KIA半导体(ti)推出(chu)碳化硅二极管（SiC diode）
信(xin)息来源(yuan)：KIA半导(dao)体 日期：2016-03-19
为了满足(zu)严格(ge)的(de)最新效(xiao)(xiao)率规(gui)范（能源之星、80Plus、欧(ou)洲能源效(xiao)(xiao)率）的(de)要求，电源设计者(zhe)必须考虑(lv)使用新型功率转换器拓扑和(he)效(xiao)(xiao)率更高的(de)电子元(yuan)件，例如高压碳化(hua)硅（SiC）二极管。
KIA半导(dao)(dao)体的(de)SiC二极管利用了碳化硅出(chu)色(se)的(de)物理特(te)性(xing)，其动态反向恢复特(te)性(xing)比(bi)硅好4倍、正向导(dao)(dao)通(tong)电压VF比(bi)它低15%。
在硬(ying)开(kai)关(guan)应用(yong)中，比如高(gao)端服务(wu)器和(he)通讯电(dian)(dian)源，SiC肖特(te)基二(er)极管(guan)大幅降(jiang)低了功率损耗(hao)，并且得到了广泛使用(yong)。它们还越来(lai)越多(duo)地(di)被应用(yong)到太阳能逆(ni)变器、电(dian)(dian)机驱(qu)动器、不间断电(dian)(dian)源（UPS）和(he)电(dian)(dian)动车（EV）之中。
KIA半导体推(tui)出(chu)了全套SiC二极管，其电(dian)压范(fan)围为600 ~ 1700 V。这些产品(pin)(pin)提(ti)供多种封装选项，让设计者能够灵活提(ti)高(gao)效率和可靠(kao)性，加快产品(pin)(pin)面市步伐，削减成本。
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