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p75nf75场效应(ying)管代换KIA75NF75附件参数详情-低(di)功耗 低(di)内阻-KIA MOS管

信(xin)息(xi)来源(yuan):本站 日(ri)期:2019-02-21 

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p75nf75场效应管代换

p75nf75场效应管代换KIA75NF75

KIA75NF75替(ti)代ST75NF7可完美(mei)ST的这款(kuan)产品(pin)(pin),文中有两个产品(pin)(pin)的参(can)数详细(xi)资(zi)料。


p75nf75场效应管具体参数详情

电流:75A

电压(ya):75V

门源电压(ya):±20V

脉(mai)冲漏电流:370A

雪崩电流:70A


p75nf75场效应管封装及外观图

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p75nf75场效应管附件

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KIA75NF75产品描述

75NF75是N沟道增强型功率场状态特性(xing)稳定(ding)、快速的(de)效应晶体管开关(guan)速度,低热阻(zu),常用(yong)(yong)于电信和计算机应用(yong)(yong)。


KIA75NF75产品特征

RDS(ON)=12.5mΩ@VGS=10V

超低栅电荷(典(dian)型的90纳米)

快速交换(huan)能(neng)力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能(neng)力,坚固性高


KIA75NF75参数范围

产(chan)品型号:KIA75NF75

工作方式:80A/80V

漏源电(dian)压:80V

栅源电压:±25V

连续漏电流:80A/70A

脉冲漏电流:340A

雪(xue)崩(beng)电流:20A

雪崩能源:410MJ

最大功耗:240W/100W


KIA75NF75封装图

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KIA75NF75产品附件详情

查看详情,请点击下图。

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