半(ban)导体(ti)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)可区(qu)(qu)分(fen)为挥(hui)(hui)发性(xing)与非挥(hui)(hui)发件(jian)性(xing)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)两类．挥(hui)(hui)发性(xing)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)，如动态(tai)随机...半(ban)导体(ti)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)可区(qu)(qu)分(fen)为挥(hui)(hui)发性(xing)与非挥(hui)(hui)发件(jian)性(xing)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)两类．挥(hui)(hui)发性(xing)存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)，如动态(tai)随机存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)和静态(tai)随机存(cun)(cun)储(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)，若其电源(yuan)供(gong)应关(guan)闭，将(jiang)会丧失所储(chu)(chu)存(cun)(cun)的信息，相(xiang)比之下(xia)，非挥(hui)(hui)...
在(zai)高压(ya)双(shuang)(shuang)极型开(kai)关晶体(ti)管中，“下(xia)(xia)降时(shi)间(jian)”(关断(duan)(duan)沿的(de)速(su)度(du)或者dv/dt)主(zhu)要由基极驱(qu)...在(zai)高压(ya)双(shuang)(shuang)极型开(kai)关晶体(ti)管中，“下(xia)(xia)降时(shi)间(jian)”(关断(duan)(duan)沿的(de)速(su)度(du)或者dv/dt)主(zhu)要由基极驱(qu)动(dong)关断(duan)(duan)电流特性曲线(xian)的(de)形状来决(jue)定，从基极关断(duan)(duan)驱(qu)动(dong)申(shen)请到真正(zheng)关断(duan)(duan)沿之(zhi)间(jian)的(de)延时(shi)是存储...
在开(kai)关(guan)电(dian)源二(er)次(ci)侧的(de)输出(chu)整(zheng)流(liu)电(dian)路中，一般选(xuan)用(yong)反向恢(hui)复(fu)时(shi)闷较短(duan)的(de)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)管，常...在开(kai)关(guan)电(dian)源二(er)次(ci)侧的(de)输出(chu)整(zheng)流(liu)电(dian)路中，一般选(xuan)用(yong)反向恢(hui)复(fu)时(shi)闷较短(duan)的(de)整(zheng)流(liu)二(er)极(ji)管，常用(yong)的(de)主要有快(kuai)恢(hui)复(fu)二(er)极(ji)管、超(chao)快(kuai)恢(hui)复(fu)二(er)极(ji)管、肖特基势垒(lei)二(er)极(ji)管。快(kuai)恢(hui)复(fu)二(er)极(ji)管和超(chao)快(kuai)恢(hui)...
可控(kong)硅(gui)器(qi)件(jian)(jian)(jian)是(shi)一种(zhong)非常(chang)重要的(de)功(gong)率器(qi)件(jian)(jian)(jian)，可用来作高(gao)(gao)电(dian)压和(he)高(gao)(gao)电(dian)流(liu)的(de)控(kong)制(zhi)．可控(kong)硅(gui)器(qi)...可控(kong)硅(gui)器(qi)件(jian)(jian)(jian)是(shi)一种(zhong)非常(chang)重要的(de)功(gong)率器(qi)件(jian)(jian)(jian)，可用来作高(gao)(gao)电(dian)压和(he)高(gao)(gao)电(dian)流(liu)的(de)控(kong)制(zhi)．可控(kong)硅(gui)器(qi)件(jian)(jian)(jian)主要用在开(kai)关(guan)方面(mian)，使器(qi)件(jian)(jian)(jian)从(cong)关(guan)闭或是(shi)阻断的(de)状态转换为开(kai)启或是(shi)导通的(de)状态，反之亦(yi)...
晶体(ti)(ti)管（是(shi)转换(huan)(huan)电阻(zu)transfer rcsistor的(de)(de)缩写）是(shi)一(yi)个多重结的(de)(de)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)器(qi)(qi)件，通(tong)常(chang)...晶体(ti)(ti)管（是(shi)转换(huan)(huan)电阻(zu)transfer rcsistor的(de)(de)缩写）是(shi)一(yi)个多重结的(de)(de)半(ban)导(dao)体(ti)(ti)器(qi)(qi)件，通(tong)常(chang)晶体(ti)(ti)管会与其他电路器(qi)(qi)件整(zheng)合在(zai)一(yi)起，以获得电压、电流或是(shi)信号功(gong)率增益．双(shuang)极(ji)型晶体(ti)(ti)...
MOS二极管的能(neng)带(dai)图，我们由夹在独(du)立(li)金属(shu)与独(du)立(li)半导体间的氧(yang)化层(ceng)(ceng)夹心结构开始(shi)[图...MOS二极管的能(neng)带(dai)图，我们由夹在独(du)立(li)金属(shu)与独(du)立(li)半导体间的氧(yang)化层(ceng)(ceng)夹心结构开始(shi)[图6.9(a)]．在此独(du)立(li)的状(zhuang)态下(xia)，所有的能(neng)带(dai)均保持(chi)水平，此为(wei)平带(dai)状(zhuang)况(kuang)．在热平衡状(zhuang)态下(xia)...
