KIA4820参数(shu)指标

KIA4820增(zeng)强型硅栅功(gong)率(lv)(lv)(lv)MOSFET的(de)高电(dian)压(ya)设(she)计，高速功(gong)率(lv)(lv)(lv)开关应用，如高效率(lv)(lv)(lv)开关电(dian)源，有源基于半桥(qiao)拓扑结构的(de)功(gong)率(lv)(lv)(lv)因数校(xiao)正电(dian)子镇流器。

2、特征

专有的新平面技术

RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低门电荷(he)减少开关损耗

快速恢(hui)复体二(er)极管

3、参数指标

产品型号：KIA4820

工作方式：9A/200V

漏源电压：200V

栅源电压：±20V

漏电流连续：9A

脉冲漏极电(dian)流(liu)：36A

雪(xue)崩(beng)能量(liang)：300m

耗散功率：83W

热电阻：75℃/W

漏源击穿(chuan)电(dian)压：200V

栅极阈值(zhi)电压：1.0V

输入电容：418 PF

输出电容(rong)：94 PF

上(shang)升时间：6.0 ns

封装形式(shi)：TO-220、TO-252

	KIA4820
产品编号	KIA4820（9A 200V）
产品工艺	KIA4820b增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
产品特征	专有(you)的新平面技术 RDS（ON），典型(xing)值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电(dian)荷减少开关损耗快速恢复体二极管
适用范围	主要适用于高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
封装形式	TO-220、TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总8数