mos管场(chang)效应(ying)管区域(yu)-可变(bian)电阻、区恒(heng)流区、夹断(duan)区等详解-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期(qi)：2019-02-19
满足Ucs》Ucs（th）（开启(qi)电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断(duan)轨迹(ji)左边的区(qu)域其沟道(dao)开启(qi)。在(zai)该区(qu)域UDs值(zhi)较小，沟道(dao)电阻基本上仅受(shou)UGs控(kong)制。当uGs一(yi)定时(shi)，ip与(yu)uDs成(cheng)线性(xing)关系(xi)，该区(qu)域近似为一(yi)组(zu)直线。这时(shi)场效管(guan)D、S间(jian)相当于一(yi)个(ge)受(shou)电压UGS控(kong)制的可(ke)变电阻。
满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），为(wei)图中预夹断轨迹右边(bian)、但(dan)尚未击穿的(de)区(qu)域，在(zai)该区(qu)域内，当uGs一定时，ib几乎不随UDs而变化，呈恒流(liu)特(te)性(xing)。i仅受(shou)UGs控(kong)制，这时场效应管(guan)D、S间相当于一个受(shou)电(dian)压uGs控(kong)制的(de)电(dian)流(liu)源(yuan)。场效应管(guan)用于放大电(dian)路时，一般就工作(zuo)在(zai)该区(qu)域，所以也称为(wei)放大区(qu)。
夹(jia)断区（也称(cheng)截止区）满足ucs《Ues（th）为图中(zhong)靠(kao)近(jin)横轴的区域，其沟(gou)道被全(quan)(quan)部(bu)夹(jia)断，称(cheng)为全(quan)(quan)夹(jia)断，io=0，管子不工作。
击(ji)穿区(qu)位于图中右边的(de)区(qu)域。随着UDs的(de)不(bu)断增大(da)，PN结因承受太大(da)的(de)反向电压而击(ji)穿，ip急剧(ju)增加。工作时应避(bi)免管子工作在击(ji)穿区(qu)。
转(zhuan)移特性(xing)曲(qu)线(xian)(xian)可以(yi)从输出特性(xing)曲(qu)线(xian)(xian)。上用(yong)作(zuo)图的(de)方法求(qiu)得(de)(de)。例如在(zai)图3（ a）中作(zuo)Ubs=6V的(de)垂(chui)直(zhi)线(xian)(xian)，将其与各条曲(qu)线(xian)(xian)的(de)交点对应(ying)的(de)i、Us值(zhi)在(zai)ib- Uss 坐标中连成(cheng)曲(qu)线(xian)(xian)，即得(de)(de)到(dao)转(zhuan)移性(xing)曲(qu)线(xian)(xian)，如图3（b）所示(shi)。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳市(shi)福田区(qu)车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信(xin)公(gong)众号(hao):“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下图“关注”官方(fang)微信(xin)公(gong)众号(hao)
请“关注”官方微(wei)信公(gong)众号:提供(gong) MOS管(guan) 技术帮(bang)助
