KIA20N50H 20A/500V MOS管原厂-10几(ji)年品质追(zhui)求(qiu) 免(mian)费(fei)送(song)样-KIA MOS管
信息(xi)来源(yuan)：本站 日期：2018-11-02
1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅(zha)功率(lv)(lv)MOSFET是专为高功率(lv)(lv)MOSFET设计(ji)的(de)电压，高速(su)功率(lv)(lv)开关应用，如高效率(lv)(lv)开关电源等。有源功率(lv)(lv)因数校正。
2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V
3、低门(men)电荷(he)（典型的70纳米）
4、快速(su)切(qie)换能力(li)
5、雪(xue)崩能量指定
6、改进的dv/dt能力
产品型号：KIA20N50H
工作方(fang)式(shi)：20A/500V
漏源(yuan)极电压(ya)：500V
栅源电压:±30V
功能温度:+150℃
贮存温度：-55℃至(zhi)+150℃
以下(xia)为KIA20N50H产品PDF格式的产品详细资料，查(cha)看详情(qing)请点击下(xia)图。
联系方式(shi)：邹先生
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