9N90现货供应商 KIA9N90 PDF文件9N90 9A/900 参(can)数资料-KIA 官网
信(xin)息来源：本站 日(ri)期：2018-01-28
N沟道增强型功(gong)率场效应晶体管是使用半导体专有的(de)，平面(mian)条形DMOS技术，这种先进的(de)技术已特别量身定(ding)制，以尽量减少对国家的(de)阻力，提(ti)供优越(yue)的(de)开(kai)关(guan)性能(neng)，并承受(shou)高(gao)雪崩和换相模式下(xia)的(de)能(neng)量脉冲。这些设备非常适合(he)高效率。开关电(dian)源，有(you)源功(gong)率因数校正(zheng)，半桥式电(dian)子(zi)镇流器拓扑。
特点
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低栅电荷（典型的70数控(kong)）
Low Crss（典(dian)型的14pf）
快速切换(huan)
100%雪崩(beng)测(ce)试(shi)
改进的(de)dt／dt能力
符合RoHS
产品型号：KIA9N90
工作方式：9A/900V
漏源电(dian)压：900V
栅源电压：±30V
漏(lou)电(dian)流连(lian)续：9.0A
脉冲漏极电流(liu)：36A
雪(xue)崩能量：900mJ
耗散功率：280W
热(re)电(dian)阻(zu)：40℃/W
漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电压：900V
栅极(ji)阈值电压：3.0V
输入电容(rong)：2780 PF
输出电容：228 PF
上(shang)升(sheng)时间：130 ns
封装形式：TO-3P、TO-247
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KIA9N90（9A/900V） |
| 产品编号 | KIA9N90/HF/Hm/SF |
| FET极性 | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品工(gong)艺 |
N沟(gou)道增强(qiang)型(xing)功率(lv)场效应(ying)晶(jing)体管是使(shi)用半导(dao)体专(zhuan)有的(de)，平面条形DMOS技术，这(zhei)种先进(jin)的(de)技术已特别(bie)量身定制，以尽量减(jian)少对国家(jia)的(de)阻力(li)，提供优越(yue)的(de)开(kai)关性能，并承受(shou)高雪崩和换相模式下的(de)能量脉冲。 |
| 产品(pin)特性 |
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低栅电荷(he)（典型的70数控(kong)） Low Crss（典型(xing)的14pf） 快速切换(huan) 100%雪(xue)崩测试 改进(jin)的dt／dt能力 符(fu)合(he)RoHS |
| 适用范(fan)围 |
主要适用于高效率。开关电源，有源功率因数校正，半桥式电子镇流器拓扑 |
| 封装(zhuang)形式 |
TO-3P、TO-247 |
| PDF文(wen)件(jian) |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
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| 厂家(jia) | KIA 原厂(chang)家 |
| 网(wang)址(zhi) | shkegan.com |
| PDF页数 | 总7页(ye) |
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