详(xiang)细讲解mos管电子(zi)电路
信息(xi)来源：本(ben)站(zhan) 日期：2017-04-20
MOS管最(zui)显著的(de)(de)特性是(shi)开(kai)(kai)(kai)关特性好，所(suo)以被(bei)广泛应(ying)用于(yu)需要(yao)电(dian)(dian)子开(kai)(kai)(kai)关的(de)(de)电(dian)(dian)路(lu)(lu)中，常见的(de)(de)如开(kai)(kai)(kai)关电(dian)(dian)源和马达驱动电(dian)(dian)路(lu)(lu)，也(ye)有照(zhao)明调光(guang)。
现在(zai)的MOS驱动，有几个特(te)别的需求：
1. 低压应用
当使(shi)(shi)用5V电(dian)源，由于三极管(guan)的(de)be只有(you)0.7V左右(you)的(de)压降，导致实际最终(zhong)加载gate上的(de)电(dian)压只有(you)4.3V，这时候(hou)，我(wo)们选用标称gate电(dian)压4.5V的(de)MOS管(guan)就(jiu)存在一定的(de)风险。同(tong)样的(de)问题也发生在使(shi)(shi)用3V或(huo)者其他低压电(dian)源的(de)场合。
2. 宽(kuan)电压(ya)应用
输(shu)入电压并不是一(yi)个固定(ding)值(zhi)，它(ta)会(hui)随着时间或者其他因素(su)而(er)变动(dong)(dong)。这(zhei)个变动(dong)(dong)导致(zhi)PWM电路(lu)提供给MOS管的驱动(dong)(dong)电压是不稳定(ding)的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管厂家内置稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳(wen)压管的电(dian)压，就会引起较大(da)的静态功耗。
同时(shi)，如果简(jian)单(dan)的(de)用电阻分压(ya)的(de)原理降低gate电压(ya)，就会(hui)出现输(shu)入电压(ya)比较高的(de)时(shi)候，MOS管工作良好(hao)，而输(shu)入电压(ya)降低的(de)时(shi)候gate电压(ya)不(bu)足，引起导通不(bu)够彻(che)底，从而增加(jia)功耗。
3. 双(shuang)电压应用
在(zai)一些(xie)控制电(dian)路中，逻辑部分使(shi)用(yong)典型的5V或(huo)3.3V数字电(dian)压(ya)，而功率部分使(shi)用(yong)12V甚(shen)至更高的电(dian)压(ya)。两个电(dian)压(ya)采用(yong)共地(di)方(fang)式连(lian)接。
这就(jiu)提(ti)出一个(ge)要求，需要使用一个(ge)电(dian)路，让低(di)压(ya)侧(ce)能够有效的(de)控制高(gao)压(ya)侧(ce)的(de)MOS管，同(tong)时高(gao)压(ya)侧(ce)的(de)MOS管也(ye)同(tong)样会面对1和2提(ti)到(dao)的(de)问题。
电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用(yong)小幅度的(de)PWM信号(hao)驱动高gate电压(ya)需求的(de)MOS管。
3，gate电压的(de)峰值限制
4，输入和输出(chu)的电流限制
5，通过使用合适的(de)电阻，可以(yi)达到很低的(de)功(gong)耗。
6，PWM信(xin)号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前(qian)置一个反相器来(lai)解决。
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