场效应管和IGBT有什么区别

IGBT：IGBT是由BJT（双极型(xing)三极管(guan)）和(he)MOS（绝(jue)缘栅型(xing)场效应管(guan)）组成(cheng)的复合全控型(xing)电压(ya)驱(qu)动(dong)(dong)式电力半导体器(qi)件，兼有(you)MOSFET的高输(shu)入阻(zu)抗和(he)GTR的低导通压(ya)降(jiang)两方面(mian)的优点(dian)。GTR饱和(he)压(ya)降(jiang)低，载流(liu)密度大，但(dan)驱(qu)动(dong)(dong)电流(liu)较大;MOSFET驱(qu)动(dong)(dong)功率(lv)很小(xiao)，开关速度快(kuai)，但(dan)导通压(ya)降(jiang)大，载流(liu)密度小(xiao)。

IGBT综合(he)了(le)以上两种器件的优点(dian)，驱动功率小而饱和压降低。专业名字为(wei)绝(jue)缘栅双极(ji)型(xing)功率管(guan)(guan) 。通(tong)俗点(dian)说(shuo)GBT管(guan)(guan)是有MOS管(guan)(guan)（场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)）和双极(ji)型(xing)达林(lin)顿(dun)管(guan)(guan)结(jie)(jie)合(he)而成。将场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)做(zuo)为(wei)推(tui)动管(guan)(guan)，大(da)功率达林(lin)顿(dun)管(guan)(guan)作为(wei)输出管(guan)(guan)。这样两者优点(dian)有机的结(jie)(jie)合(he)成现(xian)在的IGBT管(guan)(guan)，功率可以做(zuo)的很大(da)。

场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)（Field Effect Transistor缩写（FET））简(jian)(jian)称场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)。主要有(you)两种类型(xing)（juncTIon FET—JFET）和金属 - 氧化物半(ban)导体(ti)场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)（metal-oxide semiconductor FET，简(jian)(jian)称MOS-FET）。由多数载流(liu)子参与导电，也称为单(dan)极型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)。它属于(yu)电压控制(zhi)型(xing)半(ban)导体(ti)器件。具有(you)输(shu)入电阻(zu)高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于(yu)集成、没有(you)二次击穿(chuan)现(xian)象、安全工作(zuo)区域宽(kuan)等优点。

场效应管型号功能大全：