(ti)代NCE6050,文中(zhong)将会具体的描述KIA50N06和(he)NCE6050两个产品参(can)数、封装、附加规格书等。KIA50n06是三端(duan)器件与约50A电(dian)(dian)流(liu)传导能力,快(kuai)速开关(guan)速度。低通态(tai)电(dian)(dian)阻,60V额定击穿(chuan)电(dian)(dian)压,最(zui)大阈(yu)值4伏电(dian)(dian)压。它(ta)主(zhu)要适用于电(dian)(dian)子镇流(liu)器和(he)低功率(lv)开关(guan)。


KIA50N06产品特征

RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。

超低栅极电荷(典(dian)型的30nc)

低反(fan)向转移(yi)电容

快速切换(huan)的(de)能力

100%雪崩能量

改进的dt/dt能力


KIA50N06产品参数

漏极至源极电压:60

栅源电压:±20

漏极电流 (连续):50

单(dan)脉(mai)冲雪崩能量:480

耗(hao)散功率:130

工作温度:-55~+150

输入(ru)电容:VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz

击穿电压温度:0.7

上升时(shi)间:VDD=30V,ID=25A,RG=50Ω(note4,5)


KIA50N06封装图

MOS管KIA50N06替代NCE6050



MOS管KIA50N06规格书详情

查看规格书请点击下(xia)图。


MOS管KIA50N06替代NCE6050


NCE6050主要参数

漏(lou)源电压:60V

栅源电压(ya):±20V

漏电(dian)流(liu)连续:50A

脉冲漏电流:220A

最大功耗(hao):80W

输入电容(rong):900PF

输出电容(rong):104PF

封(feng)装:TO-252、TO-251、TO-220


NCE6050规格书

查看规格(ge)书请点(dian)击下图。


MOS管KIA50N06替代NCE6050



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